公开(公告)号：CN104916746A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510112427.5

申请日：2015-03-13

Applicant: 勒克斯维科技公司

Inventor： 胡馨华 ,  A·比布尔

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L27/153 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0676 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/005 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0033

Abstract: 本发明描述了一种纳米线器件和一种形成准备好拾取并转移到接收衬底的纳米线器件的方法。在实施例中，所述纳米线器件包括基底层和多根纳米线，所述多根纳米线在所述基底层的第一表面上并远离所述基底层的第一表面突出。封装材料侧向围绕所述纳米线器件中的所述多根纳米线，使得所述纳米线嵌入在所述封装材料内。

公开(公告)号：CN104335339A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380027965.3

申请日：2013-05-01

Applicant: 勒克斯维科技公司

Inventor： A·比布尔 ,  J·A·希金森 ,  胡馨华

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/50 ,  B65G49/07

CPC classification number: B41J2/385 ,  B25J15/0052 ,  B25J15/0085 ,  B41J2/39 ,  B81B2201/038 ,  B81C99/002 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了顺应性的微型器件转移头部和头部阵列。在一个实施例中，微型器件转移头部包括弹簧部分，该弹簧部分可挠曲到位于基部衬底和弹簧部分之间的空间中。

公开(公告)号：CN104838508A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380064361.6

申请日：2013-12-03

Applicant: 勒克斯维科技公司

Inventor： K·V·萨卡里亚 ,  A·比布尔 ,  胡馨华

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明题为“发光器件反射隔堤结构”。本发明描述了发光器件的反射隔堤结构。该反射隔堤结构可包括衬底、衬底上的绝缘层以及绝缘层中的隔堤开口阵列，其中每个隔堤开口包括底表面和侧壁。反射层跨越绝缘层中的隔堤开口中的每个隔堤开口的侧壁。

公开(公告)号：CN104094422A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201280066487.2

申请日：2012-11-08

Applicant: 勒克斯维科技公司

Inventor： A·拜布尔 ,  J·A·希金森 ,  H-F·S·劳 ,  胡馨华

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/06 ,  F21V7/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/15 ,  H01L29/0684 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/04 ,  H01L33/20 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L2224/95

Abstract: 描述一种微发光二极管(LED)和一种形成用于向接收衬底传送的微LED阵列的方法。微LED结构可以包括微p-n二极管和金属化层，而金属化层在微p-n二极管与键合层之间。保形电介质屏障层可以跨越微p-n二极管的侧壁。可以拾取并且向接收衬底传送微LED结构和微LED阵列。

公开(公告)号：CN104067379A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201280067414.5

申请日：2012-11-07

Applicant: 勒克斯维科技公司

Inventor： A·拜布尔 ,  J·A·希金森 ,  H-F·S·劳 ,  胡馨华

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/677 ,  H05K13/04

CPC classification number: H01L24/83 ,  B32B37/025 ,  B32B37/06 ,  B32B2457/20 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6833 ,  H01L24/75 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1707 ,  Y10T156/1744 ,  Y10T156/1749 ,  Y10T156/1776 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种微器件传送头和头阵列。在实施例中，微器件传送头包括基底衬底、具有侧壁的台面结构、在台面结构之上形成的电极、以及覆盖电极的介电层。能够向微器件传送头和头阵列施加电压以从载体衬底拾起微器件并且将微器件释放到接收衬底上。

公开(公告)号：CN105359283A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480037631.9

申请日：2014-06-09

Applicant: 勒克斯维科技公司

Inventor： 胡馨华 ,  K·K·C·常 ,  A·比布尔

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L23/00 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于稳定微型器件阵列的方法和结构。稳定层包括稳定腔阵列和稳定柱阵列。每个稳定腔包括围绕稳定柱的侧壁。微型器件阵列位于稳定柱阵列上。微型器件阵列中的每个微型器件包括底表面，该底表面比底表面正下方的对应稳定柱宽。

公开(公告)号：CN104106149A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201280067293.4

申请日：2012-11-08

Applicant: 勒克斯维科技公司

Inventor： 胡馨华 ,  A·拜布尔 ,  J·A·希金森 ,  H-F·S·劳

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L25/0753 ,  H01L2924/00

Abstract: 描述一种制作微器件和微器件阵列并且向接收基板传送微器件和微器件阵列的方法。在一个实施例中，在蚀刻p-n二极管层以形成多个微p-n二极管期间利用电绝缘层作为蚀刻停止层。在一个实施例中，在形成并且向接收基板传送微器件期间利用导电中间键合层。

公开(公告)号：CN104054167A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201280067417.9

申请日：2012-11-07

Applicant: 勒克斯维科技公司

Inventor： A·拜布尔 ,  J·A·希金森 ,  H-F·S·劳 ,  胡馨华

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/677 ,  H05K13/04

CPC classification number: H01L24/83 ,  B32B37/025 ,  B32B37/06 ,  B32B2457/20 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6833 ,  H01L24/75 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1707 ,  Y10T156/1744 ,  Y10T156/1749 ,  Y10T156/1776 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种微器件传送头和头阵列。在实施例中，微器件传送头包括基底衬底、具有侧壁的台面结构、在台面结构之上形成的电极、以及覆盖电极的介电层。能够向微器件传送头和头阵列施加电压以从载体衬底拾起微器件并且将微器件释放到接收衬底上。

公开(公告)号：CN105814698A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480065438.6

申请日：2014-11-25

Applicant: 勒克斯维科技公司

Inventor： K·麦格罗迪 ,  胡馨华 ,  A·比布尔 ,  C·K·T·钱 ,  D·A·黑格尔

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/145 ,  G09G3/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/016 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0016 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/82203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于形成LED器件阵列的方法和结构。根据本发明的实施方案的LED器件可以包括内部限制电流注入区域，以减少由于边缘效应导致的非辐射复合。用于限制电流的几种方式可以包括蚀刻移除电流分布层、蚀刻移除电流分布层和有源层，之后进行台面再生长、通过离子植入或扩散进行隔离、量子阱混杂以及氧化物隔离。

公开(公告)号：CN104350613A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380027821.8

申请日：2013-04-12

Applicant: 勒克斯维科技公司

Inventor： 胡馨华 ,  A·拜布尔

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了一种制造微型器件和微型器件阵列并向接收衬底转移的方法。在一个实施例中，利用图案化牺牲层形成自对准金属化堆栈并在蚀刻p-n二极管层期间将图案化牺牲层用作蚀刻停止层以形成多个微型p-n二极管。