-
公开(公告)号：KR102236538B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020180120430A
申请日：2018-10-10
申请人： 주식회사 오럼머티리얼
发明人： 이유진
CPC分类号： H01L51/56 , C23C14/042 , C23C14/24 , G03F7/16 , G03F7/2063 , H01L51/0018
摘要： 본 발명은 마스크의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 마스크의 제조 방법은, (a) 제1 절연부(23)가 일면 상에 형성된 도금막(110)을 제공하는 단계, (b) 도금막(110)과 접촉하는 제1 절연부(23)의 일면에 대향하는 타면을 템플릿(50) 상부면에 접촉시키는 단계, (c) 도금막(110)의 타면 상에 패턴화된 제2 절연부(25)를 형성하는 단계, 및 (d) 제2 절연부(25)의 패턴 사이 공간(26)을 통해 도금막(110)을 식각(WE)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
-
公开(公告)号：KR102234811B1
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：KR1020167032492A
申请日：2014-12-17
申请人： 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
IPC分类号： G03F7/032 , G03F7/00 , G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/105 , G03F7/20 , G03F7/30 , H05K3/06 , H05K3/16
CPC分类号： G03F7/2008 , G03F7/0002 , G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/031 , G03F7/032 , G03F7/033 , G03F7/105 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/26 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/70275 , H05K3/064 , H05K3/16 , H05K3/18 , H05K3/184 , H05K3/06 , Y10S430/106 , Y10S430/114
摘要： 레지스트 형상이 양호하고, 레지스트 자락의 발생을 저감할 수 있고, 또한 밀착성 및 애스펙트비가 향상된 레지스트 패턴을 형성할 수 있는, 레지스트 패턴의 형성 방법의 제공을 목적으로 하고, 기판 상에 투영 노광용 감광성 수지 조성물을 사용하여 감광성 수지층을 형성하는 공정과, 포토마스크의 상(傷)을 투영시킨 활성 광선을 사용하여 렌즈를 통하여 상기 감광성 수지층을 노광하는 공정과, 상기 감광성 수지층의 미노광부를 기판 상으로부터 현상에 의해 제거하는 공정을 포함하고, 상기 투영 노광용 감광성 수지 조성물이, (A)바인더 폴리머, (B)에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, 및 (C)광중합 개시제를 함유하고, 상기 감광성 수지층의 파장 365nm에 있어서의 광투과율이, 58.0% 이상 95.0% 이하인, 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다.
-
公开(公告)号：KR20210034687A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020217008390A
申请日：2014-12-17
申请人： 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
IPC分类号： G03F7/032 , G03F7/00 , G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/105 , G03F7/20 , G03F7/30 , H05K3/06 , H05K3/16
CPC分类号： G03F7/2008 , G03F7/0002 , G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/031 , G03F7/032 , G03F7/033 , G03F7/105 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/26 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/70275 , H05K3/064 , H05K3/16 , H05K3/18 , H05K3/184 , H05K3/06 , Y10S430/106 , Y10S430/114
摘要： 레지스트 형상이 양호하고, 레지스트 자락의 발생을 저감할 수 있고, 또한 밀착성 및 애스펙트비가 향상된 레지스트 패턴을 형성할 수 있는, 레지스트 패턴의 형성 방법의 제공을 목적으로 하고, 기판 상에 투영 노광용 감광성 수지 조성물을 사용하여 감광성 수지층을 형성하는 공정과, 포토마스크의 상(傷)을 투영시킨 활성 광선을 사용하여 렌즈를 통하여 상기 감광성 수지층을 노광하는 공정과, 상기 감광성 수지층의 미노광부를 기판 상으로부터 현상에 의해 제거하는 공정을 포함하고, 상기 투영 노광용 감광성 수지 조성물이, (A)바인더 폴리머, (B)에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, 및 (C)광중합 개시제를 함유하고, 상기 감광성 수지층의 파장 365nm에 있어서의 광투과율이, 58.0% 이상 95.0% 이하인, 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다.
