公开(公告)号：EP2390904A3

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：EP11162103.3

申请日：2011-04-12

申请人： SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG

发明人： Augustin, Karlheinz ,  Göbl, Christian ,  Faltenbacher, Josef ,  Sagebaum, Ulrich ,  Dr. Stockmeier, Thomas

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/3303 ,  H01L2224/331 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205

摘要： Die Anmeldung betrifft eine Anordnung und ein Verfahren zu deren Herstellung. Diese weist einen ersten und einem zweiten Verbindungspartner auf, die mittels einer Niedertemperatur-Drucksinterverbindung miteinander stoffschlüssig mittels einer Sintermetallschicht verbunden sind. Die Verfahrensschritte sind: Bereitstellen eines ersten Verbindungspartners mit einer ersten Kontaktfläche. Aufbringen einer Schicht aus einer Sinterpaste, bestehend aus Sintermetallpartikeln und einem Lösungsmittel, auf die erste Kontaktfläche. Temperaturbeaufschlagung der Sinterpaste und Austreiben des Lösungsmittels unter Bildung der Sinterschicht. Aufbringen einer Flüssigkeit auf der Sinterschicht. Anordnen des zweiten Verbindungspartners. Anordnen eines Adhäsionsmittels im Randbereich der Sinterschicht und des zweiten Verbindungspartners mit Kontakt zum ersten Verbindungspartner zur Fixierung der Verbindungspartner zueinander. Weitere Beaufschlagung der Anordnung mit Temperatur und Druck zur Ausbildung der stoffschlüssigen Niedertemperatur-Drucksinterverbindung zwischen den Verbindungspartnern, wobei die Sinterschicht zur homogenen Sintermetallschicht umgewandelt wird.

公开(公告)号：EP2147739A2

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：EP09008711.5

申请日：2009-07-03

申请人： Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung

发明人： Tobias, Fey

IPC分类号： B23K35/02 ,  H01B1/22 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  H01B1/22 ,  H01L23/049 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/72 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83222 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/20271 ,  H01L2924/00014

摘要： Die Erfindung beschreibt ein Edelmetallverbindungsmittel in Folienform, sein Herstellungsverfahren sowie ein Verfahren zur Anwendung. Das Edelmetallverbindungsmittel weist eine Feststoffanteil und einen Flüssiganteil mit einem zugeordneten Mischungsverhältnis in Volumenprozent von 99,8:0,2 bis 95:5 der beiden auf, wobei der Feststoffanteil einen Volumenanteil an einer ersten Komponente Silber von mindestens 60% aufweist und wobei der Flüssiganteil aus einer Lösungsmittelkomponente und mindestens einem hierin gelösten organischen Bindemittel besteht. Die erste Komponente des Feststoffanteils liegt als Partikel mit einer Längenabmessung zwischen 50nm und 20µm liegt. Die Herstellung der Folie erfolgt nach einem Foliengussverfahren und deren Verwendung in der Ausbildung einer stoffschlüssigen Verbindung durch Wärmeeinwirkung.

摘要翻译： 。贵金属紧固件（110）在箔（100）的形式包括固体派与液体馏分与体积％CORRESPONDING 99.8混合比：0.2-95：5，其中所述固体部分包含至少60体积％。 银，作为第一组分，和液体馏分包含的溶剂成分，并在溶剂至少在有机粘合剂溶解，并且固体部分的第一组分中存在作为具有50nm至20微米的长度尺寸的颗粒。 一个独立的claimsoft包括用于生产在箔的形式贵金属紧固件，包括具有在固体部分的体积％的液体馏分的混合比加入贵金属的紧固件的过程95：5-70：30吨 运输装置（130），完全呼叫从贵金属紧固件排出溶剂，并分离从运输装置的箔。

公开(公告)号：EP2171755A1

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：EP08782059.3

申请日：2008-07-18

申请人： Fry's Metals, Inc.

