公开(公告)号：CN1323441C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN02803113.X

申请日：2002-10-11

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 泉野训宏 ,  松本公树 ,  长滨慎一 ,  佐野雅彦 ,  柳本友弥 ,  坂本惠司

IPC: H01L33/00 ,  F21V5/04 ,  F21V9/16

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/29 ,  H01L33/32 ,  H01L33/483 ,  H01L33/501 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光装置，包括：配置在支承体(105)上的发光元件(101)、和将吸收该发光元件(101)发出的光并进行波长转换而发光的荧光体、覆盖在发光元件(101)表面的涂敷层(108和109)。所述涂敷层(108和109)，由至少含有选自Si、Al、Ga、Ti、Ge、P、B、Zr、Y、Sn、Pb、或碱土类金属一组中的一种以上元素的氧化物和氢氧化物的无机材料构成。另外，粘接层(110)也由与涂敷层(108和109)相同的无机材料构成。

公开(公告)号：CN1290153C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03146603.6

申请日：2003-07-07

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 长滨慎一 ,  佐野雅彦 ,  柳本友弥 ,  坂本惠司 ,  山本正司 ,  森田大介

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L21/76251 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/483 ,  H01L33/508 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种具有相对向结构的氮化物半导体元件及其制造方法。在具有两个相对向的主面并具有比所述的n型和p型氮化物半导体层更大热膨胀系数的生长用基板的一个主面上，至少使n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层生长而形成结合用层叠体，然后，在p型氮化物半导体层上设置一层以上金属层而形成的第一结合层，同时在具有两个相对向的主面、比所述的n型和p型氮化物半导体层大且与所述的生长用基板具有同样小的热膨胀系数的基板的一个主面上设置由一层以上金属层形成的第二结合层，接着使第一结合层与第二结合层相对向，将结合用层叠体和支持基板热压结合，之后从结合用层叠体除去生长用基板，得到氮化物半导体元件。

公开(公告)号：CN1236535C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN02803502.X

申请日：2002-11-05

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 柳本友弥

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/305 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3409 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，含有具有量子阱结构的活性层，该活性层含有阱层和阻挡层并且由第一导电型层与第二导电型层夹持，其特征在于，在所述活性层内至少夹持一层阱层，在所述第一导电型层侧设置第一阻挡层，在所述第二导电型层侧设置第二阻挡层，同时，第二阻挡层的带隙能量小于第一阻挡层，阻挡层为非对称。更优选通过在第二到导电型层内设置带隙能量大于第一阻挡层的载流子束缚层，在夹持活性层的各导电型层上设置与活性层的非对称结构相反的频带结构。由此，在所得的半导体元件、尤其是利用氮化物半导体的发光元件、激光元件中，可以实现在380nm或以下波长区域内发光效率优良的活性层以及元件结构。

公开(公告)号：CN1528037A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN02807309.6

申请日：2002-03-28

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 长滨慎一 ,  柳本友弥

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00 ,  H01L31/04 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L21/0237 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333 ,  H01S2302/00

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体元件，其在第一导电型层与第二导电型层之间具有活性层12，其采用量子井结构，其中活性层12具有至少一层由含有In与Al的氮化物半导体形成的井层11及由含有Al的氮化物半导体形成的壁垒层2，通过此可得在短波长区发光效率优异的激光元件。特佳的是，该井层1由AlxInyGa1－x－yN(0＜x≤1＜0＜y≤1，x+y＜1)形成而该壁垒层2由AluInvGa1－u－vN(0＜u≤1，0≤v≤1，u+v＜1)形成。实施该发光元件以得在发光区中短波长光线为380nm的优异效率。

公开(公告)号：CN1484880A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN02803502.X

申请日：2002-11-05

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 柳本友弥

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/305 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3409 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，含有具有量子阱结构的活性层，该活性层含有阱层和阻挡层并且由第一导电型层与第二导电型层夹持，其特征在于，在所述活性层内至少夹持一层阱层，在所述第一导电型层侧设置第一阻挡层，在所述第二导电型层侧设置第二阻挡层，同时，第二阻挡层的带隙能量小于第一阻挡层，阻挡层为非对称。更优选通过在第二到导电型层内设置带隙能量大于第一阻挡层的载流子束缚层，在夹持活性层的各导电型层上设置与活性层的非对称结构相反的频带结构。由此，在所得的半导体元件、尤其是利用氮化物半导体的发光元件、激光元件中，可以实现在380nm或以下波长区域内发光效率优良的活性层以及元件结构。

