公开(公告)号：JP2018152507A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2017048802

申请日：2017-03-14

申请人： エイブリック株式会社

发明人： 加藤 伸二郎 ,  秋野 勝

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/60 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/02107 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02123 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133

摘要： 【課題】窒化チタンからなる反射防止膜の上にシリコン酸化膜が設けられていても、反射防止膜を形成している窒化チタンの酸化が生じにくく、1回のフォトリソグラフィー工程によりパッド開口部を形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】基板1と、基板1上に設けられた配線6と、配線6上に設けられた窒化チタンからなる反射防止膜7と、反射防止膜7上に設けられたシリコン酸化膜3とを有し、シリコン酸化膜3に形成された第1開口部91と反射防止膜7に形成された第2開口部92とが平面視で重なる位置に、配線6が露出されてなるパッド部8が形成され、反射防止膜7上のシリコン酸化膜3との対向面と第2開口部92に露出する反射防止膜7の露出面の一方または両方の少なくとも一部に、反射防止膜7中よりも未結合手の少ない金属窒化物からなる未結合手の少ない金属窒化物領域7aが形成されている半導体装置10とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018152506A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2017048800

申请日：2017-03-14

申请人： エイブリック株式会社

发明人： 五十嵐 覚 ,  加藤 伸二郎 ,  長谷川 尚 ,  秋野 勝 ,  井村 行宏

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/02107 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02123 ,  H01L2224/02251 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/3512

摘要： 【課題】窒化チタンからなる反射防止膜上にシリコン酸化膜が設けられていても、窒化チタンからなる反射防止膜の腐食が生じにくく、1回のフォトリソグラフィー工程によりパッド部を開口できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】基板1上に設けられたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線膜6と、配線膜6上に設けられた窒化チタン膜7とからなる配線層5と、配線層5の上面5aおよび側面5bを覆う保護層9と、保護層9と窒化チタン膜7とを貫通し、配線膜6が露出されてなるパッド部8とを有し、保護層9が、第1シリコン窒化膜41と酸化膜3と第2シリコン窒化膜42とが配線層5側からこの順で積層されたものである半導体装置10とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018152505A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2017048799

申请日：2017-03-14

申请人： エイブリック株式会社

发明人： 森田 健士 ,  加藤 伸二郎 ,  秋野 勝 ,  井村 行宏

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02251 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/3512

摘要： 【課題】窒化チタンからなる反射防止膜の上にシリコン酸化膜が設けられていても、反射防止膜を形成している窒化チタンの腐食が生じにくく、製造における工程数も少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】基板1と、基板1上に設けられた配線6と、配線6上に設けられた窒化チタン膜7と、窒化チタン膜7上に設けられた酸化膜3と、酸化膜3上に設けられたシリコン窒化膜4とを有し、シリコン窒化膜4に形成された第1開口部91と窒化チタン膜7に形成された第2開口部92とが平面視で重なる位置であって、酸化膜3に形成された第3開口部93の平面視内側の位置に、配線6が露出されてなるパッド部8が形成され、第3開口部93の平面視内側に配置された窒化チタン膜7上に接してシリコン窒化膜4が形成されている半導体装置10とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018148090A

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：JP2017043156

申请日：2017-03-07

申请人： エイブリック株式会社

发明人： 三室 陽一 ,  加藤 伸二郎 ,  塩浦 哲郎

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/78 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 【課題】アルミニウム合金配線のうち、ボンディングパッドとして露出する部分が、水分によって腐食(ガルバニック腐食)されるのを抑えることが可能な、半導体装置を提供する。 【解決手段】本発明の半導体装置100は、基板101と、基板の一方の主面101a側に設けられ、アルミニウム合金配線102とそれを囲む絶縁膜107とを含む積層体103と、積層体103を覆うシリコン窒化膜104とを有し、前記シリコン窒化膜および前記絶縁膜には、前記アルミニウム合金配線102のボンディング部分と重なる位置において、互いに連通する開口部105が設けられており、アルミニウム合金配線の表面のうち、開口部105から露出している部分に、シリコンと窒素を含む逆スパッタリング残渣からなる堆積物が付着し、皮膜106が形成されている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP5558516B2

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：JP2012097332

申请日：2012-04-23

申请人： ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド ,  新科實業有限公司SAE Magnetics(H.K.)Ltd.

发明人： 芳高 佐々木 ,  浩幸 伊藤 ,  淳 飯島

IPC分类号： H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/06 ,  H01L24/24 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105

公开(公告)号：JP2013070021A

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：JP2012097332

申请日：2012-04-23

申请人： Headway Technologies Inc ,  ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド ,  Sae Magnetics(H K )Ltd ,  新科實業有限公司SAE Magnetics(H.K.)Ltd.

发明人： SASAKI YOSHITAKA ,  ITO HIROYUKI ,  IIJIMA ATSUSHI

IPC分类号： H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/06 ,  H01L24/24 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite layered chip package capable of easily changing some signals in a plurality of signals on each sub-package, the signals being associated with at least of semiconductor chip in a sub-package.SOLUTION: A composite layered chip package 21 comprises a layered first and a layered second sub-packages 1S. Each of sub-packages 1S comprises a body and a wire. The body comprises: a plurality of first terminals arranged on a top surface of a main part; and a plurality of second terminals arranged on a bottom surface of the main part. The first and the second sub-packages 1S are arranged in a specific relative position relation being different from a reference relative position relation. In both of relative position relations, a plurality of pairs of first terminals in mutually adjacent first sub-packages 1S and second terminals in second sub-packages 1S are formed. In the specific relative position relation, a combination of first and second terminals constituting pairs, is different from that in the reference relative position relation.

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供能够容易地改变每个子封装上的多个信号中的一些信号的复合分层芯片封装，该信号与子封装中的至少半导体芯片相关联。 解决方案：复合分层芯片封装21包括层叠的第一和第二次级封装1S。 每个子包装1S包括主体和电线。 主体包括：布置在主要部分的顶表面上的多个第一端子; 以及布置在主要部分的底表面上的多个第二端子。 第一和第二子包1S布置在与参考相对位置关系不同的特定相对位置关系中。 在两个相对位置关系中，形成相互相邻的第一子包装1S中的多对第一端子和第二子包装件1S中的第二端子。 在具体的相对位置关系中，构成对的第一和第二端子的组合与参考相对位置关系中的不同。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT