公开(公告)号：CN103460388A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280016150.0

申请日：2012-09-04

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

发明人： 宫原真一朗 ,  山本敏雅 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

摘要： 一种碳化硅半导体器件的制造方法，包括：在碳化硅衬底(1)上形成漂移层(2)；在所述漂移层(2)的表面部分上或表面部分中形成基极层(3)；在所述基极层(3)的表面部分中形成源极区(4)；形成沟槽(6)，以穿透所述基极层(3)并且到达所述漂移层(2)；在所述沟槽(6)中的所述栅极绝缘膜(7)上形成栅极电极(8)；形成电连接至所述源极区(4)和所述基极层(3)的源极电极(9)；以及在所述衬底(1)的背侧表面上形成漏极电极(11)。形成所述沟槽(6)包括：对衬底表面进行平坦化，并且在平坦化之后蚀刻以形成所述沟槽(6)。

公开(公告)号：CN106165103A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580018706.3

申请日：2015-02-10

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  山本敏雅 ,  副岛成雅

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

摘要： 提供一种能实现更高耐压的半导体器件及其制造方法。所提供的半导体器件具有：p型的第四区，其与栅极沟槽的下端相接；终端沟槽，其在第二区的外侧形成于半导体基板的表面；p型的下端p型区，其与终端沟槽的下端相接；p型的侧面p型区，其与终端沟槽的外周侧的侧面相接，且与下端p型区相连，并在半导体基板的表面露出；p型的多个保护环区，其形成于比侧面p型区靠外周侧处，且在表面露出。

公开(公告)号：CN105580139A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480052481.9

申请日：2014-09-22

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 斋藤顺 ,  青井佐智子 ,  渡边行彦 ,  山本敏雅

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 一种半导体装置(10)，包括半导体基板(11)。该半导体基板的元件区域(12)包括具有第一导电类型的第一体区域(36a)，具有第二导电类型的第一漂移区(32a)，以及多个第一浮动区域(34)，各所述第一浮动区域具有所述第一导电类型。终端区域包括具有所述第二导电类型的第二漂移区(32b)，以及多个第二浮动区域(37)，各所述第二浮动区域具有所述第一导电类型。各所述第二浮动区域被所述第二漂移区所围绕。当第一漂移区的中心的深度被看作参考深度时，至少一个第二浮动区域被配置成比每个第一浮动区域更接近于所述参考深度。

公开(公告)号：CN103975440A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280060472.5

申请日：2012-12-06

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 添野明高 ,  山本敏雅 ,  渡辺行彦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513

摘要： 一种垂直MOSFET，其包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括漏极层、漂移层、主体层和源极层；以及沟槽栅极，其从所述半导体衬底的上表面穿透所述源极层和所述主体层并且到达所述漂移层。所述沟槽栅极包括栅电极；第一绝缘膜，其布置于形成在所述半导体衬底中的沟槽的底表面上；第二绝缘膜，其至少布置在所述沟槽的侧表面上，并且与所述主体层接触；以及第三绝缘膜，其布置在所述栅电极和所述第二绝缘膜之间，并且由介电常数比所述第二绝缘膜的介电常数高的材料形成。

公开(公告)号：CN106165103B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201580018706.3

申请日：2015-02-10

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  山本敏雅 ,  副岛成雅

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

摘要： 提供一种能实现更高耐压的半导体器件及其制造方法。所提供的半导体器件具有：p型的第四区，其与栅极沟槽的下端相接；终端沟槽，其在第二区的外侧形成于半导体基板的表面；p型的下端p型区，其与终端沟槽的下端相接；p型的侧面p型区，其与终端沟槽的外周侧的侧面相接，且与下端p型区相连，并在半导体基板的表面露出；p型的多个保护环区，其形成于比侧面p型区靠外周侧处，且在表面露出。

公开(公告)号：CN104718624B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201380041833.6

