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公开(公告)号：CN106098666B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610213046.0
申请日：2016-04-07
申请人： 精材科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/4846 , H01L23/147 , H01L23/3121 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/16 , H01L2224/02372 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/0603 , H01L2224/06182 , H01L2224/08267 , H01L2224/08268 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/1403 , H01L2224/16112 , H01L2224/16145 , H01L2224/16267 , H01L2224/16268 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2924/00014 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/11 , H01L2924/014
摘要： 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含一第一晶片与一第二晶片。第一晶片包含：一第一基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；一第一无源元件，位于第一表面上；一第一保护层，覆盖第一无源元件，第一保护层还具有相对于该第一表面的一第三表面；以及一第一导电垫结构与一第二导电垫结构，位于第一保护层中，并电性连接至第一无源元件。第二晶片位于第三表面上，且具有一有源元件与一第二无源元件电性连接至有源元件，其中有源元件电性连接至第一导电垫结构。本发明不仅可节省大量的制程时间，且能降低已知电感元件的成本。
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公开(公告)号：CN105321888A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410441735.8
申请日：2014-09-01
申请人： 恒劲科技股份有限公司
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/16112 , H01L2224/16113 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2924/15153 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H05K1/0231 , H05K1/162 , H05K1/183 , H05K1/185 , H05K3/0032 , H05K3/0044 , H05K3/284 , H05K3/3431 , H05K3/4682 , H05K3/4697 , H05K2201/10 , H05K2201/10007 , H05K2201/10015 , H05K2201/1003 , H05K2201/10037 , H05K2201/10545 , Y10T29/49131 , H01L2924/014
摘要： 一种封装结构及其制法，该制法，先于一承载板上形成一第一线路层，且于该第一线路层上形成多个第一导电体，再以一第一绝缘层包覆该第一线路层与该多个第一导电体，接着于该第一绝缘层上形成一第二线路层，且于该第二线路层上形成多个第二导电体，再以一第二绝缘层包覆该第二线路层与该多个第二导电体，之后于该第二绝缘层形成至少一开口，以于该开口中设置至少一电子元件，所以通过先形成两绝缘层，再形成该开口，因而不需堆叠或压合已开口的基材，使该电子元件不会受压迫而位移，以减少良率损失。
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公开(公告)号：CN102254869A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010254697.7
申请日：2010-08-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/00
CPC分类号： H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/1146 , H01L2224/11464 , H01L2224/1148 , H01L2224/11849 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13575 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/1601 , H01L2224/16111 , H01L2224/16112 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16507 , H01L2224/81138 , H01L2224/81193 , H01L2924/00011 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H01L2924/3841 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2224/81805 , H01L2924/206
摘要： 本发明一实施例提供一种集成电路装置，包括：一第一工件，包括：一防焊层，位于该第一工件之上，其中该防焊层包括一防焊层开口；以及一接垫，位于该第一工件之上，且位于该防焊层开口之中；一第二工件，包括一不可回焊的金属凸块，位于该第二工件之上；以及一焊料凸块，将该不可回焊的金属凸块接合至该接垫，该焊料凸块的至少一部分位于该防焊层开口之中，且邻接该不可回焊的金属凸块及该接垫，其中该焊料凸块具有一高度，等于该不可回焊的金属凸块与该接垫之间的一距离，且其中该防焊层具有一厚度，大于该焊料凸块的该高度的50％。本发明可造成更均匀的焊料轮廓及较少的焊料破裂。
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公开(公告)号：CN108695264A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810312732.2
申请日：2018-04-09