发明人： BOUREGHDA, Monnir ,  DESAI, Nitin ,  LIFTON, Anna ,  KHASELEV, Oscar ,  MARCZI, Michael, T. ,  SINGH, Bawa

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H05K13/0465 ,  B22F1/0062 ,  H01L23/373 ,  H01L24/03 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/8393 ,  H01L2224/83931 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/203 ,  H01L2924/3512 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49133 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T428/24893 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014

摘要： Methods for attachment of a die to a substrate are disclosed. In certain examples, the method comprises disposing a capped nanomaterial on a substrate, disposing a die on the disposed capped nanomaterial, drying the disposed capped nanomaterial and the disposed die, and sintering the dried disposed die and the dried capped nanomaterial at a temperature of 300° C. or less to attach the die to the substrate.

公开(公告)号：EP2147739A3

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：EP09008711.5

申请日：2009-07-03

申请人： Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung

发明人： Tobias, Fey

IPC分类号： B23K35/02 ,  H01B1/22 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L25/07 ,  H01L23/373 ,  B23K35/30

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  H01B1/22 ,  H01L23/049 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/72 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83222 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/20271 ,  H01L2924/00014

摘要： Die Erfindung beschreibt ein Edelmetallverbindungsmittel in Folienform, sein Herstellungsverfahren sowie ein Verfahren zur Anwendung. Das Edelmetallverbindungsmittel weist eine Feststoffanteil und einen Flüssiganteil mit einem zugeordneten Mischungsverhältnis in Volumenprozent von 99,8:0,2 bis 95:5 der beiden auf, wobei der Feststoffanteil einen Volumenanteil an einer ersten Komponente Silber von mindestens 60% aufweist und wobei der Flüssiganteil aus einer Lösungsmittelkomponente und mindestens einem hierin gelösten organischen Bindemittel besteht. Die erste Komponente des Feststoffanteils liegt als Partikel mit einer Längenabmessung zwischen 50nm und 20µm liegt. Die Herstellung der Folie erfolgt nach einem Foliengussverfahren und deren Verwendung in der Ausbildung einer stoffschlüssigen Verbindung durch Wärmeeinwirkung.

公开(公告)号：EP2148363A3

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：EP09008710.7

申请日：2009-07-03

申请人： Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung

发明人： Fey, Tobias ,  Göbl, Christian ,  Braml, Heiko ,  Hermann, Ulrich

IPC分类号： B23K35/30 ,  B23K35/36 ,  H01B1/22 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L25/07 ,  H01L23/373

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3602 ,  B23K2201/36 ,  C22C32/0021 ,  H01B1/22 ,  H01L23/049 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/72 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83222 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15787 ,  H05K3/321 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/20271 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： Die Erfindung beschreibt ein Edelmetallverbindungsmittel mit einem Feststoffanteil und einem Flüssiganteil mit einem zugeordneten Mischungsverhältnis in Volumenprozent von 99,5:0,5 bis 80:20 der beiden. Hierbei weist der Feststoffanteil einen Volumenanteil an einer ersten Komponente Silber von 60% bis 95% und einen Volumenanteil an einer zweiten Komponente Silberoxid von 5% bis 40% auf. Die jeweiligen Komponenten des Feststoffanteils liegen als Partikel mit Längenabmessungen zwischen 50nm und 20µm vor. Die Verwendung des Edelmetallverbindungsmittels dient der Ausbildung einer stoffschlüssigen Verbindung zweier metallischer Verbindungspartner, wobei die Ausbildung der Verbindung durch Wärmeeinwirkung erfolgt.

