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公开(公告)号：JP5732414B2
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：JP2012013663
申请日：2012-01-26
Applicant: 株式会社日立製作所
CPC classification number: H01L23/3736 , B23K35/26 , C04B37/025 , C04B37/026 , C22C13/00 , C22C5/06 , H01L21/52 , H01L23/3735 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L33/62 , H01L33/641 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/10 , C04B2237/12 , C04B2237/125 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/408 , H01L2224/32245 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48464 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L23/3731 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1432 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , Y10T428/12014
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公开(公告)号：JP6263108B2
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：JP2014184783
申请日：2014-09-11
Applicant: 株式会社日立製作所 , 株式会社 日立パワーデバイス
CPC classification number: H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/3142 , H01L24/01 , H01L25/07 , H01L25/11 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：JP6263014B2
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：JP2013256619
申请日：2013-12-12
Applicant: 株式会社日立製作所 , 株式会社 日立パワーデバイス
CPC classification number: H01L29/7808 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L23/3142 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/544 , H01L24/01 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/66 , H01L24/69 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/16 , H01L29/7805 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/37012 , H01L2224/37147 , H01L2224/40137 , H01L2224/40499 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48499 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/75754 , H01L2224/78753 , H01L2224/78802 , H01L2224/83101 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/9221 , H01L2924/00011 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H02K11/00 , H02K11/046 , H02K19/36 , H02M1/08 , H02M7/003 , H02M7/217 , H02M7/219 , H02M2001/0006 , H02P9/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01005 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/84
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6200864B2
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：JP2014150565
申请日：2014-07-24
Applicant: 株式会社日立製作所
IPC: H01L29/861 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/868
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公开(公告)号：JP2016219521A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2015100697
申请日：2015-05-18
Applicant: 株式会社日立製作所
IPC: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/739
Abstract: 【課題】センスエミッタ接続部における発熱による熱集中破壊を防止可能な半導体装置およびそれを用いた電力変換装置を提供する。 【解決手段】半導体基板の一方の主表面に形成された第1電極層と、半導体基板のもう一方の主表面に形成された第2電極層を備え、第1電極層と第2電極層を層に垂直な方向から圧接することで外部と電気的導通を取るように構成され、電気的導通が外部信号により能動的にスイッチ可能な半導体装置であって、第1電極層の領域のうち圧接される第1領域と、圧接される第1領域の外側の一部分でセンス電位を取り出す第2領域を備え、導通状態において第2領域が導通抑制部とされていることを特徴とする半導体装置としたものである。 【選択図】図1
Abstract translation: 提供一种能够防止由热产生的热破坏浓度在连接部和使用该电力变换装置的感测发射极半导体装置。 和形成在所述半导体衬底的一个主表面的第一电极层，形成在所述半导体衬底，第一电极层和第二电极层的另一个主表面上的第二电极层 从垂直的方向构成的层通过压力采取外部电传导，电连续性是一种半导体装置，其主动地通过外部信号切换的，在所述第一电极层的区域中的压力 要被按下的是半导体器件，其特征在于，其包括用于取出所述第一区域的部分之外的感电势的第二区域的第一区域，在导通状态的第二区域中，存在的导电抑制部 一个在其中。 点域1
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公开(公告)号：JP2016058594A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014184783
申请日：2014-09-11
Applicant: 株式会社日立製作所 , 株式会社 日立パワーデバイス
CPC classification number: B60R16/03 , H01L24/01 , H01L25/07 , H01L25/11 , H02M7/21 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181
Abstract: 【課題】少ない電圧損失、電力損失で整流を行い、組み立て工程が簡便で、低コストの半導体装置、並びにそれを用いたオルタネータ及び電力変換装置を提供する 【解決手段】円形の外周部を有する第1の外部電極と、MOSFETチップと、MOSFETのドレイン電極とソース電極の電圧を入力し、当該電圧に基づいてMOSFETを制御する信号をゲート電極に供給する制御回路チップと、MOSFETチップに対して第1の外部電極の反対側に配置され、第1の外部電極の円形の外周部の中心軸上に外部端子を有する第2の外部電極と、制御回路チップと外部電極とを絶縁する絶縁基板と、を備え、第1の外部電極と、MOSFETチップのドレイン電極およびソース電極と、第2の外部電極とは、中心軸方向に積み重なるように配置され、MOSFETチップのドレイン電極と第1の外部電極とが接続され、MOSFETチップのソース電極と第2の外部電極とが接続される。 【選択図】 図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在降低电压损耗和功率损耗的同时进行整流的半导体器件，简化组装过程并降低成本，使用该半导体器件的交流发电机和电力转换装置。解决方案：半导体器件包括： 第一外部电极，包括圆形外周部分; 一个MOSFET芯片; 控制电路芯片，其输入MOSFET的漏电极和源电极的电压，并且基于电压向栅电极提供用于控制MOSFET的信号; 第二外部电极，其相对于所述MOSFET芯片设置在所述第一外部电极的相对侧，并且在所述第一外部电极的圆形外周部的中心轴上包括外部端子; 以及使控制电路芯片和外部电极绝缘的绝缘基板。 MOSFET芯片的第一外部电极，漏极电极和源电极以及第二外部电极被配置成沿着中心轴的方向堆叠，MOSFET芯片的漏电极和第一外部电极被连接 ，并且MOSFET芯片的源电极和第二外部电极连接。选择图：图1
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公开(公告)号：JP2015222777A
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：JP2014106643
申请日：2014-05-23
Applicant: 株式会社日立製作所
IPC: H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739 , H01L29/872 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/08 , H01L27/04
CPC classification number: H02M7/537 , H01L27/0629 , H01L27/0727 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0834 , H01L29/7397 , H01L29/8611 , H03K17/16 , H03K17/74 , H02M7/003
Abstract: 【課題】特定のチップへの電流集中を防止しつつ、損失低減とノイズ低減とを両立することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】本発明の半導体装置は、スイッチング素子と、スイッチング素子に並列に接続された主ダイオードと、スイッチング素子に並列に接続され、かつ、主ダイオードとは構造の異なる補助ダイオードとを備え、補助ダイオードは、導通時に両端子間に流れる電流が主ダイオードよりも小さく、かつ、導通状態から非導通状態へ遷移する期間である過渡時に両端子間に流れる電流が主ダイオードよりも大きいことを特徴とする。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体器件，其能够在防止特定芯片上的电流集中的同时平衡损耗降低与噪声降低。解决方案：本实施例的半导体器件包括：开关元件; 与开关元件并联连接的主二极管; 以及与开关元件并联连接且具有与主二极管的结构不同的结构的辅助二极管。 在传导期间辅助二极管的两端之间的电流小于主二极管中的电流，并且在从导通状态转变为非导通状态的过渡期间的过渡时间期间，在两个端子间通过的电流大于 主二极管
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