公开(公告)号：CN105684166A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480051188.0

申请日：2014-08-25

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  东丽株式会社

Inventor： 青田奈津子 ,  会田英雄 ,  木村丰 ,  诹访充史 ,  鸭川政雄

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明提供一种基板及其制造方法、发光元件及其制造方法、以及具有该基板或发光元件的装置，该基板在表面上具有所希望的图案，即使无光阻膜仍可形成图案，从而可实现伴随工序数量的消减以及工序数量的消减的低成本化。准备平坦的基板，在基板面上形成含有感光剂的电介质，且图案形成电介质，通过在基板面上形成所希望的图案的电介质，可得到在平坦的基板面上具有由岛状凸部构成的图案，且凸部由电介质构成的基板。

公开(公告)号：CN104220650A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380019173.1

申请日：2013-05-08

Applicant: 并木精密宝石株式会社

Inventor： 会田英雄 ,  西口健吾 ,  小山浩司 ,  池尻宪次朗 ,  中村元一

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/24

CPC classification number: C01G15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B15/34 ,  C30B29/16 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供能够提高发光效率的氧化镓单晶和氧化镓单晶衬底；氧化镓单晶(13)的位错密度为3.5×106个/cm2以下；氧化镓单晶(13)是利用EFG法而制造；另外，EFG法的晶种接触温度为1930℃以上且1950℃以下；氧化镓单晶(13)的晶颈部(13a)的直径为0.8mm以下；氧化镓单晶衬底(21)由氧化镓单晶(13)构成。

公开(公告)号：CN103548158A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024069.7

申请日：2012-04-03

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  武田秀俊 ,  本庄庆司 ,  星野仁志

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的发光元件的制造方法以及使用该方法制造的发光元件，在制造发光元件时，不会因为形成设置于单晶衬底上的纵孔而对发光元件层造成损坏；在该发光元件的制造方法中，经过下述工序来制造发光元件(80)，该工序是指：在发光元件用单晶衬底(30A)的一面(32T)上形成发光元件层(40)；接着，对发光元件用单晶衬底(30A)的另一面(32B)进行研磨，直到成为纵孔(34A)沿厚度方向贯穿发光元件用单晶衬底(30A)的状态为止；接着，通过从纵孔(34B)的另一面(32B)的开口部(36B)侧向纵孔(34B)内填充导电性材料，从而形成从发光元件层(40)侧延续至另一面(32B)的开口部(36B)为止的导电部(50)。

公开(公告)号：CN102763192A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180008801.7

申请日：2011-03-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  浜元友三郎 ,  本庄庆司

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  C30B33/04 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691

Abstract: 本发明提供在从外延生长用衬底分离后消除了晶轴角度的偏差的结晶性膜、通过设有该结晶性膜而改善了特性的各种器件、以及结晶性膜和器件的制造方法；在作为外延生长用衬底的单晶衬底的面上通过外延生长形成厚度为300μm以上10mm以下的结晶性膜，接着，将结晶性膜从单晶衬底分离，对于分离后产生翘曲的结晶性膜的厚度方向的相对位置，在将翘曲成凹状侧的面假设为0％、翘曲成凸状侧的面假设为100％时，将脉冲激光汇聚在厚度方向的3％以上且小于50％的范围内的结晶性膜内部并进行扫描，从而利用基于脉冲激光的多光子吸收来形成改性区域图形，由此减少或消除结晶性膜的翘曲量，从而减少或消除晶轴角度的偏差。

公开(公告)号：CN102763192B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180008801.7

申请日：2011-03-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  浜元友三郎 ,  本庄庆司

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  C30B33/04 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691

Abstract: 本发明提供在从外延生长用衬底分离后消除了晶轴角度的偏差的结晶性膜、通过设有该结晶性膜而改善了特性的各种器件、以及结晶性膜和器件的制造方法；在作为外延生长用衬底的单晶衬底的面上通过外延生长形成厚度为300μm以上10mm以下的结晶性膜，接着，将结晶性膜从单晶衬底分离，对于分离后产生翘曲的结晶性膜的厚度方向的相对位置，在将翘曲成凹状侧的面假设为0％、翘曲成凸状侧的面假设为100％时，将脉冲激光汇聚在厚度方向的3％以上且小于50％的范围内的结晶性膜内部并进行扫描，从而利用基于脉冲激光的多光子吸收来形成改性区域图形，由此减少或消除结晶性膜的翘曲量，从而减少或消除晶轴角度的偏差。

公开(公告)号：CN105026625A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480007176.8

申请日：2014-02-06

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  池尻宪次朗 ,  金圣祐 ,  小山浩司 ,  武田秀俊 ,  植木笃