公开(公告)号：EP3195358A4

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：EP14901871

申请日：2014-09-17

申请人： INTEL CORP

发明人： LEE KEVIN J ,  SARASWAT RUCHIR ,  ZILLMANN UWE ,  RAO VALLURI BOB ,  LUND-LARSEN TOR ,  COWLEY NICHOLAS P

IPC分类号： H01L27/04 ,  B81B7/02 ,  H01L21/60

CPC分类号： H04R1/04 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0109 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83488 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/83688 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/161 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/166 ,  H04R1/406 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2221/68304

摘要： Embodiments of the present disclosure describe a die with integrated microphone device using through-silicon vias (TSVs) and associated techniques and configurations. In one embodiment, an apparatus includes an apparatus comprising a semiconductor substrate having a first side and a second side disposed opposite to the first side, an interconnect layer formed on the first side of the semiconductor substrate, a through-silicon via (TSV) formed through the semiconductor substrate and configured to route electrical signals between the first side of the semiconductor substrate and the second side of the semiconductor substrate, and a microphone device formed on the second side of the semiconductor substrate and electrically coupled with the TSV. Other embodiments may be described and/or claimed.

公开(公告)号：EP2171755A4

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：EP08782059

申请日：2008-07-18

申请人： ALPHA ASSEMBLY SOLUTIONS INC

发明人： BOUREGHDA MONNIR ,  DESAI NITIN ,  LIFTON ANNA ,  KHASELEV OSCAR ,  MARCZI MICHAEL T ,  SINGH BAWA

IPC分类号： H01L23/488 ,  B22F1/02 ,  H01L21/60

CPC分类号： H05K13/0465 ,  B22F1/0062 ,  H01L23/373 ,  H01L24/03 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/8393 ,  H01L2224/83931 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/203 ,  H01L2924/3512 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49133 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T428/24893 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014

摘要： Methods for attachment of a die to a substrate are disclosed. In certain examples, the method comprises disposing a capped nanomaterial on a substrate, disposing a die on the disposed capped nanomaterial, drying the disposed capped nanomaterial and the disposed die, and sintering the dried disposed die and the dried capped nanomaterial at a temperature of 300° C. or less to attach the die to the substrate.

公开(公告)号：EP3195358A1

公开(公告)日：2017-07-26

申请号：EP14901871.5

申请日：2014-09-17

申请人： Intel Corporation

发明人： LEE, Kevin J. ,  SARASWAT, Ruchir ,  ZILLMANN, Uwe ,  RAO, Valluri Bob ,  LUND-LARSEN, Tor ,  COWLEY, Nicholas P.

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/60 ,  B81B7/02

CPC分类号： H04R1/04 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0109 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83488 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/83688 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/161 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/166 ,  H04R1/406 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2221/68304

摘要： Embodiments of the present disclosure describe a die with integrated microphone device using through-silicon vias (TSVs) and associated techniques and configurations. In one embodiment, an apparatus includes an apparatus comprising a semiconductor substrate having a first side and a second side disposed opposite to the first side, an interconnect layer formed on the first side of the semiconductor substrate, a through-silicon via (TSV) formed through the semiconductor substrate and configured to route electrical signals between the first side of the semiconductor substrate and the second side of the semiconductor substrate, and a microphone device formed on the second side of the semiconductor substrate and electrically coupled with the TSV. Other embodiments may be described and/or claimed.

摘要翻译： 本公开的实施例描述了具有使用硅通孔（TSV）和相关技术和配置的集成麦克风装置的裸片。 在一个实施例中，一种设备包括装置，该装置包括具有第一侧和与第一侧相对设置的第二侧的半导体衬底，形成在半导体衬底的第一侧上的互连层，形成的硅通孔（TSV） 通过半导体衬底并且被配置为在半导体衬底的第一侧和半导体衬底的第二侧之间路由电信号，以及形成在半导体衬底的第二侧上并且与TSV电耦合的麦克风器件。 其他实施例可以被描述和/或要求保护。

公开(公告)号：EP2390904A2

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：EP11162103.3

申请日：2011-04-12

申请人： SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG

发明人： Augustin, Karlheinz ,  Göbl, Christian ,  Faltenbacher, Josef ,  Sagebaum, Ulrich ,  Dr. Stockmeier, Thomas

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/3303 ,  H01L2224/331 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205

