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公开(公告)号:JP6152254B2
公开(公告)日:2017-06-21
申请号:JP2012200488
申请日:2012-09-12
申请人: 新光電気工業株式会社
CPC分类号: H01L24/46 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/24227 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/85444 , H01L2224/9222 , H01L2224/92244 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162
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公开(公告)号:JP2017038075A
公开(公告)日:2017-02-16
申请号:JP2016202866
申请日:2016-10-14
申请人: テッセラ,インコーポレイテッド
发明人: ハーバ,ベルガセム
IPC分类号: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/50 , H01L23/12
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/66 , H01L24/17 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2223/6611 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48145 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/4911 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2224/8385 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1029 , H01L2225/1041 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L23/49833 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07811 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/351
摘要: 【課題】超小型電子素子の上方又は下方の表面にパッケージコンタクトを有することができるような、スタック可能モールド超小型電子パッケージを提供する。 【解決手段】基板230と、超小型電子素子170と、端子240とを備える超小型電子パッケージ290は、チップの素子コンタクトと基板のコンタクトとを電気的に接続する導電性素子238を備える。導電性素子は、異なる電位を同時に搬送するために互いに電気的に絶縁することができる。封入材は、基板の第1の表面と、基板から離れた超小型電子素子の面の少なくとも一部との上に重なり、超小型電子素子の上方には主面を有する。複数のパッケージコンタクト220は、基板から離れた超小型電子素子の面の上に重なる。 【選択図】図13
摘要翻译: 公开的是高于或微电子元件,使得其能够具有封装触点的表面之下,提供了模制的微电子封装的可堆叠的。 和基板230,微电子元件170,微电子封装290和终端240包括导电元件238,其电连接所述设备触点与芯片的基板的接触。 导电元件可以由彼此以同时携带不同的电位电隔离。 密封材料,所述衬底的所述第一表面,远离衬底覆盖所述微电子元件的所述表面的至少一部分上,具有主表面的微电子元件的上方。 多个封装触点220的远离衬底覆盖所述微电子元件的表面上。 .The 13
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公开(公告)号:JP5993470B2
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:JP2015018955
申请日:2015-02-03
申请人: インテル アイピー コーポレーション
发明人: バース、ハンス−ヨアキム , マーンコプフ、ラインハルト , アルバース、スヴェン , マイヤー、トルシュテン
IPC分类号: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/15 , H01L23/12 , H01L25/065
CPC分类号: H05K7/02 , H01L25/0657 , H05K13/0023 , H05K3/36 , H05K7/023 , H01L2224/16225 , H01L2224/18 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06558 , H01L23/3128 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2924/15311 , H05K2203/06 , Y10T156/10
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公开(公告)号:JP5964440B2
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:JP2014534601
申请日:2012-09-26
申请人: インヴェンサス・コーポレイション
发明人: クリスプ,リチャード・デューイット , ハーバ,ベルガセム , ランブレクト,フランク , ゾーニ,ワエル
CPC分类号: G11C5/02 , G11C5/04 , G11C5/063 , H01L24/24 , H01L24/49 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H05K1/181 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0557 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/24145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/49113 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06558 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/107 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H05K2201/09227 , H05K2201/10159 , Y02P70/611
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公开(公告)号:JP2016048756A
公开(公告)日:2016-04-07
申请号:JP2014173687
申请日:2014-08-28
申请人: マイクロン テクノロジー, インク.