申请日：2013-08-06

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

发明人： 森本淳 ,  宫原真一朗 ,  山本敏雅 ,  副岛成雅 ,  渡边行彦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/66734 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

摘要： 在具备具有沟槽栅结构(9)的纵型开关元件的碳化硅半导体装置的制造方法中，使用相对于(0001)面或(000－1)面具有偏轴角的衬底(1)，以使沟槽(6)的侧壁面朝向(11－20)面或(1－100)面的方式，将沟槽(6)从源区(4)的表面形成到将基区(3)贯通并到达漂移层(2)的深度，在上述沟槽(6)的形成后不进行牺牲氧化，形成栅氧化膜(7)。

公开(公告)号：CN106463523A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580018795.1

申请日：2015-02-10

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 斋藤顺 ,  池田知治 ,  庄司智幸 ,  山本敏雅

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置，其具有半导体基板、表面电极、以及背面电极，并且对表面电极与背面电极之间进行开关，且该绝缘栅型半导体装置具有：第一外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上；第二外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上，并与第一外周沟槽相比而较深；第二导电型的第五区域，其露出于第一外周沟槽的底面上；第二导电型的第六区域，其露出于第二外周沟槽的底面上，且表面侧的端部与第五区域的背面侧的端部相比而位于背面侧；第一导电型的第七区域，其使第五区域与第六区域分离。

公开(公告)号：CN102403338B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110281178.4

申请日：2011-09-14

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

发明人： 山本敏雅 ,  杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  森本淳 ,  副岛成雅 ,  石川刚 ,  渡边行彦

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068

摘要： 一种SiC半导体器件，包括：按下述顺序堆叠的衬底(1)、漂移层(2)和基极区(3)；第一和第二源极区(4a，4b)和基极区中的接触层(5)；穿透所述源极和基极区的沟槽(6)；沟槽中的栅电极(8)；覆盖栅电极，具有接触孔的层间绝缘膜(10)；经由所述接触孔与所述源极区和所述接触层耦合的源电极(9)；衬底上的漏电极(11)；以及金属硅化物膜(30)。高浓度的第二源极区比低浓度的第一源极区更浅，且高浓度的第二源极区具有被层间绝缘膜覆盖的部分，该部分包括表面附近的低浓度的第一部以及比第一部深的高浓度的第二部。第二部上的金属硅化物膜的厚度大于第一部上的金属硅化物膜的厚度。

公开(公告)号：CN103460388B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201280016150.0

申请日：2012-09-04

申请人： 株式会社电装

发明人： 宫原真一朗 ,  山本敏雅 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

摘要： 一种碳化硅半导体器件的制造方法，包括：在碳化硅衬底(1)上形成漂移层(2)；在所述漂移层(2)的表面部分上或表面部分中形成基极层(4)；形成沟槽(6)，以穿透所述基极层(3)并且到达所述漂移层(2)；在所述沟槽(6)中的所述栅极绝缘膜(7)上形成栅极电极(8)；形成电连接至所述源极区(4)和所述基极层(3)的源极电极(9)；以及在所述衬底(1)的背侧表面上形成漏极电极(11)。形成所述沟槽(6)包括：对衬底表面进行平坦化，并且在平坦化之后蚀刻以形成所述沟槽(6)。(3)；在所述基极层(3)的表面部分中形成源极区

公开(公告)号：CN104718624A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380041833.6

申请日：2013-08-06

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

发明人： 森本淳 ,  宫原真一朗 ,  山本敏雅 ,  副岛成雅 ,  渡边行彦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/66734 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

摘要： 在具备具有沟槽栅结构(9)的纵型开关元件的碳化硅半导体装置的制造方法中，使用相对于(0001)面或(000－1)具有偏轴角的衬底(1)，将沟槽(6)从源区(4)的表面形成到将基区(3)贯通并到达漂移层(2)的深度以使沟槽(6)的侧壁面朝向(11－20)面或(1－100)面，在上述沟槽(6)的形成后不进行牺牲氧化，形成栅氧化膜(7)。