公开(公告)号：EP0743291A1

公开(公告)日：1996-11-20

申请号：EP96107883.9

申请日：1996-05-17

申请人： Wacker-Chemie GmbH

发明人： Geisberger, Gilbert, Dr. ,  Rösch, Lutz, Prof. Dr.

IPC分类号： C04B35/628

CPC分类号： C04B35/62897 ,  C04B35/571 ,  C04B35/62295 ,  C04B35/62873 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/96

摘要： Die Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung von beschichteten Keramikfasern, beschichteten Keramikfaser-Gelegen oder -Vliesen, dadurch gekennzeichnet, daß Grünfasern in an sich bekannter Weise hergestellt werden, mit mindestens einem Coating Precursor beschichtet werden und anschließend pyrolisiert werden.

摘要翻译： 该prodn。 涂敷的陶瓷纤维，陶瓷纤维束或陶瓷纤维毛网包括：（a）prodn。 绿色纤维（I）通过已知的方法的; （B）涂料用至少一种涂层前体（II）; 和（c）热解。 所以要求保护的是涂覆的陶瓷纤维等，其中所述基础纤维是由材料（S）什么可以obtd的。 由（I）的热解和由前体（II），它可以涂布在（I）和热解，以形成一个封闭的层得到的涂层材料（或多个）的besteht。

公开(公告)号：EP0043542B1

公开(公告)日：1985-05-02

申请号：EP81105061.6

申请日：1981-06-30

申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY

发明人： Ohno, John Michio

IPC分类号： C04B35/56 ,  B24D3/08 ,  B01J3/06 ,  B22F3/14

CPC分类号： C04B35/6264 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/062 ,  B01J2203/0635 ,  B01J2203/0655 ,  B01J2203/0685 ,  B24D3/06 ,  C04B35/52 ,  C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B35/6316 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/363 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/61

公开(公告)号：EP2058545B1

公开(公告)日：2018-10-10

申请号：EP08014416.5

申请日：2008-08-13

申请人： Audi AG

发明人： Kienzle, Andreas ,  Krätschmer, Ingrid

IPC分类号： F16D69/02

CPC分类号： F16D69/023 ,  C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B35/6267 ,  C04B35/6269 ,  C04B35/806 ,  C04B35/83 ,  C04B37/005 ,  C04B37/008 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/9615 ,  C04B2237/086 ,  C04B2237/365 ,  F16D2200/0047

公开(公告)号：EP2623482B1

公开(公告)日：2018-06-27

申请号：EP11829302.6

申请日：2011-09-29

申请人： NGK Insulators, Ltd.

发明人： KANEDA, Atsushi ,  INOUE, Takayuki ,  WATANABE, Tsuyoshi

IPC分类号： C04B35/565 ,  B01J35/04 ,  C04B38/00 ,  C04B35/626 ,  C04B35/63 ,  C04B111/00 ,  B01J27/224 ,  F01N3/20 ,  F01N3/28

CPC分类号： C04B38/0006 ,  B01J27/224 ,  B01J32/00 ,  B01J35/04 ,  C04B35/565 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6316 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2111/0081 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F01N3/2026 ,  F01N3/2828 ,  Y02T10/26 ,  Y10T428/24149 ,  Y10T428/268 ,  Y10T428/2982 ,  C04B38/0074

摘要： Provided is a silicon carbide ceramic having a small amount of resistivity change due to temperature change and being capable of generating heat by current application; and containing silicon carbide crystals having 0.1 to 25 mass% of 4H-SiC silicon carbide crystals and 50 to 99.9 mass% of 6H-SiC silicon carbide crystals, preferably having a nitrogen content of 0.01 mass% or less, more preferably containing two or more kinds of silicon carbide particles containing silicon carbide crystals and silicon for binding these silicon carbide particles to each other and having a silicon content of from 10 to 40 mass%.

