公开(公告)号：CN105518858B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201480026806.6

申请日：2014-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 任纬伦 ,  P·贾殷 ,  D·塞纳维拉特纳 ,  C-M·陈

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 所公开的实施例包括用于半导体封装的多层衬底。衬底可以包括第一层，其具有第一侧面和第二侧面，所述第一侧面具有xy平面，并且所述第一侧面上的独立的位置具有在第一侧面xy平面之下的第一侧面距离，并且所述第二侧面具有第二侧面xy平面，并且所述第二侧面上的独立的位置可以具有在所述第二侧面xy平面之下的第二侧面距离；并且所述衬底包括第二层，其具有与所述第一层的所述第二侧面耦合的第一侧面以及与所述第二层的所述第一侧面相对的第二侧面，其中，所述第二层上的独立的位置处的所述第二层的厚度可以由所述第一侧面距离加上所述第二侧面距离组成。可以描述和/或要求其它实施例。

公开(公告)号：CN105431292A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201480003748.5

申请日：2014-07-11

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·利万德 ,  T·安徳留先科夫 ,  D·斯坦斯 ,  M·科布林斯基 ,  A·阿列克索夫 ,  D·塞纳维拉特纳 ,  J·索托冈萨雷斯 ,  S·皮耶塔姆巴拉姆 ,  R·伊斯拉姆

IPC: B32B27/08 ,  B23B5/16 ,  H05K1/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L23/4985 ,  B23B5/16 ,  B32B27/08 ,  B32B27/283 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/7265 ,  B32B2439/00 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/96 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15791 ,  H05K1/0283 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本文总体上论述了可以包括可拉伸并且可弯曲的器件的系统和方法。根据示例，方法可以包括(1)将第一弹性体材料沉积在面板上；(2)将迹线材料层压在所述弹性体材料上，(3)处理所述迹线材料以将所述迹线材料图案化成一个或多个迹线以及一个或多个接合焊盘，(4)将管芯附接到所述一个或多个接合焊盘，或者(5)将第二弹性体材料沉积在所述一个或多个迹线、所述接合焊盘以及所述管芯上和周围，以包封所述第一和第二弹性体材料中的所述一个或多个迹线以及所述一个或多个接合焊盘。

公开(公告)号：CN115939081A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210996911.9

申请日：2022-08-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： W·布雷克斯 ,  孔㛃莹 ,  B·F·安古奥 ,  J·王 ,  S·布莱思 ,  A·奥默 ,  D·塞纳维拉特纳

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  G02B6/42

Abstract: 本文所述的实施例可以涉及针对双面玻璃衬底的装置、工艺和技术，PIC混合接合到玻璃衬底的第一侧。管芯与玻璃衬底的与第一侧相对的第二侧耦合，PIC和管芯通过从玻璃衬底的第一侧延伸到玻璃衬底的第二侧的导电穿玻璃过孔电耦合。可以描述和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN105518858A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480026806.6

申请日：2014-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 任纬伦 ,  P·贾殷 ,  D·塞纳维拉特纳 ,  C-M·陈

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H05K1/0271 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/036 ,  H05K1/0393 ,  H05K1/115 ,  H05K1/181 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/0044 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/05 ,  H05K2203/0278 ,  H05K2203/085 ,  H01L2924/00

Abstract: 所公开的实施例包括用于半导体封装的多层衬底。衬底可以包括第一层，其具有第一侧面和第二侧面，所述第一侧面具有xy平面，并且所述第一侧面上的独立的位置具有在第一侧面xy平面之下的第一侧面距离，并且所述第二侧面具有第二侧面xy平面，并且所述第二侧面上的独立的位置可以具有在所述第二侧面xy平面之下的第二侧面距离；并且所述衬底包括第二层，其具有与所述第一层的所述第二侧面耦合的第一侧面以及与所述第二层的所述第一侧面相对的第二侧面，其中，所述第二层上的独立的位置处的所述第二层的厚度可以由所述第一侧面距离加上所述第二侧面距离组成。可以描述和/或要求其它实施例。

公开(公告)号：CN116344483A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211484827.5

申请日：2022-11-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 孔㛃莹 ,  B·F·安古奥 ,  D·塞纳维拉特纳 ,  W·M·布雷克斯 ,  J·D·埃克顿

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/488

Abstract: 一种系统包括集成到半导体集成电路衬底上的金属触点。金属触点具有接触表面以与穿过半导体电路衬底和金属触点上方的电介质层的迹线进行电接触。半导体电路可以包括将触点连接到封装焊盘的迹线，以使得能够外部访问来自半导体电路的信号。金属触点包括垂直延伸到接触表面之上的电介质层中的垂直凸缘。

公开(公告)号：CN114270507A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080058507.6

申请日：2020-06-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 孔㛃莹 ,  段刚 ,  S·皮耶塔姆巴拉姆 ,  P·郭 ,  D·塞纳维拉特纳

IPC: H01L23/498

Abstract: 本公开内容的实施例可以总体上涉及针对用于封装的制造工艺流程的系统、装置和/或工艺，该封装包括一个或多个玻璃层，该玻璃层包括封装内的图案化特征，例如导电迹线、RDL和过孔。在实施例中，封装可以包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的玻璃层，其中，玻璃层是电介质层。封装可以包括与玻璃层的第一侧耦接的另一层，以及在玻璃层的第二侧上的图案，以在图案的至少一部分中接收沉积材料。

公开(公告)号：CN105431292B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201480003748.5

申请日：2014-07-11

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·利万德 ,  T·安徳留先科夫 ,  D·斯坦斯 ,  M·科布林斯基 ,  A·阿列克索夫 ,  D·塞纳维拉特纳 ,  J·索托冈萨雷斯 ,  S·皮耶塔姆巴拉姆 ,  R·伊斯拉姆

IPC: B32B27/08 ,  B23B5/16 ,  H05K1/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L23/4985 ,  B23B5/16 ,  B32B27/08 ,  B32B27/283 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/7265 ,  B32B2439/00 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/96 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15791 ,  H05K1/0283 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本文总体上论述了可以包括可拉伸并且可弯曲的器件的系统和方法。根据示例，方法可以包括(1)将第一弹性体材料沉积在面板上；(2)将迹线材料层压在所述弹性体材料上，(3)处理所述迹线材料以将所述迹线材料图案化成一个或多个迹线以及一个或多个接合焊盘，(4)将管芯附接到所述一个或多个接合焊盘，或者(5)将第二弹性体材料沉积在所述一个或多个迹线、所述接合焊盘以及所述管芯上和周围，以包封所述第一和第二弹性体材料中的所述一个或多个迹线以及所述一个或多个接合焊盘。

公开(公告)号：CN107210260A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580074064.9

申请日：2015-02-16

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·C·马林 ,  T·格霍斯达斯蒂达 ,  Y·李 ,  D·塞纳维拉特纳

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H05K3/187 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H05K1/036 ,  H05K1/09 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/105 ,  H05K3/182 ,  H05K2201/09036

Abstract: 可以通过：形成包括具有散布在其中的金属化催化剂的电介质材料的微电子电介质层、在所述微电子电介质层上形成底漆层、以及穿过所述底漆层并且进入电介质材料层形成凹槽来制造内建层。在所述凹槽内，活化层可以形成在暴露的微电子电介质层中或上，其中，所述底漆层用作掩模。可以诸如利用无电镀工艺将金属层形成在所述活化层上。因此，金属层沉积的分辨率可以由用于形成所述凹槽的工艺精确地控制。