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02206 , H01L2224/02215 , H01L2224/0345 , H01L2224/0362 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05014 , H01L2224/05022 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05186 , H01L2224/05555 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14131 , H01L2224/14133 , H01L2224/1601 , H01L2224/16013 , H01L2224/16058 , H01L2224/16112 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/1713 , H01L2224/73204 , H01L2224/81048 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/814 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/3512 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/0103 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/206 , H01L2924/207 , H01L2924/04941 , H01L2224/1146 , H01L2224/47 , H01L23/488 , H01L23/13
摘要： 本申请涉及半导体器件。旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括印刷电路板和安装在印刷电路板上方的半导体芯片。该半导体芯片包括焊盘、包括露出焊盘的一部分的开口的绝缘膜以及形成在从开口露出的焊盘上方的柱电极。印刷电路板包括端子和包括用于露出端子的一部分的开口的抗蚀剂层。半导体芯片的柱电极和印刷电路板的端子经由焊料层耦合。从绝缘膜的上表面测量柱电极的厚度h1。从抗蚀剂层的上表面测量焊料层的厚度h2。厚度h1大于或等于厚度h2的一半并且小于或等于厚度h2。
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公开(公告)号：CN107204300A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710156264.X
申请日：2017-03-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L24/81 , H01L24/09 , H01L24/16 , H01L24/85 , H01L25/50 , H01L2224/095 , H01L2224/16104 , H01L2224/16112 , H01L2224/16137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/49113 , H01L2224/4912 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L24/83 , H01L21/561 , H01L2224/838
摘要： 本发明的一个方面涉及一种用于制造芯片复合结构的方法。分别通过使导电的第一平衡片(21)与半导体芯片(1)的第一主电极(11)材料锁合地且导电地连接来制造两个或更多个芯片组件(2)。在所述芯片组件(2)之间的自由空间(211)中布置控制电极布线结构(70)。在所述控制电极布线结构(70)与各个芯片组件(2)的半导体芯片(1)的控制电极(13)之间建立导电连接。借助介电填料(4)使所述芯片组件(2)材料锁合地连接。
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公开(公告)号：CN106505060A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610121748.6
申请日：2016-03-03
申请人： 株式会社东芝
发明人： 渡边慎也
IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L25/18
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/76898 , H01L23/3157 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/16013 , H01L2224/16112 , H01L2224/16146 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81 , H01L2224/81191 , H01L2224/81986 , H01L2224/83191 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2924/0132 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/10253 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L25/18
摘要： 本发明的实施方式提供一种能够缩短将半导体芯片彼此积层的情况下的半导体芯片间的距离的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：衬底；第1电极，设置在所述衬底的上表面侧；以及第2电极，设置在所述衬底的下表面侧，且与所述第1电极电连接。所述装置还具备：第1光阻剂层，以包围所述第1电极的方式设置在所述衬底的所述上表面侧，且与所述第1电极隔开；以及第2光阻剂层，设置在所述衬底的所述下表面侧。
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公开(公告)号：CN105051895A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480015439.X
申请日：2014-03-01
申请人： 密克罗奇普技术公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/482 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/4952 , H01L23/3171 , H01L23/4824 , H01L23/4951 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/1148 , H01L2224/13014 , H01L2224/13021 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/1403 , H01L2224/14133 , H01L2224/14163 , H01L2224/16112 , H01L2224/16245 , H01L2224/17107 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2224/8185 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： 本发明涉及一种半导体功率芯片，其包括半导体裸片(102、140、172、173、210、220、230、240、240')，所述半导体裸片具有制造于其衬底(210)上的功率装置，例如，功率场效应晶体管，其中所述功率装置具有布置在所述半导体裸片(102、140、172、173、210、220、230、240、240')的顶部上的至少一个第一接触元件(例如，栅极接触元件)(110)，多个第二接触元件(源极接触元件)(120)及多个第三接触元件(漏极接触源极)(130)；及绝缘层(150)，其安置在所述半导体裸片(102、140、172、173、210、220、230、240、240')的顶部上且经图案化以提供接达所述多个第二接触元件(120)及所述多个第三接触元件(130)以及所述至少一个第一接触元件(110)的开口(104、106、108、154、154'、156、156'、158、158')。