公开(公告)号：JP2017147342A

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：JP2016028289

申请日：2016-02-17

申请人： ローム株式会社

发明人： 玉川 博詞 ,  近藤 靖浩

IPC分类号： H01C17/02 ,  H01C17/00 ,  H01G2/10 ,  H01G4/224 ,  H01G4/18 ,  H01F27/02 ,  H01F17/00 ,  H01C13/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01G4/12 ,  H01C1/034

CPC分类号： H01L23/3178 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L29/34 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/07025

摘要： 【課題】基板の側壁に形成された側壁絶縁膜によって機能素子を良好に保護できるチップ部品およびその製造方法を提供する。基板の側壁に側壁絶縁膜を容易にかつ良好に形成できるチップ部品の製造方法を提供する。 【解決手段】チップ部品1は、基板2を含む。基板2の上面3側には、機能素子9が形成されている。基板2の上面3には、機能素子9に電気的に接続されるように第1外部電極7および第2外部電極8が間隔を空けて配置されている。基板2の側壁5は、側壁絶縁膜20により被覆されている。この構成において、基板2の側壁5には、基板2の上面3側から下面4側に向けて複数の凹凸21が形成されており、側壁絶縁膜20は、複数の凹凸21を埋めるように基板2の側壁5を被覆している。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2014135516A

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：JP2014079887

申请日：2014-04-09

申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： SENDA AKIHIRO

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/295 ,  H01L23/66 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02205 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11438 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81101 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/095 ,  H05K3/002 ,  H05K3/4069 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/029 ,  H05K2203/1163 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/035 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To decrease the thickness of a semiconductor integrated circuit which is highly integrated.SOLUTION: The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device, the method comprising the steps of: forming a first semiconductor element layer connected to a first bump, a first structure having a first sheet-like fiber body and a first organic resin, and a first through electrode penetrating the first structure on a substrate; forming a second semiconductor element layer connected to a second bump and a second structure having a second sheet-like fiber body and a second organic resin; forming a third through electrode penetrating a third structure by disposing a conductive resin having metal particles on an uncured third organic resin in a third structure having a third sheet-like fiber body and a third organic resin so that the uncured third organic resin is dissolved and the metal particles move in the third sheet-like fiber body; disposing the first through electrode, the third through electrode, and the second bump so as to overlap with each other on the substrate; and curing the third organic resin.

摘要翻译： 要解决的问题：降低高度集成的半导体集成电路的厚度。解决方案：半导体器件和半导体器件的制造方法技术领域本发明涉及半导体器件及其制造方法，该方法包括以下步骤：形成第一半导体元件 连接到第一凸起的层，具有第一片状纤维体和第一有机树脂的第一结构，以及在基板上穿透第一结构的第一贯通电极; 形成连接到第二凸块的第二半导体元件层和具有第二片状纤维体和第二有机树脂的第二结构; 通过在具有第三片状纤维体和第三有机树脂的第三结构中将未固化的第三有机树脂上的具有金属颗粒的导电树脂设置在第三结构中，使得未固化的第三有机树脂溶解，形成第三贯通电极， 金属颗粒在第三片状纤维体中移动; 设置第一贯通电极，第三贯通电极和第二凸块，以在基板上彼此重叠; 并固化第三有机树脂。

公开(公告)号：JP2018152507A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2017048802

申请日：2017-03-14

申请人： エイブリック株式会社

发明人： 加藤 伸二郎 ,  秋野 勝

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/60 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/02107 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02123 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133

摘要： 【課題】窒化チタンからなる反射防止膜の上にシリコン酸化膜が設けられていても、反射防止膜を形成している窒化チタンの酸化が生じにくく、1回のフォトリソグラフィー工程によりパッド開口部を形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】基板1と、基板1上に設けられた配線6と、配線6上に設けられた窒化チタンからなる反射防止膜7と、反射防止膜7上に設けられたシリコン酸化膜3とを有し、シリコン酸化膜3に形成された第1開口部91と反射防止膜7に形成された第2開口部92とが平面視で重なる位置に、配線6が露出されてなるパッド部8が形成され、反射防止膜7上のシリコン酸化膜3との対向面と第2開口部92に露出する反射防止膜7の露出面の一方または両方の少なくとも一部に、反射防止膜7中よりも未結合手の少ない金属窒化物からなる未結合手の少ない金属窒化物領域7aが形成されている半導体装置10とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6066569B2

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：JP2012027013

申请日：2012-02-10

申请人： ノードソン コーポレーション ,  NORDSON CORPORATION

发明人： デヴィッド キーティング フーテ ,  ジェイムズ ドナルド ゲッティ

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/85375 ,  H01L24/13 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253

