公开(公告)号：KR20210032353A

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：KR1020210033193A

申请日：2021-03-15

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 알랜 로스 ,  닉 삼라 ,  잉-치이 수 ,  에릭 소넨 ,  스테판 루수

IPC: H01F27/02 ,  H01F1/032 ,  H01F17/04 ,  H01F27/28 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01F17/0006 ,  H01F27/022 ,  H01L21/6835 ,  H01F1/032 ,  H01F17/0013 ,  H01F17/04 ,  H01F27/027 ,  H01F27/28 ,  H01F41/046 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/645 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01F2017/0066 ,  H01F2017/048 ,  H01L21/568 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/81005 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/37001

Abstract: IC 디바이스 패키징 구조물 내에 인덕터가 형성된다. 구조물은 캡슐화 재료를 포함하고, 캡슐화 재료 내에 강자성 코어가 있다. 인덕터를 형성하도록 강자성 코어 둘레에서 연장되는 인덕터 코일을 형성하는 복수의 금속층들이 캡슐화 재료 내에 제공된다.

公开(公告)号：KR102223473B1

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020157026962A

申请日：2014-03-06

Applicant: 자일링크스 인코포레이티드

Inventor： 운성 권 ,  스레쉬 라말링감 ,  남훈 김 ,  중호 김

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5383 ,  H05K3/28 ,  H01L21/568 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81005 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H05K3/4682

Abstract: 스택된 실리콘 상호연결 기술(stacked silicon interconnect technology; SSIT) 제품(200)을 위한 무-기판 인터포저(substrate-less interposer)(201)는 복수의 금속화 층들(109)로서, 상기 금속화 층들의 적어도 최하단층은 복수의 금속 세그먼트들(111)을 포함하고, 복수의 금속 세그먼트들(111) 각각은 금속화 층들(109)의 최하단층의 하단 표면과 상단 표면 사이에 형성되고, 금속 세그먼트들(111)은 최하단층에서 유전체 물질(113)에 의해 분리되는 것인, 상기 복수의 금속화 층들; 및 최하단층의 하단 표면 상에 형성되는 유전체 층(203)을 포함하고, 유전체 층(203)은 최하단층 내의 복수의 금속 세그먼트들(111) 중 적어도 일부에 대한 콘택(contact)을 제공하기 위한 하나 이상의 개구들을 포함한다.

公开(公告)号：JP6437928B2

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：JP2015561684

申请日：2014-03-06

Applicant: ザイリンクス インコーポレイテッド ,  XILINX INCORPORATED

Inventor： クォン,ウン−ソン ,  ラマリンガム,スレッシュ ,  キム,ナムフン ,  キム,ジョン−ホ

IPC: H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H05K3/28 ,  H05K3/4682

公开(公告)号：JP2018163087A

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：JP2017061258

申请日：2017-03-27

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 武藤 優

IPC: G01R31/26

CPC classification number: H01L22/14 ,  G01R1/0466 ,  G01R1/0483 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161

Abstract: 【課題】半導体装置の歩留まりを向上させる。 【解決手段】半導体装置の検査装置7が備えるテストボード10上に搭載されたソケット8の複数のポゴピン8dを複数の半田ボール5のそれぞれに接触させ、かつソケット8に設けられたテストピン8eを複数の半田ボール5のうちの第1半田ボール5aにおけるポゴピン8dの接触箇所と異なる箇所に接触させて、ポゴピン8dとテストピン8eとの間の抵抗値を測定する。これにより、ポゴピン8dと第1半田ボール5aとの接続不良を検出して導通状態を検査する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018518057A

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：JP2017563204

申请日：2016-05-24

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： ジェ・シク・イ ,  キュ−ピョン・ファン ,  ホン・ボク・ウィ

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/00 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161

Abstract: パッケージオンパッケージ(PoP)構造体は、第1のダイと、第2のダイと、第1のダイと第2のダイとの間のインターポーザによって第1のダイおよび第2のダイに電気的に結合されたメモリデバイスとを含む。インターポーザは、モールド内に形成された銅充填ビアを含む。

公开(公告)号：JP2018081979A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：JP2016222098