-
公开(公告)号：JP6436313B2
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：JP2015524037
申请日：2014-06-23
申请人： 日産化学株式会社
IPC分类号： G03F7/26 , C08G12/26 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , C08G12/26 , C08G16/0268 , C09D161/00 , C09D161/26 , C09D179/04 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/02271 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3081
-
公开(公告)号：JP6431427B2
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：JP2015073718
申请日：2015-03-31
申请人： 東芝メモリ株式会社
发明人： 会田 真
IPC分类号： G03F7/09 , G03F7/40 , H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/11
CPC分类号： H01L21/0337 , G03F7/0035 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/16 , H01L21/0271 , H01L21/266 , H01L21/31144
-
公开(公告)号：JP2018180349A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017081039
申请日：2017-04-17
申请人： 信越化学工業株式会社
CPC分类号： G03F7/023 , C08G8/28 , C23C18/1601 , C25D3/02 , G03F7/0233 , G03F7/0236 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要： 【課題】段差を有する支持体へ、ボイドの発生がなくポジ型レジストフィルムを転写できるポジ型レジストフィルム積層体、及びパターン形成方法を提供する。 【解決手段】第1の支持体である熱可塑性フィルムと、ノボラック樹脂−ナフトキノンジアジド(NQD)系ポジ型レジストフィルムとを備えるノボラック樹脂−NQD系ポジ型レジストフィルム積層体であって、前記ノボラック樹脂−NQD系ポジ型レジストフィルムが(A)ノボラック樹脂−NQD系樹脂組成物、(B)ポリエステル、及び(C)3〜30質量%の有機溶剤を含む、ノボラック樹脂−NQD系ポジ型レジストフィルム積層体。 【選択図】なし
-
公开(公告)号：JP2018173521A
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：JP2017071098
申请日：2017-03-31
申请人： 信越化学工業株式会社
CPC分类号： G03F7/11 , C07C39/14 , C07C39/17 , C07C69/94 , C07C2603/18 , C07D251/32 , C07D487/04 , C08F220/28 , C08F220/32 , C08F2220/281 , C08F2800/20 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/266 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要： 【課題】優れたアルカリ性過酸化水素水耐性、良好な埋め込み/平坦化特性、及びドライエッチング特性を有するレジスト下層膜材料、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法を提供する。 【解決手段】多層レジスト法に用いられるレジスト下層膜材料であって、(A1)下記一般式(X)で示される化合物の一種又は二種以上、及び(B)有機溶剤を含有するレジスト下層膜材料。 (式中、n 01 は1〜10の整数を示し、n 01 が2の場合、Wはスルフィニル基、スルホニル基、エーテル基、又は炭素数2〜50の2価の有機基を示し、n 01 が2以外の整数の場合、Wは炭素数2〜50のn 01 価の有機基を示す。また、Yは単結合又は炭素数1〜10の酸素原子を含んでもよい2価の連結基を示す。) 【選択図】なし
-
公开(公告)号：JP6412926B2
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：JP2016515301
申请日：2014-05-21
发明人： ブスケンス,パスカル ヨゼフ ポウル , アルフステン,ナンニング イエルク , ムラット,モーリス クリスティアン ダンホ , ボウタルス,マリア エリザベス ルイーゼ , ドルトマンス,レオナルドゥス ヨハンヌス マリア ヘノフェファ
IPC分类号： C09D7/61 , C09D183/02 , C09D1/00
-
公开(公告)号：JPWO2017154345A1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2017000986
申请日：2017-01-13
申请人： 富士フイルム株式会社
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/20 , C07C381/12 , C07C309/12 , C07C309/17 , C09K3/00 , C07D213/70 , C07J43/00 , C07D335/16 , C07D327/08 , C07D217/08 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/12 , C07C309/15 , C07C309/17 , C07C321/28 , C07C381/12 , C07C2603/74 , C07D213/70 , C07D217/08 , C07D327/08 , C07D333/46 , C07D335/16 , C07J43/003 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/2006 , G03F7/2041 , G03F7/32 , G03F7/38
摘要： 本発明は、LWRの小さいパターンを形成することができ、かつ、形成されたパターンの倒れがより抑制された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、一般式(1)で表される光酸発生剤、又は、一般式(1)で表される光酸発生剤から1個の水素原子を取り除いた残基を有する樹脂、を含有する。
-
公开(公告)号：JP6402778B2
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：JP2016560033
申请日：2016-09-21
申请人： 東レ株式会社
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/032 , G03F7/027 , G03F7/075 , H01L51/50 , H05B33/10 , H05B33/02 , H05B33/22 , C08G73/10 , C08G73/22 , C08F2/44 , G03F7/20 , G03F7/037
CPC分类号： G03F7/0387 , C08G69/32 , C08G73/06 , G03F7/0007 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/031 , G03F7/037 , G03F7/105 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L27/3258 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/22
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
655 条记录 (耗时 0.045 秒)