公开(公告)号：EP3279923A1

公开(公告)日：2018-02-07

申请号：EP16773027.4

申请日：2016-03-30

申请人： Hokuriku Seikei Industrial Co., Ltd.

发明人： OKESAKU, Masahiro ,  MIYAHARA, Michito ,  ETO, Hideo ,  OKUDO, Yukio ,  SAITO, Makoto ,  SANDA, Hiroshi

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C04B35/565

CPC分类号： C04B35/5755 ,  C04B35/565 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/667 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/85 ,  H01L21/3065

摘要： It is an object of the present invention to provide a low cost and durable silicon carbide member for a plasma processing apparatus.
A silicon carbide member for a plasma processing apparatus of the present invention is obtained by mixing an α-silicon carbide powder having an average particle size of 0.3 to 3 µm, wherein an amount of metal impurities in the α-silicon carbide powder is reduced to 20 ppm or less, and a sintering aid comprising B 4 C in amount of 0.5 to 5 weight parts or Al 2 O 3 and Y 2 O 3 in total amount of 3 to 15 weight parts; sintering a mixture of the α-silicon carbide powder and the sintering aid in an argon atmosphere furnace or a high-frequency dielectric heating furnace; and then processing the resulting sintered body.

摘要翻译： 本发明的目的是提供用于等离子体处理设备的低成本和耐用的碳化硅部件。 本发明的等离子体处理装置用碳化硅构件是将平均粒径为0.3〜3μm的α-碳化硅粉末混合，使α碳化硅粉末中的金属杂质的量减少至 20ppm或更少，以及包含0.5-4重量份的B4C或总量为3-15重量份的Al2O3和Y2O3的烧结助剂; 在氩气氛炉或高频电介质加热炉中烧结α-碳化硅粉末和烧结助剂的混合物; 然后加工所得烧结体。

公开(公告)号：EP3061739A4

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：EP14856390

申请日：2014-10-21

申请人： TOSHIBA KK ,  TOSHIBA MATERIALS CO LTD

发明人： NAKAYAMA NORITAKA ,  AOKI KATSUYUKI ,  SANO TAKASHI

IPC分类号： C04B35/584 ,  B32B18/00 ,  C01B21/068 ,  C04B35/587 ,  C04B35/593 ,  C04B35/626 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  H01L23/15 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03

CPC分类号： C01B21/068 ,  B32B18/00 ,  C01P2006/32 ,  C04B35/584 ,  C04B35/587 ,  C04B35/593 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/368 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49877 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0201 ,  H05K1/0306 ,  H01L2924/00

摘要： The invention is characterized in that, in a silicon nitride substrate comprising a grain boundary phase with silicon nitride crystal particles and having a heat conductivity of 50W/m·K or greater, the sectional structure of the silicon nitride substrate has a ratio (T2/T1) of 0.01 to 0.30 between the thickness T1 of the silicon nitride substrate and the total length T2 of the grain boundary phase in the thickness direction, and a variation in the dielectric strength of 15% or less from the mean value, as measured by the four terminal method, in which electrodes are brought into contact with the front and the back of the substrate. In addition, a dielectric strength mean value of 15 kv/mm or greater is desirable. According to this constitution, the silicon nitride substrate having a small dielectric strength variation, and the silicon nitride circuit substrate using the same, are obtained.

摘要翻译： 本发明的特征在于，在由氮化硅结晶粒子构成的晶界相，热导率为50W / m·K以上的氮化硅基板中，氮化硅基板的截面结构的比例（T2 / T1）在氮化硅基板的厚度T1和厚度方向上的晶界相的总长度T2之间为0.01〜0.30，且介电强度相对于平均值的偏差为15％以下 四端子方法，其中电极与基板的前部和后部接触。 另外，电介质强度平均值为15kv / mm或更大是理想的。 根据该构成，可以得到介电强度变化小的氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。

公开(公告)号：EP2897921A4

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：EP13839518

申请日：2013-09-19

申请人： PENN STATE RES FOUND ,  CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACION

