公开(公告)号：CN1192430C

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN00104927.5

申请日：2000-04-04

申请人： 自由度半导体公司

发明人： 亚力山大·L·巴尔 ,  苏勒士·梵卡特散 ,  戴维·B·克勒格 ,  勒波卡·G·考尔 ,  奥鲁布恩米·阿德突突 ,  斯杜尔特·E·格力尔 ,  布瑞安·G·安舍尼 ,  拉姆那施·凡卡特拉曼 ,  格勒帼·布雷科尔曼 ,  道格拉斯·M·勒博 ,  斯蒂芬·R·克朗

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/0539 ,  H01L2924/0538 ,  H01L2924/0537

摘要： 一种覆盖半导体器件衬底(10)的互连。在一个实施例中，导电势垒层覆盖部分互连，钝化层(92)覆盖导电势垒层，且钝化层(92)具有暴露部分导电势垒层(82)的窗口。在一个变通实施例中，钝化层(22)覆盖互连，钝化层(22)具有暴露互连的窗口(24)，且导电势垒层(32)覆盖窗口(24)中的互连。

公开(公告)号：CN1269607A

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：CN00104927.5

申请日：2000-04-04

申请人： 摩托罗拉公司

发明人： 亚力山大·L·巴尔 ,  苏勒士·梵卡特散 ,  戴维·B·克勒格 ,  勒波卡·G·考尔 ,  奥鲁布恩米·阿德突突 ,  斯杜尔特·E·格力尔 ,  布瑞安·G·安舍尼 ,  拉姆那施·凡卡特拉曼 ,  格勒帼·布雷科尔曼 ,  道格拉斯·M·勒博 ,  斯蒂芬·R·克朗

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/0539 ,  H01L2924/0538 ,  H01L2924/0537

摘要： 一种覆盖半导体器件衬底(10)的互连。在一个实施例中,导电势垒层覆盖部分互连,钝化层(92)覆盖导电势垒层,且钝化层(92)具有暴露部分导电势垒层(82)的窗口。在一个变通实施例中,钝化层(22)覆盖互连,钝化层(22)具有暴露互连的窗口(24),且导电势垒层(32)覆盖窗口(24)中的互连。

公开(公告)号：CN107492538A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710431549.X

申请日：2017-06-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金兑泳 ,  姜泌圭 ,  金石镐 ,  文光辰 ,  李镐珍

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/8012 ,  H01L2224/8082 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/0537 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/365 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L23/5386

摘要： 本发明公开了一种晶片到晶片接合结构，该晶片到晶片接合结构包括：第一晶片，包括在第一绝缘层中的第一导电焊垫和围绕第一导电焊垫的下表面和侧表面的第一阻挡层；第二晶片，包括在第二绝缘层中的第二导电焊垫和围绕第二导电焊垫的下表面和侧表面的第二阻挡层，第二晶片在反转之后接合到第一晶片使得第二绝缘层接合到第一绝缘层并且第二导电焊垫的上表面的至少一部分部分地或完全地接合到第一导电焊垫的上表面的至少一部分；以及第三阻挡层，在第一晶片和第二晶片之间的在该处第一导电焊垫和第二导电焊垫未彼此接合的部分中。