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1.

发明专利
Semiconductor device, and method for manufacturing it 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法

公开(公告)号：JP2008066694A

公开(公告)日：2008-03-21

申请号：JP2007042703

申请日：2007-02-22

申请人： Sanyo Electric Co Ltd , Sanyo Semiconductor Co Ltd , 三洋半導体株式会社 , 三洋電機株式会社

发明人： YANAGIDA MASAMICHI , KAMEYAMA KOJIRO , OKADA KIKUO

IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/0653 , H01L29/0657 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/0886 , H01L29/41716 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7802 , H01L29/7809 , H01L29/7813 , H01L2924/10158

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device where the effective thickness of a semiconductor substrate is reduced corresponding to the depths of openings and the semiconductor substrate is prevented from warping, and to provide a method for manufacturing the same. SOLUTION: In the present invention, openings 11 such as trench holes are formed on a back surface side of a semiconductor substrate 1. Then, a drain electrode 12 is formed being electrically connected with bottoms of these openings 11. In this case, a current path is formed short corresponding to the depths of the openings 11, thereby easily achieving low on-resistance. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

摘要翻译： 解决的问题：为了提供一种半导体器件，其中半导体衬底的有效厚度对应于开口的深度而减小，并且防止半导体衬底发生翘曲，并提供其制造方法。解决方案：在本发明中，在半导体衬底1的背面侧形成诸如沟槽的开口11.然后，形成与这些开口11的底部电连接的漏电极12.在这种情况下，对应于开口11的深度形成电流路径，从而容易实现低导通电阻。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

2.

发明专利
Vertical conduction electronic power device and method of realizing the same 审中-公开
标题翻译：垂直导电电子设备及其实现方法

公开(公告)号：JP2006108663A

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：JP2005280012

申请日：2005-09-27

申请人： Stmicroelectronics Srl , エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.STMicroelectronics S.r.l.

发明人： FRISINA FERRUCCIO , FERLA GIUSEPPE , MAGRI ANGELO

IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/417

CPC分类号： H01L29/66666 , H01L21/26586 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/417 , H01L29/41708 , H01L29/41716 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/66128 , H01L29/66272 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7322 , H01L29/7398 , H01L29/7809 , H01L29/8611

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical conduction electronic power device in which an output resistance, thermal resistance, size and gate change value are reduced. SOLUTION: The vertical conduction electronic power device includes gate areas 20, source areas 25 and drain areas 30 in an epitaxial layer 40 on a semiconductor substrate 10; gate sections 21, source sections 26 and drain sections 31 formed by a first metallization level; and gate terminals/pads, source terminals/pads 65 and drain terminals/pads formed by a second metallization level. The device extends perpendicularly to the substrate 10 and is provided with sinker structures 45 formed by grids of sinkers S arranged under both of first and second regions of individual drain areas 30. The sinker structure operates as an electrical conduction channel for the current directing from the source area 25 to the drain area 30 through the substrate 10. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种降低输出电阻，热阻，尺寸和栅极变化值的垂直导电电子功率器件。解决方案：垂直传导电子功率器件在半导体衬底10上的外延层40中包括栅极区域20，源极区域25和漏极区域30; 栅极部21，源极部26和由第一金属化层形成的漏极部31; 和栅极端子/焊盘，源极端子/焊盘65以及由第二金属化层形成的漏极端子/焊盘。该装置垂直于衬底10延伸，并且设置有沉积片结构45，其由布置在各个漏区30的第一和第二区两者下方的沉降片S形成。沉降片结构作为导电通道工作，源极区域25通过衬底10到达漏极区域30.权利要求：（C）2006，JPO＆NCIPI

3.

发明专利
半導体装置の製造方法および半導体製品有权

公开(公告)号：JP2017507494A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：JP2016554608

申请日：2015-02-27

申请人： エルファウンドリーエッセエッレエッレ , エルファウンドリーエッセエッレエッレ

发明人： ゲルハルトスピツルスペルガー , ゲルハルトスピツルスペルガー , カルステンシュミット , カルステンシュミット

IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L23/522 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/786

CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/743 , H01L21/76224 , H01L21/76898 , H01L21/823418 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L24/43 , H01L27/092 , H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/0878 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/41708 , H01L29/4175 , H01L29/41766 , H01L29/66272 , H01L29/66333 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/66696 , H01L29/66712 , H01L29/732 , H01L29/7395 , H01L29/7398 , H01L29/74 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7823 , H01L29/7824 , H01L29/7835 , H01L29/808 , H01L2224/4502

摘要： 半導体製品を製造する方法は、半導体ウェハ(10)を表側面から処理するステップであって、表側面の近傍にウェハの基板(100)内に配置される構造要素を形成するステップと、ウェハの表側面の上に配置される誘電体層(111)に埋め込まれる少なくとも1つの配線(110)を形成するステップと、を含む。半導体ウェハをその表側面においてキャリアウェハ(120)にマウントし、したがってウェハの裏面から材料を除去して半導体ウェハを薄化することができる。半導体ウェハの裏面における処理は、ウェハの裏面から注入領域を形成するステップと、構造要素をウェハ内の別の構造要素から分離するための深溝(132a,132b)を形成するステップと、ウェハの表側面における要素との接触を確立するためのスルーシリコンビア(134)を形成するステップと、ボディコンタクト(131)を形成するステップと、を含む。同じウェハ内にいくつかのデバイスを製造することができる。【選択図】図2J

4.