发明人： MIRANZO PILAR ,  OCAL CARMEN ,  OSENDI MARIA ISABEL ,  BELMONTE MANUEL ,  RAMIREZ CRISTINA ,  ROMAN-MANSO BENITO ,  GUITIERREZ HUMBERTO R ,  TERRONES MAURICIO

IPC分类号： B82Y30/00 ,  C04B35/573 ,  C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  H01B1/18

CPC分类号： C04B35/573 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/575 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/78 ,  H01B1/18

摘要： We provide a method for the in situ development of graphene containing silicon carbide (SiC) matrix ceramic composites, and more particularly to the in situ graphene growth within the bulk ceramic through a single-step approach during SiC ceramics densification using an electric current activated/assisted sintering (ECAS) technique. This approach allows processing dense, robust, highly electrical conducting and well dispersed nanocomposites having a percolated graphene network, eliminating the handling of potentially hazardous nanostructures. Graphene/SiC components could be used in technological applications under strong demanding conditions where good electrical, thermal, mechanical and/or tribological properties are required, such as micro and nanoelectromechanical systems (MEMS and NEMS), sensors, actuators, heat exchangers, breaks, components for engines, armours, cutting tools, microturbines or microrotors.

公开(公告)号：EP1769837B1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：EP06713042.7

申请日：2006-01-30

申请人： IBIDEN CO., LTD.

发明人： OHNO, Kazushige ,  SATO, Hiroki ,  HAYASHI, Masayuki

IPC分类号： B01D39/20 ,  B01D53/86 ,  B01J27/224 ,  B01J32/00 ,  B01J35/04 ,  C04B35/626 ,  F01N3/02

CPC分类号： C04B38/0006 ,  B01J27/224 ,  B01J35/04 ,  B01J37/0009 ,  C04B35/565 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/6303 ,  C04B2111/00198 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  F01N3/0222 ,  F01N2330/06 ,  Y10T428/1234 ,  C04B38/00

公开(公告)号：EP1759754B1

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：EP05755162.4

申请日：2005-06-24

申请人： IBIDEN CO., LTD.

发明人： OHNO, Kazushige, IBIDEN CO., LTD. ,  OGYU, Kazutake, IBIDEN CO., LTD. ,  HAYASHI, Masayuki, IBIDEN CO., LTD.

IPC分类号： B01D39/20

CPC分类号： F01N3/0222 ,  C04B35/565 ,  C04B35/62813 ,  C04B35/62831 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/632 ,  C04B38/0006 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/322 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  F01N2330/14 ,  F01N2450/28 ,  Y02T10/20 ,  Y10S55/05 ,  Y10S55/10 ,  Y10S55/30 ,  Y10S264/48 ,  C04B38/0054

公开(公告)号：EP1561737B1

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：EP03733472.9

申请日：2003-06-18

申请人： Kabushiki Kaisha Toshiba

发明人： SUYAMA, Shoko Toshiba Corporation ,  KAMEDA, Tsuneji Toshiba Corporation ,  ITOH, Yoshiyasu Toshiba Corporation

IPC分类号： C04B35/56 ,  C04B37/00

CPC分类号： C04B14/324 ,  B32B2315/02 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B37/005 ,  C04B37/006 ,  C04B37/008 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/086 ,  C04B2237/365

摘要： Silicon carbide matrix composite material (1) comprising silicon carbide matrix (2) as a host. The silicon carbide matrix (2) comprises first silicon carbide phase (3) of 0.1 to 10 μm average crystal grain diameter and second silicon carbide phase (4) of 0.01 to 2 μm average crystal grain diameter. In interstices of silicon carbide crystal grains constituting the silicon carbide matrix (2), liberated silicon phase (5) amounting to, for example, 5 to 50 wt.% based on the composite material (1) is present continuously in network form. This fine structure enables realizing high strength and high toughness of the silicon carbide composite material (1).