IPC分类号: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L25/065
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L24/09 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0612 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/92125 , H01L2224/92143 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2225/06562 , H01L2225/06593 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/45 , H01L2924/15311 , H01L2924/181
摘要: 【課題】上段の半導体チップを下段の半導体チップからオーバーハングするように積層したMCPの半導体装置において、チップクラックを発生させることなく半導体装置を薄型化する。 【解決手段】半導体装置1は、絶縁基板3、絶縁基板3上に形成された絶縁膜、および、絶縁膜と同一の材料で絶縁膜の他の部位よりも厚く構成された厚膜部11を有する配線基板2と、配線基板2の厚膜部11から離間した位置に搭載された第1半導体チップ12と、第1半導体チップ12と厚膜部に跨るように、第1半導体チップ12上に積層された第2半導体チップ16と、第1半導体チップ12および第2半導体チップ16を覆うように配線基板2上に形成された封止樹脂層21と、を備えている。 【選択図】図2
摘要翻译: 要解决的问题:为了在半导体器件中实现半导体器件的薄化,而不会在半导体器件中产生芯片和裂纹,其中上层的半导体芯片被层叠以在较低的一级突出半导体芯片。 半导体器件1包括:绝缘基板3; 具有形成在绝缘基板3上的绝缘膜的布线板2和由绝缘膜形成的厚度大于绝缘膜另一部分的厚度的厚膜部11; 第一半导体芯片12,安装在布线板2的位置,远离厚膜部分11; 层叠在第一半导体芯片12上以便桥接第一半导体芯片12和厚膜部分的第二半导体芯片16; 以及形成在布线板2上以覆盖第一半导体芯片12和第二半导体芯片16的封装树脂层21.图示2:
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公开(公告)号:JP2014225668A
公开(公告)日:2014-12-04
申请号:JP2014102413
申请日:2014-05-16
申请人: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. , Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人: AHN JIN CHAN , KANG SUN-WON
IPC分类号: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号: H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/02375 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05554 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/48105 , H01L2224/48111 , H01L2224/48227 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06558 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/10161 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 【課題】半導体チップ上の再配線ルーティングが単純化され、さらに信頼度が高く、かつすぐれた性能を有する半導体パッケージを提供する。【解決手段】本発明による半導体パッケージは、複数の接続端子が配置された基板と、前記基板上に配置され、活性面が互いに対向するように配置された1対の半導体チップと、を有する半導体パッケージであって、前記1対の半導体チップは、前記基板に近い側に配置される第1半導体チップ、及び前記基板から遠い側に配置される第2半導体チップを含み、前記基板上に配置された複数の接続端子は、前記第1半導体チップを介して、前記第2半導体チップ上に配置された複数の端子、及び前記第2半導体チップの1以上の半導体素子と直接電気的に接続される。【選択図】図2
摘要翻译: 要解决的问题:提供一种半导体封装,其实现半导体芯片上的重新布线路由的简化,并且具有高可靠性和优异的性能。解决方案:根据本发明的半导体封装是半导体封装,其包括:衬底,其上 配置多个连接端子; 以及以活性表面彼此面对的方式布置在基板上的一对半导体芯片。 一对半导体芯片包括布置在更靠近基板的一侧的第一半导体芯片和布置在离基板更远的一侧的第二半导体芯片。 布置在基板上的多个连接端子经由第一半导体芯片与布置在第二半导体芯片上的多个端子和第二半导体芯片上的一个或多个半导体元件直接电连接。
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公开(公告)号:JP2014187343A
公开(公告)日:2014-10-02
申请号:JP2013126533
申请日:2013-06-17
IPC分类号: H01L21/82 , H01L21/60 , H01L21/822 , H01L27/04 , H05K3/34
CPC分类号: H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/04 , H01L23/12 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012
摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve wiring property on a substrate having a semiconductor chip flip-chip mounted thereon.SOLUTION: In a semiconductor chip to be flip-chip mounted, an inner chip pad column and an outer chip pad column disposed in a zigzag form on the inside and the outside of an IO cell are disposed at each predetermined interval or larger. The predetermined interval is an interval enabling the disposition of one via between inner and outer substrate pad columns of a substrate that are connected in a manner to face the inner and outer chip pad columns. Alternatively, the predetermined interval is an interval in which a plated wire is laid out and which enables the formation of a resist opening to etch back thereafter. The wiring property on the substrate is improved if there is no space to form wiring between the outer substrate pad columns.
