公开(公告)号：CN109273444B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201810948208.4

申请日：2014-07-22

申请人： 美光科技公司

发明人： 卡迈勒·M·考尔道 ,  钱德拉·穆利 ,  古尔特杰·S·桑胡

IPC分类号： H10B53/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  H10B43/27 ,  H10B51/00 ,  H10B51/20 ,  H10B51/30 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  G11C11/22

摘要： 本发明揭示一种存储器单元阵列，其中个别所述存储器单元包括包括隔离芯的垂直铁电场效晶体管构造。过渡金属二硫属化物材料围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度。铁电栅极电介质材料围绕所述过渡金属二硫属化物材料。导电栅极材料围绕所述铁电栅极电介质材料。所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸。导电接触件直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁，所述过渡金属二硫属化物材料为：a)从所述导电栅极材料立面向内，或b)从所述导电栅极材料立面向外。本发明还揭示额外实施例。

公开(公告)号：CN105981177B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201480075413.4

申请日：2014-12-03

申请人： 美光科技公司

发明人： 卡迈勒·M·考尔道 ,  钱德拉·穆利 ,  古尔特杰·S·桑胡

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明揭示一种晶体管，在一些实施例中，其包含具有底部源极/漏极区、第一绝缘材料、导电栅极、第二绝缘材料及顶部源极/漏极区的堆叠。所述堆叠具有垂直侧壁，其具有沿着所述底部源极/漏极区的底部部分，沿着所述导电栅极的中间部分，以及沿着所述顶部源极/漏极区的顶部部分。第三绝缘材料沿着所述垂直侧壁的所述中间部分。沟道区材料沿着所述第三绝缘材料。所述沟道区材料直接抵靠所述垂直侧壁的所述顶部部分及所述底部部分。所述沟道区材料具有处在从大于约到小于或等于约的范围内的厚度；及/或具有从1单分子层到7单分子层的厚度。

公开(公告)号：CN103339728B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280007365.6

申请日：2012-02-01

申请人： 美光科技公司

发明人： 刘海涛 ,  李健 ,  钱德拉·穆利

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： G11C16/14 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/1158 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/7926

摘要： 本发明涉及存储器装置，其展示为包含主体区域及连接区域，所述连接区域由具有低于所述主体区域的带隙的半导体形成。连接区域配置可在擦除操作期间提供增加的栅极诱发的漏极泄漏。所展示的配置可将可靠偏压提供到主体区域以用于例如擦除的存储器操作，且在升压操作期间使电荷容纳在所述主体区域中。

公开(公告)号：CN102037561B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980118161.8

申请日：2009-04-29

申请人： 美光科技公司

发明人： 钱德拉·穆利

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L45/145 ,  G11C11/02 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： 一些实施例包含存储器单元，所述存储器单元包含存储器组件，所述存储器组件具有：第一导电材料；第二导电材料；及氧化物材料，其位于所述第一导电材料与所述第二导电材料之间。所述存储器组件的电阻可经由从所述第一导电材料穿过所述氧化物材料传导到所述第二导电材料的电流来配置。其它实施例包含包括金属及电介质材料的二极管以及与所述二极管串联连接的存储器组件。所述存储器组件包含磁阻材料且具有可经由经传导穿过所述二极管及所述磁阻材料的电流改变的电阻。

公开(公告)号：CN101300665B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200680040892.1

申请日：2006-09-26

申请人： 美光科技公司

发明人： 钱德拉·穆利

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/74 ,  H01L27/1027 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66363

摘要： 本发明揭示一种经改善的基于隐藏式晶闸管的存储器单元。在一个实施例中，所述所揭示单元包含隐藏在衬底的体中的导电插塞，所述导电插塞耦合到或包含所述单元的启用栅极。垂直设置在所述隐藏式栅极周围的是晶闸管，其阳极(源极；p型区)连接到位线，且阴极(漏极；n型区)连接到字线。除隐藏式启用栅极以外，所述所揭示单元不再包含例如存取晶体管等其它栅极，且因此其实质上是一个晶体管装置。因此，并且由于晶闸管的垂直设置所提供的便利，当与传统DRAM单元比较时，所述所揭示单元在集成电路上占据少量面积。此外，在其各实施例中，所述所揭示单元制造简单，并易于配置成一单元阵列。尽管并非在所有有用的实施例中都需要，但在所述单元下面进行隔离有助于改善所述单元的数据保持，并延长单元刷新之间所需的时间。

公开(公告)号：CN101223648A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200680026052.X