申请日：2016-11-15

Applicant: 新光電気工業株式会社

Inventor： 小林 浩之佑 ,  阿藤 晃士

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49503 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 【課題】生産効率よく製造できると共に、十分な信頼性が得られる新規な構造のリードフレームを提供する。 【解決手段】金属板10の上面の第1突出部E1と、金属板10の下面の第2突出部E2とを備えた柱状の電極14aと、電極14aの上面に形成された第1金属めっき層40と、電極14aの下面に形成された第2金属めっき層42とを備えた端子部14を有し、第1突出部E1の高さは第2突出部E2の高さよりも高く、第1金属めっき層40の下面の周縁部が第1突出部E1に接している。 【選択図】図12

公开(公告)号：JP6321095B2

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：JP2016151228

申请日：2016-08-01

Applicant: テッセラ,インコーポレイテッド

Inventor： オガネシアン,ヴァーゲ ,  ハーバ,ベルガセム ,  ミッチェル,クレイグ ,  モハメッド,イリヤス ,  サヴァリア,ピーユーシュ

IPC: H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/18 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L21/76819 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/117 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/24247 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/18161 ,  Y10T29/49002 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

公开(公告)号：JP2018060922A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：JP2016197573

申请日：2016-10-05

Applicant: 新光電気工業株式会社

Inventor： 今藤 桂 ,  藤井 聡

IPC: H05K3/34 ,  H05K3/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/18161

Abstract: 【課題】表面が金属層で被覆された配線構造を有する配線基板において、金属層上に絶縁樹脂を形成する際の密着性を向上する。 【解決手段】本配線基板は、第1絶縁層上に形成された配線構造を有する配線基板であって、前記配線構造は、第1金属層と、前記第1金属層上に形成された第2金属層と、前記第2金属層上に形成された第3金属層と、を有する配線パターンと、前記配線パターンの側面及び上面を被覆する第4金属層と、を有し、前記第2金属層の外周部は、前記配線パターンの側面から突起して第1突起部を形成し、前記第4金属層は、前記第1突起部に対応して前記配線構造の側面から突起する第2突起部を有している。 【選択図】図1

公开(公告)号：JPWO2016093178A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：JP2016563660

申请日：2015-12-04

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 渉 笠井 ,  渉 笠井 ,  政己 鈴木 ,  政己 鈴木

IPC: H01L21/56 ,  B29C33/68 ,  C08K3/22 ,  C08L101/00 ,  C08L101/12

CPC classification number: B29C33/62 ,  H01L21/56 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014

Abstract: 高温環境下であっても優れた帯電防止作用があり、透明性に優れる離型フィルムおよび該離型フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法の提供。半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造において、金型の硬化性樹脂が接する面に配置される離型フィルムであって、樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する離型性基材2(ただし、帯電防止剤を含まない。)と、樹脂封止部の形成時に金型と接する帯電防止層3とを備え、帯電防止層3が、導電性重合体および導電性金属酸化物からなる群から選ばれる少なくとも1種の帯電防止剤を含み、全光線透過率が80%以上である離型フィルム。

公开(公告)号：JP2016171315A

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：JP2016036321

申请日：2016-02-26

Applicant: 日東電工株式会社

Inventor： 近藤 隆 ,  江部 悠紀 ,  天野 康弘

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/18161

Abstract: 【課題】優れた色均一性を有する貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法と、それらに用いられ、光半導体素子に対する密着性に優れる貼着シートとを提供すること。 【解決手段】光半導体素子15に直接的または間接的に貼着するように使用される貼着層2を備える貼着シート1であって、貼着層2を、周波数1Hzおよび昇温速度20℃/分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率G’と温度Tとの関係を示す曲線が、極小値を有し、極小値における温度Tが、40℃以上、200℃以下の範囲にあり、極小値における貯蔵剪断弾性率G’が、1,000Pa以上、90,000Pa以下の範囲にある。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供：具有优异的颜色均匀性的粘合光学半导体元件和光学半导体器件的制造方法; 和用于其的粘合片，并且与光学半导体元件的粘附性优异。粘合片1包括用于直接或间接粘合到光学半导体元件15上的粘合剂层2.表示温度 T和通过在1Hz的频率和20℃/分钟的加热速率的条件下对粘合剂层2进行动态粘弹性测量获得的剪切储能弹性模量G'具有最小值。 最低值的温度T在40℃以上至200℃以下的范围内。 最小值下的剪切储能弹性模量G'在1000Pa以上至90,000Pa以下的范围内。选择图1：