公开(公告)号：JP2018148090A

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：JP2017043156

申请日：2017-03-07

申请人： エイブリック株式会社

发明人： 三室 陽一 ,  加藤 伸二郎 ,  塩浦 哲郎

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/78 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 【課題】アルミニウム合金配線のうち、ボンディングパッドとして露出する部分が、水分によって腐食(ガルバニック腐食)されるのを抑えることが可能な、半導体装置を提供する。 【解決手段】本発明の半導体装置100は、基板101と、基板の一方の主面101a側に設けられ、アルミニウム合金配線102とそれを囲む絶縁膜107とを含む積層体103と、積層体103を覆うシリコン窒化膜104とを有し、前記シリコン窒化膜および前記絶縁膜には、前記アルミニウム合金配線102のボンディング部分と重なる位置において、互いに連通する開口部105が設けられており、アルミニウム合金配線の表面のうち、開口部105から露出している部分に、シリコンと窒素を含む逆スパッタリング残渣からなる堆積物が付着し、皮膜106が形成されている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017069381A

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：JP2015193172

申请日：2015-09-30

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 利根川 丘

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/44 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03522 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53223 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L24/84 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/0509 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/35121

摘要： 【課題】半導体装置の特性を向上させる。 【解決手段】配線M1上に形成され、開口部OA1を有する保護膜PRO1と、開口部OA1内に形成されためっき膜OPM1とを有するように半導体装置を構成する。そして、開口部OA1の側面には、スリットSLが設けられ、このスリットSL内にもめっき膜OPM1が配置されている。このように、開口部OA1の側面に、スリットSLを設け、その内部にもめっき膜OPM1を成長させることにより、以降のめっき膜の形成時において、めっき液の侵入経路が長くなる。このため、配線(パッド領域PD)M1に腐食部が生じにくくなる。また、腐食部が生じた場合でも、スリットSLの部分が、配線(パッド領域PD)M1より先に犠牲となって腐食するため、配線(パッド領域PD)M1まで腐食部が進行することを抑制することができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP5663687B2

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：JP2014079887

申请日：2014-04-09

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 章裕 千田 ,  章裕 千田

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/295 ,  H01L23/66 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02205 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11438 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81101 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/095 ,  H05K3/002 ,  H05K3/4069 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/029 ,  H05K2203/1163 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/035 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2012169623A

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：JP2012027013

申请日：2012-02-10

申请人： Nordson Corp ,  ノードソン コーポレーションNordson Corporation

发明人： DAVID KEATING FOOTE ,  JAMES DONALD GETTY

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reliability of electrical connections made with copper surfaces in semiconductor devices.SOLUTION: Methods of protecting a surface of a copper layer or a copper bonding pad on a semiconductor device against oxidation are provided. A surface of the layer or bonding pad is cleaned by removing an oxidation layer with a plasma. A polymer layer is formed on the cleaned surface of the layer using a plasma-enhanced deposition process to protect the cleaned surface of the layer against exposure to an oxidizing gas.

摘要翻译： 要解决的问题：提高半导体器件中铜表面电连接的可靠性。 提供了保护半导体器件上的铜层或铜焊盘的表面免受氧化的方法。 通过用等离子体去除氧化层来清洁该层或接合焊盘的表面。 使用等离子体增强沉积工艺在层的清洁表面上形成聚合物层，以保护层的清洁表面免于暴露于氧化气体。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2018117026A

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：JP2017006256

申请日：2017-01-17

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 安田 貴弘

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/293 ,  H01L21/56 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49177 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00014

摘要： 【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。 【解決手段】第1パッドを有する半導体素子と、第2パッドを有するフレーム部材と、銅および銀の少なくとも一方を含み、第1パッドおよび第2パッドを接続する接続部材と、硫黄を含まない樹脂組成物で形成されており、半導体素子、フレーム部材および接続部材を封止する封止部とを備え、第1パッドの上面の算術平均粗さが0.02μm以上である半導体装置を提供する。第2パッドの上面の算術平均粗さが、第1パッドの算術平均粗さより大きくてもよい。樹脂組成物の硫黄の含有量がNH 4 イオンの含有量より少なくてもよい。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017117905A

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：JP2015250866

申请日：2015-12-24

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社 ,  Renesas Electronics Corp

发明人： OTA YUICHI ,  KITA KENTARO ,  OURA TAKEHIRO ,  YOSHIDA KOHEI

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823892 ,  H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/0218 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2221/68304

摘要： 【課題】半導体装置の製造歩留りを向上する。【解決手段】複数のボンディングパッドBPを覆う絶縁膜PSNと、絶縁膜PSN上に形成された第1保護膜RF1と、第1保護膜RF1上に形成された第2保護膜RF2と、を備える。製品チップSC1では、絶縁膜PSNに形成された第1開口部C1および第1保護膜RF1に形成された第2開口部C2を介して、複数の電極層MLが複数のボンディングパッドBPとそれぞれ電気的に接続し、第2保護膜RF2に形成された第3開口部C3を介して、複数のバンプ電極BEが複数の電極層MLとそれぞれ電気的に接続する。擬似チップSC2では、第1保護膜RF1に形成された第2開口部C2と、第2保護膜RF2に形成された第3開口部C3と、を有し、第3開口部C3が重なる第2開口部C2の底面に絶縁膜PSNが露出する。そして、複数のバンプ電極BEを覆うように主面上に保護テープが貼り付けられる。【選択図】図3