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公开(公告)号:JP2018041906A
公开(公告)日:2018-03-15
申请号:JP2016176671
申请日:2016-09-09
申请人: 東芝メモリ株式会社
CPC分类号: H01L25/50 , H01L21/565 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2221/68354 , H01L2221/68386 , H01L2224/0401 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81065 , H01L2224/81815 , H01L2224/92242 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1438 , H01L2924/14511 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要: 【課題】半導体チップ積層体がより効率的に樹脂で封止された半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】バンプ電極5を有する第1半導体チップ4の第1面上にバンプ電極5及び貫通電極3を有する第2半導体チップ2−3を、バンプ電極5と第1貫通電極3とが重なるように積層させ、第2半導体チップ2−3上に貫通電極3を有する第3半導体チップ2−2を、バンプ電極5と貫通電極3とが重なるように積層させてチップ積層体を形成する。チップ積層体のバンプ電極5をリフローによって貫通電極3に機械的に接続し、第2面を有する配線基板6上に前記第1面が前記第2面側に向くようにチップ積層体を搭載し、前記第2面上及び各半導体チップ間を樹脂封止する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6199724B2
公开(公告)日:2017-09-20
申请号:JP2013258705
申请日:2013-12-13
申请人: 東芝メモリ株式会社
CPC分类号: H01L21/67333 , H01L21/67 , H01L21/673 , H01L23/552 , H01L24/97 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/181
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公开(公告)号:JP2018152417A
公开(公告)日:2018-09-27
申请号:JP2017046390
申请日:2017-03-10
申请人: 東芝メモリ株式会社
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/565 , H01L21/6836 , H01L21/76897 , H01L23/293 , H01L23/3128 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13118 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1319 , H01L2224/1415 , H01L2224/1416 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/17181 , H01L2224/17505 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/81005 , H01L2224/81065 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/9211 , H01L2224/9212 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06565 , H01L2225/06586 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/1438 , H01L2924/00014
摘要: 【課題】半導体チップ積層体をより効率的に樹脂で封止した半導体装置及びその製造方法 を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1面を有する配線基板と、前記第1面上に位置 し、第1半導体チップと、前記第1半導体チップと前記第1面との間に設けられ貫通電極 を有する第2半導体チップと、前記第2半導体チップと前記第1面との間に設けられる第 3半導体チップとを含むチップ積層体と、前記第1面と前記第3半導体チップとの間に位 置し前記第1面及び前記第3半導体チップに接する第1樹脂と、前記第2半導体チップと 前記第1面との間に位置し、前記第2半導体チップ及び前記第1面に接し前記チップ積層 体を封止し、かつ前記第1樹脂と異なる材料の第2樹脂と、を具備する。 【選択図】図1
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