发明专利
Semiconductor device 有权

公开(公告)号：JP5011681B2

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：JP2005249595

申请日：2005-08-30

申请人： 日産自動車株式会社

发明人： 良雄下井田 , 滋春山上 , 正勝星 , 哲也林 , 秀明田中 , 俊朗篠原

IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868

CPC分类号： H01L29/7398 , H01L29/0834 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/7391 , H01L29/7392 , H01L29/7395 , H01L29/7397

5.

发明专利
半導体装置およびその製造方法审中-公开

公开(公告)号：JP2017139392A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：JP2016020383

申请日：2016-02-05

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 中西翔

IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/06

CPC分类号： H01L29/405 , H01L29/063 , H01L29/404 , H01L29/41708 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7809 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/66727

摘要： 【課題】破壊耐圧の向上と耐圧リーク電流の低減とを両立することにより、高信頼度の半導体装置を提供する。【解決手段】中間抵抗性フィールドプレートFPCを、その一端が内周側抵抗性フィールドプレートFPIと接続し、その他端が外周側抵抗性フィールドプレートFPOと接続する第1中間抵抗性フィールドプレートFPC1、および複数の第2中間抵抗性フィールドプレートFPC2から構成する。第1中間抵抗性フィールドプレートFPC1は、内周側抵抗性フィールドプレートFPIと外周側抵抗性フィールドプレートFPOとを結ぶ第1方向に互いに離間して配置され、かつ、第1方向と直交する第2方向に直線状に延在する複数の第1部分を備えた、第2方向に沿って往復を繰り返す平面パターンを有する。複数の第2中間抵抗性フィールドプレートFPC2は、複数の第1部分の一方側の第1端部にそれぞれ繋がり、曲率を有して延在する。【選択図】図1

6.

发明专利
半導体装置审中-公开

公开(公告)号：JPWO2015049852A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：JP2015540375

申请日：2014-09-26

申请人： パナソニックIpマネジメント株式会社

发明人： 久雄手島 , 久雄手島

IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/78

CPC分类号： H01L23/3192 , H01L21/78 , H01L23/3185 , H01L23/528 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L29/41716 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/732 , H01L29/7396 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/74 , H01L29/7809 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/8611 , H01L2224/02371 , H01L2224/02381 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05001 , H01L2224/05111 , H01L2224/05113 , H01L2224/05116 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05172 , H01L2224/0518 , H01L2224/05184 , H01L2224/05551 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05567 , H01L2224/05613 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05657 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/05671 , H01L2224/0568 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/10145 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/13324 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13355 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29116 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/32105 , H01L2224/32227 , H01L2224/81143 , H01L2224/81192 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/81907 , H01L2224/83143 , H01L2224/83192 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2224/83907 , H01L2224/94 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/35121 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01051 , H01L2924/014 , H01L2224/03 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

摘要： 半導体素子が形成された半導体層と、半導体層の上面上に形成され、半導体素子と電気的に接続された第1の導体膜と、半導体層の側面上に形成され、半導体素子と電気的に接続された第2の導体膜と、第1の導体膜上に形成され、第1の導体膜を露出する開口部を有する第1の保護膜とを備え、半導体層の上面から第2の導体膜の上面までの高さは、半導体層の上面から第1の導体膜の上面までの高さと同じ、又は、低い半導体装置。

7.

发明专利
Semiconductor device and a method of driving the same for power 有权

公开(公告)号：JP4746169B2

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：JP2000130648

申请日：2000-04-28

申请人： 株式会社東芝

发明人： 一郎大村 , 弘通大橋 , 常雄小倉 , 芳彦斉藤 , 健一都鹿野 , 渉齋藤

IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7398 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7802

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device for power which has a high break down voltage property and a short tune-on time and can be operated at high speeds and has a small switching loss. SOLUTION: In a power MOSFET, having a p+-type embedded layer 9 in an n--type drift layer 1, a p+-type carrier injection layer 10 connected to a second gate electrode 11 is formed at the side of a p-type base layer 4 to inject holes into the n--type drift layer 1 from the p+-type carrier injection layer 10 at turning on. By rapidly eliminating the depletion of the p+-type embedded layer 9 by injection holes from the p+-type carrier injection layer 10, the turn-on time can be shortened and a high speed operation is made possible, and additionally, switching loss is made small.