公开(公告)号：CN100379105C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410062825.2

申请日：2004-06-25

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 松村拓明 ,  柳本友弥

IPC: H01S5/223 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/223 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341

Abstract: (A)在由氮化镓系化合物半导体构成的活性层p侧或n侧，形成：(a)由含有 Al ，而且 Al 比率小于电流狭窄层(30)的氮化镓系化合物半导体构成的第1半导体层(22)、(b)在第1半导体层(22)上形成的，由 Al 比率小于第1半导体层(22)的氮化镓系化合物半导体构成的第2半导体层(24)、和(c)由 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤0.1，0.5≤y≤1，0.5≤x+y≤1)构成，并具有条状开口部的电流狭窄层；(B)通过蚀刻去除，从电流狭窄层(30)的开口部(32)中除去第2半导体层(24)。

公开(公告)号：CN1254869C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN02807309.6

申请日：2002-03-28

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 长滨慎一 ,  柳本友弥

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01L31/04 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L21/0237 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333 ,  H01S2302/00

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体元件，其在第一导电型层与第二导电型层之间具有活性层(12)其采用量子井结构，其中活性层(12)具有至少一层由含有In与Al的氮化物半导体形成的井层(11)及由含有Al的氮化物半导体形成的壁垒层(2)，通过此可得在短波长区发光效率优异的激光元件。特佳的是，该井层(1)由AlxInyGa1-x-yN(0＜x≤1＜0＜y≤1，x+y＜1)形成而该壁垒层(2)由AluInvGa1-u-vN(0＜u≤1，0≤v≤1，u+v＜1)形成。实施该发光元件以得在发光区中短波长光线为380nm的优异效率。

公开(公告)号：CN1578029A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062825.2

申请日：2004-06-25

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 松村拓明 ,  柳本友弥

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/223 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341

Abstract: (A)在由氮化镓系化合物半导体构成的活性层p侧或n侧，形成：(a)由含有Al，而且Al比率小于电流狭窄层(30)的氮化镓系化合物半导体构成的第1半导体层(22)、(b)在第1半导体层(22)上形成的，由Al比率小于第1半导体层(22)的氮化镓系化合物半导体构成的第2半导体层(24)、和(c)由InxAlyGa1－x－yN(0≤x≤0.1，0.5≤y≤1，0.5≤x+y≤1)构成，并具有条状开口部的电流狭窄层；(B)通过蚀刻去除，从电流狭窄层(30)的开口部(32)中除去第2半导体层(24)。

公开(公告)号：CN1476640A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN02803113.X

申请日：2002-10-11

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 泉野训宏 ,  松本公树 ,  长滨慎一 ,  佐野雅彦 ,  柳本友弥 ,  坂本惠司

IPC: H01L33/00 ,  F21V5/04 ,  F21V9/16

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/29 ,  H01L33/32 ,  H01L33/483 ,  H01L33/501 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光装置，包括：配置在支承体(105)上的发光元件(101)、和将吸收该发光元件(101)发出的光并进行波长转换而发光的荧光体、覆盖在发光元件(101)表面的涂敷层(108和109)。所述涂敷层(108和109)，由至少含有选自Si、Al、Ga、Ti、Ge、P、B、Zr、Y、Sn、Pb、或碱土类金属一组中的一种以上元素的氧化物和氢氧化物的无机材料构成。另外，粘接层(110)也由与涂敷层(108和109)相同的无机材料构成。

公开(公告)号：CN1476050A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03146603.6

申请日：2003-07-07

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 长滨慎一 ,  佐野雅彦 ,  柳本友弥 ,  坂本惠司 ,  山本正司 ,  森田大介

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L21/76251 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/483 ,  H01L33/508 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种具有相对向结构的氮化物半导体元件及其制造方法。在具有两个相对向的主面并具有比所述的n型和p型氮化物半导体层更大热膨胀系数的生长用基板的一个主面上，至少使n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层生长而形成结合用层叠体，然后，在p型氮化物半导体层上设置一层以上金属层而形成的第一结合层，同时在具有两个相对向的主面、比所述的n型和p型氮化物半导体层大且与所述的生长用基板具有同样小的热膨胀系数的基板的一个主面上设置由一层以上金属层形成的第二结合层，接着使第一结合层与第二结合层相对向，将结合用层叠体和支持基板热压结合，之后从结合用层叠体除去生长用基板，得到氮化物半导体元件。