摘要翻译: 要解决的问题:提高安装有半导体芯片倒装芯片的基板上的布线性能。解决方案:在要倒装芯片安装的半导体芯片中,设置为锯齿形的内芯片垫柱和外芯片垫柱 IO单元的内部和外部的形状以每个预定间隔或更大的间隔设置。 预定间隔是能够在以与内芯片垫和外芯片垫列相对的方式连接的基板的内基板垫和外基板垫之间布置一个通孔的间隔。 或者,预定间隔是布置电镀线的间隔,并且其后可以形成抗蚀剂开口以被回蚀。 如果在外基板焊盘列之间没有形成布线的空间,则衬底上的布线性能得到改善。
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公开(公告)号:JP5534067B1
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:JP2013044255
申请日:2013-03-06
申请人: 日本電気株式会社
发明人: 勉 武田
IPC分类号: H01L23/34 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K7/20
CPC分类号: H01L23/473 , H01L23/3677 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L25/0657 , H01L29/0657 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06558 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/10157 , H01L2924/10158 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2224/13099
摘要: 【課題】電子部品が内部で発生する熱を効果的に放熱して、冷却効果を引き出すことができる電子部品を提供する。
【解決手段】基体と、基体に形成され、冷却媒体を第1の方向から第2の方向に通過させる冷却チャネルと、基体よりも熱伝導率が高い材料を用いて冷却チャネルの表面に形成され、または冷却チャネルに突出するように形成され、冷却媒体に接触する放熱体とを備える。
【選択図】 図6-
9.Semiconductor package, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor package 有权
标题翻译: 半导体封装,半导体器件及制造半导体封装的方法公开(公告)号:JP2014056925A
公开(公告)日:2014-03-27
申请号:JP2012200488
申请日:2012-09-12
发明人: KYOZUKA MASAHIRO , TATEIWA AKIHIKO , KUNIMOTO YUJI , FURUICHI JUN
CPC分类号: H01L24/46 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/24227 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/85444 , H01L2224/9222 , H01L2224/92244 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/2075 , H01L2924/20754 , H01L2924/20751 , H01L2224/45099 , H01L2924/207
摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor package which can reduce warpage.SOLUTION: A semiconductor package 1 includes: a core substrate 10; a metal plate 20 formed so as to cover un upper surface 10A of the core substrate 10 except for the outer edge and cover an opening end on the upper surface 10A side of an opening 10X in the core substrate 10; and a conductive layer 22 having an opening 22X which communicates with the opening 10X and formed so as to cover a lower surface 10B of the core substrate 10 except for the outer edge. The semiconductor package 1 includes: a semiconductor chip 30 bonded on a lower surface 20B of the metal plate 20 which is exposed from the opening 10X; an insulation layer 21 which covers an upper surface 20A and a side surface 20C of the metal plate 20, and the outer edge of the upper surface 10A; and an insulation layer 40 which fills the openings 10X, 22X and covers the outer edge of the lower surface 10B, the conductive layer 22, and the semiconductor chip 30. The thickness containing the conductive layer 22 and the core substrate 10 is formed so as to be the same thickness as that of the semiconductor chip 30 or formed thicker than that of the semiconductor chip 30.
摘要翻译: 要解决的问题:提供可以减少翘曲的半导体封装。解决方案:半导体封装1包括:芯基板10; 形成为覆盖除了外缘以外的芯基板10的上表面10A并覆盖芯基板10的开口10X的上表面10A侧的开口端的金属板20; 以及具有开口22X的导电层22,该开口22X与开口10X连通并且形成为覆盖除了外边缘之外的芯基板10的下表面10B。 半导体封装1包括:接合在金属板20的从开口10X露出的下表面20B上的半导体芯片30; 覆盖金属板20的上表面20A和侧面20C的绝缘层21和上表面10A的外边缘; 以及填充开口10X,22X并覆盖下表面10B,导电层22和半导体芯片30的外边缘的绝缘层40.包含导电层22和芯基板10的厚度形成为 与半导体芯片30的厚度相同或形成为比半导体芯片30厚。
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公开(公告)号:JP5378643B2
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:JP2006267963
申请日:2006-09-29
IPC分类号: H01L25/065 , H01L21/56 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/06558 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/351 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology for manufacturing a semiconductor device having a greater integration density with a high yield. SOLUTION: The semiconductor device is provided with a rectangular first resin body made of insulative resin; a second resin body that is made of insulative resin and is integrated by overlapping the second surface of the first resin body over the first surface thereof and integrating them together; a plurality of conductive leads that are located in the first resin body and of which tip end is located inside and is exposed over the second surface of the resin body and of which the other end is located on the peripheral surface of the first rein body and is exposed over the first surface of the first resin body; at least one first electronic part that is located in the first resin body and wherein an electrode is electrically connected with a lead; at least one second electronic part that is located in the second resin body and wherein an electrode is electrically connected with a lead exposing over the first surface of the first resin body; and an external electrode terminal that is formed in a lead part exposing over the second surface of the first resin body. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
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