申请日：2006-05-26

申请人： 美光科技公司

发明人： 钱德拉·穆利

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC分类号： H01L31/02165 ,  B82Y20/00 ,  G02B1/005 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/148 ,  H01L31/02162 ,  Y10S977/954

摘要： 本发明提供一种图像传感器和一种形成图像传感器的方法。所述图像传感器包含位于衬底表面处的像素单元阵列(100)。每一像素单元具有光转换装置(12)。在所述像素单元中的至少一者上提供包含光子晶体结构的至少一个微机电系统(MEMS)元件(330)。所述基于MEMS的光子晶体元件(330)由支撑结构(7)支撑，且经配置以在施加电压时选择性地允许电磁波长到达所述光转换装置。由此，本发明的基于MEMS的光子晶体元件可取代或补充常规滤光片，例如，彩色滤光片阵列。

公开(公告)号：CN106463538A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580021287.9

申请日：2015-04-24

申请人： 美光科技公司

发明人： 卡迈勒·M·考尔道 ,  钱德拉·穆利 ,  杜赖·维沙克·尼马尔·拉马斯瓦 ,  米 ,  F·丹尼尔·吉利

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明揭示一种场效应晶体管构造，其包含半导电沟道核心。源极/漏极区域在所述沟道核心的对置端处。栅极接近所述沟道核心的外围。栅极绝缘体在所述栅极与所述沟道核心之间。所述栅极绝缘体具有径向穿过其的局部区域，所述局部区域在相对于所述沟道核心外围的不同圆周位置处具有不同电容。本发明揭示额外构造和方法。

公开(公告)号：CN105453267A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044580.2

申请日：2014-07-22

申请人： 美光科技公司

发明人： 卡迈勒·M·考尔道 ,  钱德拉·穆利 ,  古尔特杰·S·桑胡

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11597 ,  G11C11/22 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/28291 ,  H01L27/11514 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/516 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78681 ,  H01L2029/42388

摘要： 本发明揭示一种包括隔离芯的垂直铁电场效晶体管构造。过渡金属二硫属化物材料围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度。铁电栅极电介质材料围绕所述过渡金属二硫属化物材料。导电栅极材料围绕所述铁电栅极电介质材料。所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸。导电接触件直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁，所述过渡金属二硫属化物材料为：a)从所述导电栅极材料立面向内，或b)从所述导电栅极材料立面向外。本发明还揭示额外实施例。

公开(公告)号：CN102339856B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201110296045.4

申请日：2006-09-26

申请人： 美光科技公司

发明人： 钱德拉·穆利

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L27/102 ,  H01L21/332 ,  H01L21/8229

CPC分类号： H01L29/74 ,  H01L27/1027 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66363

摘要： 本发明揭示一种经改善的基于隐藏式晶闸管的存储器单元。在一个实施例中，所述所揭示单元包含隐藏在衬底的体中的导电插塞，所述导电插塞耦合到或包含所述单元的启用栅极。垂直设置在所述隐藏式栅极周围的是晶闸管，其阳极(源极；p型区)连接到位线，且阴极(漏极；n型区)连接到字线。除隐藏式启用栅极以外，所述所揭示单元不再包含例如存取晶体管等其它栅极，且因此其实质上是一个晶体管装置。因此，并且由于晶闸管的垂直设置所提供的便利，当与传统DRAM单元比较时，所述所揭示单元在集成电路上占据少量面积。此外，在其各实施例中，所述所揭示单元制造简单，并易于配置成一单元阵列。

公开(公告)号：CN102246312B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN200980149820.4

申请日：2009-11-19

申请人： 美光科技公司

发明人： 钱德拉·穆利

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/337 ,  H01L27/06 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L27/098 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/385 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/8086

摘要： 根据本发明技术，提供一种JFET装置结构及其制作方法。具体来说，提供包含具有源极(84)及漏极(86)的半导体衬底的晶体管(80)。所述晶体管(80)还包含形成于所述半导体衬底中所述源极(84)与所述漏极(86)之间的经掺杂沟道(88)，所述沟道(88)经配置以在所述源极(84)与所述漏极(86)之间传递电流。另外，所述晶体管(80)具有：栅极(90)，其包括形成于所述沟道(88)上方的半导体材料；及电介质间隔物(92)，其位于所述栅极(90)的每一侧上。所述源极(84)及所述漏极(86)在空间上与所述栅极(90)分离，使得所述栅极(90)不在所述漏极(86)及源极(84)上方。