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 【课题】本发明提供无需复杂的工序便能够简单地以低成本且高成品率地制造由位错密度分布实质上均匀的GaN晶体构成的GaN衬底这一技术；【解决方法】对单晶衬底的内部照射激光而在单晶衬底的内部形成非晶质部分，接着，在单晶衬底的一面上形成GaN晶体，从而制造GaN衬底；所制造的GaN衬底的整个表面上的位错密度的分布呈实质上均匀；由相对于单晶衬底的平面方向呈直线状的多个图形形成非晶质部分，在各图形间的间距为0.5mm时，非晶质部分的总体积相对于单晶衬底的体积所占的体积比为0.10％或0.20％，在各图形间的间距为1.0mm时，非晶质部分的总体积相对于单晶衬底的体积所占的体积比为0.05％或0.10％。

公开(公告)号：CN102272891A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200980154399.6

申请日：2009-12-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志

IPC: H01L21/20 ,  B23K26/00 ,  C23C16/02 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/20 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  C30B33/04 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明提供蓝宝石衬底和使用其制造的氮化物半导体层成膜体、氮化物半导体器件、氮化物半导体块状衬底以及它们的制造方法，蓝宝石衬底主要是氮化物半导体层的外延生长用蓝宝石衬底，能够有效地精密地控制衬底的翘曲形状和/或翘曲量，且能够抑制成膜中产生的衬底的翘曲从而减小衬底的翘曲行为；在蓝宝石衬底的内部，透过上述蓝宝石衬底的磨光面侧而将脉冲激光会聚并进行扫描，从而利用基于上述脉冲激光的多光子吸收形成改性区域图形，而控制蓝宝石衬底的翘曲形状和/或翘曲量；使用通过本发明得到的蓝宝石衬底形成氮化物半导体层的话，由于能够抑制成膜中的衬底的翘曲而减小衬底的翘曲行为，因此膜的质量和均匀性提高，从而能够提高氮化物半导体器件的质量和成品率。

公开(公告)号：CN105579624A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480053428.0

申请日：2014-09-25

Applicant: 并木精密宝石株式会社

Inventor： 会田英雄 ,  小山浩司 ,  池尻宪次朗 ,  金圣祐

IPC: C30B29/04 ,  C23C16/27

CPC classification number: C30B25/18 ,  C23C16/01 ,  C23C16/274 ,  C30B25/105 ,  C30B29/04 ,  C30B33/02

Abstract: 提供直径2英寸以上的大型的金刚石基板。此外，提供能够制造直径2英寸以上的大型的金刚石基板的金刚石基板的制造方法。准备基底基板，在该基底基板的单面上形成多个由金刚石单晶体构成的柱状金刚石，使金刚石单晶体从各柱状金刚石的末端生长，使从各柱状金刚石的末端生长出的各金刚石单晶体聚结而形成金刚石基板层，将金刚石基板层从基底基板分离，由金刚石基板层制造金刚石基板，由此，由金刚石单晶体形成金刚石基板，金刚石基板的平面方向的形状形成为圆形或者设置有定向平面的圆形，且直径为2英寸以上。

公开(公告)号：CN102770940B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180009701.6

申请日：2011-03-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  浜元友三郎 ,  本庄庆司

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/20 ,  C30B33/02 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L23/564 ,  C30B29/20 ,  C30B33/02 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L29/045 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供的带多层膜的单晶衬底、带多层膜的单晶衬底的制造方法以及使用该制造方法的元件制造方法，对因多层膜的成膜而产生的翘曲进行矫正；该带多层膜的单晶衬底，包括单晶衬底(20)和形成于单晶衬底(20)一面上的具有两个以上的层且具有压缩应力的多层膜(30)，并且，在单晶衬底(20)的厚度方向上将单晶衬底(20)进行二等分而得到的两个区域(20U、20D)中，至少在单晶衬底(20)的与形成有多层膜(30)的面侧为相反侧的面侧的区域(20D)内设有热改性层(22)。

公开(公告)号：CN102753737A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180009519.0

申请日：2011-03-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  浜元友三郎 ,  本庄庆司

IPC: C30B29/20 ,  B23K26/40 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B33/04 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L31/184 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供具有任意的翘曲形状和/或翘曲量的外延生长用内部改性衬底、使用该外延生长用内部改性衬底的带多层膜的内部改性衬底、半导体器件及半导体块状衬底、以及它们的制造方法；该外延生长用内部改性衬底包含单晶衬底和通过对单晶衬底进行激光照射而形成于该单晶衬底的内部的热改性层而构成。