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    半導体装置および半導体装置の製造方法
    3.
    发明专利
    半導体装置および半導体装置の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017224686A

    公开(公告)日：2017-12-21

    申请号：JP2016118243

    申请日：2016-06-14

    申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

    发明人： 松原 義久

    IPC分类号： H05K7/20 ,  H01L23/373

    CPC分类号： H01L23/3738 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/373 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/16157

    摘要： 【課題】半導体装置の性能を向上させる。 【解決手段】半導体チップCHと放熱部(ヒートシンク)とを有する半導体装置を次のように構成する。この放熱部(ヒートシンク)は、樹脂テープR1と、この樹脂テープR1から突出したグラファイトシートよりなるフィンGFとを有し、フィンGFは、グラフェンを有し、グラフェンが半導体チップCHの表面と交差する方向に配置されるように、フィンGFが前記半導体チップ上に配置される。この放熱部は、グラファイトシート(GF)と樹脂テープR1とを積層し巻回した巻回体である。このように、フィンGFの構成材料として、グラフェンを用いることにより、熱伝導性が向上し、放熱性が向上する。さらに、フィンGFを樹脂テープR1よりを飛び出させたので、フィンGFの露出面積が向上し、放熱性を向上させることができる。 【選択図】図3

    半導体装置
    6.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017108047A

    公开(公告)日：2017-06-15

    申请号：JP2015242024

    申请日：2015-12-11

    申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

    发明人： 松原 義久

    IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/316

    CPC分类号： H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181

    摘要： 【課題】半導体装置の性能を向上させる。 【解決手段】半導体基板Sの上方に形成された配線M5と、配線M5上に、層間絶縁膜IL6を介して配置された配線M6と、配線M6上に、層間絶縁膜IL7を介して配置されたパッドメタルPDMと、これを覆う保護層PROと、を有する半導体チップを次のように構成する。層間絶縁膜IL6やIL7は、グラフェン粒子GRを含有する。また、半導体チップを覆う封止樹脂中にグラフェン粒子GRを混合してもよい。このような構成により、層間絶縁膜IL6、IL7や封止樹脂の熱伝導性が向上し、半導体装置の放熱性を向上させることができる。グラフェンは、1原子の厚さのsp 2 結合炭素原子のシートである。炭素原子とその結合からできた六角形格子が平面に広がる構造をとっている。グラフェンは、熱伝導率が良好で、重量も軽いため、伝熱用フィラーとして用いて好適である。 【選択図】図1

    半導体装置およびその製造方法
    7.
    发明专利
    半導体装置およびその製造方法 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：JP2016139711A

    公开(公告)日：2016-08-04

    申请号：JP2015013970

    申请日：2015-01-28

    申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

    发明人： 松原 義久 ,  石上 隆司

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

    CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/5286 ,  H01L29/66795 ,  H01L2924/0002

    摘要： 【課題】半導体装置の性能を向上させる。 【解決手段】基板1の上面に形成されたMISFETQと、基板1の上面上に積層された複数の配線層M1、M2、M3およびMHと、2つの配線層の間を接続する複数のプラグと、を有する。最上層よりも下層の配線層M1、M2およびM3は、配線5A、5Bおよび5Cを含み、最上層の配線層MHは、パッドPDと、パッドPD上に形成された絶縁膜3Eと、絶縁膜3Eを貫通してパッドPDに達する開口部OPと、を含む。MISFETQならびに配線5A、5Bおよび5Cは、平面視において、開口部OPと重なり、複数のプラグのいずれも、平面視において、開口部OPと重ならない。 【選択図】図2

    摘要翻译： 要解决的问题：提高半导体器件的性能。解决方案：半导体器件包括：形成在衬底1的顶面上的MISFETQ; 叠层在基板1的顶面上的多个布线层M1，M2，M3和MH; 以及用于连接两个布线层的多个插头。 上层下层的布线层M1，M2和M3包括布线5A，5B和5C，顶层中的布线层MH包括焊盘PD，形成在焊盘PD上的绝缘膜3E和开口OP， 穿透绝缘膜3E到达垫PD。 MISFETQ和布线5A，5B和5C在平面图中与开口重叠，并且多个插头中的任何插头在平面图中不与开口OP重叠。选择的图示：图2