摘要： Die Anmeldung betrifft eine Anordnung und ein Verfahren zu deren Herstellung. Diese weist einen ersten und einem zweiten Verbindungspartner auf, die mittels einer Niedertemperatur-Drucksinterverbindung miteinander stoffschlüssig mittels einer Sintermetallschicht verbunden sind. Die Verfahrensschritte sind: Bereitstellen eines ersten Verbindungspartners mit einer ersten Kontaktfläche. Aufbringen einer Schicht aus einer Sinterpaste, bestehend aus Sintermetallpartikeln und einem Lösungsmittel, auf die erste Kontaktfläche. Temperaturbeaufschlagung der Sinterpaste und Austreiben des Lösungsmittels unter Bildung der Sinterschicht. Aufbringen einer Flüssigkeit auf der Sinterschicht. Anordnen des zweiten Verbindungspartners. Anordnen eines Adhäsionsmittels im Randbereich der Sinterschicht und des zweiten Verbindungspartners mit Kontakt zum ersten Verbindungspartner zur Fixierung der Verbindungspartner zueinander. Weitere Beaufschlagung der Anordnung mit Temperatur und Druck zur Ausbildung der stoffschlüssigen Niedertemperatur-Drucksinterverbindung zwischen den Verbindungspartnern, wobei die Sinterschicht zur homogenen Sintermetallschicht umgewandelt wird.

摘要翻译： 基板烧结浆料，其包含烧结的金属颗粒和溶剂施加在接触在哪一个（10）设置区域（16）。 烧结层是通过加热为规定温度的烧结膏并除去溶剂来形成。 甘油被应用于烧结层上。 一种功率半导体器件（50）被放置在接触烧结层的面积，并且是固定的，通过密合性的化合物（60,62）底物：如有机硅粘合剂。 烧结层被转换成由预设压力的应用烧结金属层（34）。 一个独立的claimsoft包括功率半导体元件的布置。

公开(公告)号：EP2148363A2

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：EP09008710.7

申请日：2009-07-03

申请人： Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung

发明人： Fey, Tobias ,  Göbl, Christian ,  Braml, Heiko ,  Hermann, Ulrich

IPC分类号： H01L21/60 ,  B23K35/02

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3602 ,  B23K2201/36 ,  C22C32/0021 ,  H01B1/22 ,  H01L23/049 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/72 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83222 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15787 ,  H05K3/321 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/20271 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： Die Erfindung beschreibt ein Edelmetallverbindungsmittel mit einem Feststoffanteil und einem Flüssiganteil mit einem zugeordneten Mischungsverhältnis in Volumenprozent von 99,5:0,5 bis 80:20 der beiden. Hierbei weist der Feststoffanteil einen Volumenanteil an einer ersten Komponente Silber von 60% bis 95% und einen Volumenanteil an einer zweiten Komponente Silberoxid von 5% bis 40% auf. Die jeweiligen Komponenten des Feststoffanteils liegen als Partikel mit Längenabmessungen zwischen 50nm und 20µm vor. Die Verwendung des Edelmetallverbindungsmittels dient der Ausbildung einer stoffschlüssigen Verbindung zweier metallischer Verbindungspartner, wobei die Ausbildung der Verbindung durch Wärmeeinwirkung erfolgt.

摘要翻译： 贵金属紧固件（60，62）包括固体和由99.5两种组分的体积与混合比相关联的液体成分：0.5-80：20，其中该固体组分在60-95（体积）包含银作为第一组分 ％和氧化银作为在5-40体积％的第二组分和固体组分的颗粒的respectivement部件具有50nm至20微米的线性尺寸。 一个独立的claimsoft包括用于贵金属的紧固件，其包括应用程序（I）的方法：在上的第一连接伙伴的第一表面上的金属层的形式布置的（I）; 在所述层的第二表面上的第二连接伙伴的装置; 和热加载与170〜230℃]℃的温度下该层，以产生在所述两个连接伙伴之间导电连接。