所述绝缘层(150)中的栅极开口(104、154、154')及漏极开口(108、158、158')布置在所述裸片(102、140、172、173、210、220、230、240、240')的顶表面的一侧上且源极开口(106、156、156')布置在所述裸片(102、140、172、173、210、220、230、240、240')的所述顶表面的相对侧上。所述绝缘层(150)中的所述开口为圆形(104、106、108)或优选地椭圆形(154、154'、156、156'、158、158')。焊料或导电环氧树脂凸块(160)放置在所述开口(104、106、108、154、154'、156、156'、158、158')中用于将所述第一触点(110)、第二触点(120)及第三触点(130)接合到引线框架指状件(204、204'、206、206'、208)。所述引线框架任选地实质上大于所述半导体功率芯片的所述裸片(220、230)。所述引线框架可将第一半导体芯片的源极与第二半导体芯片的漏极或第一及第二半导体芯片的源极连接在一起。又一芯片(620)可线接合到所述引线框架。
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公开(公告)号：CN102104035A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010594275.4
申请日：2010-12-17
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/98 , H01L21/60 , H01L21/50 , G05B19/04
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/566 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13099 , H01L2224/14181 , H01L2224/16112 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/17181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/49 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01064 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种堆叠半导体封装及其制造方法以及包括该封装的系统。一种装置包括具有第一焊区的第一衬底和具有第二焊区的第二衬底。第一塑封料设置于第一衬底和第二衬底之间。第一半导体芯片设置于第一衬底上且接触第一塑封料。第一连接器接触第一焊区，第二连接器接触第二焊区。第二连接器设置在第一连接器上。第二连接器的体积大于第一连接器的体积。第一半导体芯片的表面被暴露。第一塑封料接触第二连接器，并且第二连接器的至少一部分被第一塑封料围绕。
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公开(公告)号：CN109065460A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811203567.3
申请日：2014-06-24
申请人： 恒劲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/498 , H01L25/065
CPC分类号： H05K1/181 , H01L21/4857 , H01L23/295 , H01L23/49822 , H01L23/49861 , H01L23/5383 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L2224/131 , H01L2224/16112 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06555 , H01L2225/06572 , H01L2924/15311 , H01L2924/19106 , H05K1/0298 , H05K1/0326 , H05K1/0333 , H05K1/115 , H05K3/10 , H05K3/4007 , H05K2201/0367 , Y10T29/49149 , H01L2924/014
摘要： 本发明涉及一种封装装置，其包括一第一导线层、一第一导电柱层、一介电材料层、一第二导线层、一第二导电柱层以及一第一铸模化合物层。第一导线层具有相对的一第一表面与一第二表面。第一导电柱层设置于第一导线层的第一表面上，其中第一导线层与第一导电柱层嵌设于介电材料层内。第二导线层设置于第一导电柱层与介电材料层上。第二导电柱层设置于第二导线层上，其中第二导线层与第二导电柱层嵌设于第一铸模化合物层内。
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公开(公告)号：CN105321888B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201410441735.8
申请日：2014-09-01
申请人： 恒劲科技股份有限公司
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/16112 , H01L2224/16113 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2924/15153 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H05K1/0231 , H05K1/162 , H05K1/183 , H05K1/185 , H05K3/0032 , H05K3/0044 , H05K3/284 , H05K3/3431 , H05K3/4682 , H05K3/4697 , H05K2201/10 , H05K2201/10007 , H05K2201/10015 , H05K2201/1003 , H05K2201/10037 , H05K2201/10545 , Y10T29/49131 , H01L2924/014
摘要： 一种封装结构及其制法，该制法，先于一承载板上形成一第一线路层，且于该第一线路层上形成多个第一导电体，再以一第一绝缘层包覆该第一线路层与该多个第一导电体，接着于该第一绝缘层上形成一第二线路层，且于该第二线路层上形成多个第二导电体，再以一第二绝缘层包覆该第二线路层与该多个第二导电体，之后于该第二绝缘层形成至少一开口，以于该开口中设置至少一电子元件，所以通过先形成两绝缘层，再形成该开口，因而不需堆叠或压合已开口的基材，使该电子元件不会受压迫而位移，以减少良率损失。
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