公开(公告)号：KR101704868B1

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020137022793

申请日：2012-04-16

申请人： 가부시키가이샤 다니구로구미

发明人： 다니구로가쓰모리

IPC分类号： B23K1/00 ,  H01L23/00 ,  B23K1/08 ,  B23K1/20 ,  B23K3/06 ,  B23K35/26 ,  B23K101/42

CPC分类号： B23K3/0607 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/08 ,  B23K1/20 ,  B23K1/203 ,  B23K3/0646 ,  B23K3/0669 ,  B23K3/082 ,  B23K35/262 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/741 ,  H01L24/742 ,  H01L2224/03312 ,  H01L2224/03418 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03821 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11821 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/741 ,  H01L2924/381 ,  H05K3/0085 ,  H05K3/282 ,  H05K3/3468 ,  H05K2203/081 ,  H05K2203/122 ,  H05K2203/1366 ,  H05K2203/1518 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2224/03

摘要： [과제] 저비용으로, 제품수율이높고, 신뢰성이높은납땜을실시할수 있고는납땜장치및 방법을제공한다. [해결수단] 동전극(2)을갖는피처리부재(10)를유기지방산함유용액(31)에침지하고, 침지한피처리부재(10)를유기지방산함유용액(31) 중에서수평이동하는제1 처리부와, 처리한피처리부재(10)를윗방향의증기분위기의공간부(24)로끌어올리면서, 피처리부재(10)를향해서용융땜납(5a)의기류(5')를분사하는분사수단(33)을구비한제2 처리부와, 처리한피처리부재(10)를공간부(24) 중에서수평이동한후에유기지방산함유용액(31) 중으로강하시키면서, 피처리부재(10) 상의잉여의용융땜납(5a)에유기지방산함유용액(31)을분사하여제거하는분사수단(34)을구비한제3 처리부와, 처리한피처리부재(10)를유기지방산함유용액(31) 중에서수평이동한후에윗방향으로끌어올려용액밖으로꺼내는제4 처리부를구비한납땜장치에의해상기과제를해결했다.

摘要翻译： 提供了一种能够以低成本，高产率和高可靠性老化的焊接装置和方法。 为了解决上述问题，焊接装置具有：将具有铜电极2的工件10浸渍在含有有机脂肪酸的溶液中的水平移动浸渍的有机脂肪酸溶液31中的工件10的第一处理部; 第二处理部分具有喷射单元33，以将熔融焊料5a的喷射流喷射到工件10上，同时将在第一处理部分中加工的工件10拉出到具有加压蒸汽气氛的空间部分24并且设置在有机脂肪酸之上 含有溶液31; 具有喷射单元34的喷射单元34，用于在空间部24中水平移动之后，将在第二处理部中处理的工件10拉下的同时，将有机脂肪酸溶液31喷射到工件10上的多余的熔融焊料5a以进行除去; 以及第四处理部，其通过在含有有机脂肪酸的溶液31中水平移动之后从含有机脂肪酸的溶液31中拉出而拾取在第三处理部中处理的工件10。

公开(公告)号：KR101581505B1

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：KR1020130115894

申请日：2013-09-30

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 후앙유이 ,  쿠오흉-주이 ,  리우청-쉬

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1144 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 도전성라인을제공하는시스템및 방법이제공된다. 실시예에서, 도전성라인은 2개의패시베이션층을형성함으로써형성되고, 각패시베이션층은독립적으로패터닝된다. 일단형성되면, 시드층이 2개의패시베이션층에증착되고, 도전성재료가증착되어 2개의패시베이션층내의패턴을충전및 과충전한다. 이어서, 화학적기계적폴리싱등의평탄화프로세스가사용되어과도한도전성재료를제거하고 2개의패시베이션층내에도전성라인을형성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150117707A

公开(公告)日：2015-10-20

申请号：KR1020157026626

申请日：2008-07-18

申请人： 알파 어셈블리 솔루션스 인크.

发明人： 보우그다모니르 ,  데자이니틴 ,  리프튼안나 ,  카셀레브오스카 ,  마아치마이클,티. ,  싱바와

IPC分类号： H01L23/00 ,  H05K13/04

CPC分类号： H05K13/0465 ,  B22F1/0062 ,  H01L23/373 ,  H01L24/03 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/8393 ,  H01L2224/83931 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/203 ,  H01L2924/3512 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49133 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T428/24893 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014

摘要： 부착방법및 이러한방법을사용하여제조한디바이스를개시한다. 소정의실시예에있어서, 상기방법은기판상에캐핑된나노재료를배치하는공정, 상기배치된캐핑된나노재료상에다이를배치하는공정, 상기배치된캐핑된나노재료및 상기배치된다이를건조하는공정, 및상기건조배치된다이및 상기건조캐핑된나노재료를 300℃이하의온도에서소결하여기판에다이를부착하는공정을포함한다. 상기방법을사용하여제조된디바이스도개시한다.

公开(公告)号：KR1020140113429A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020140029135

申请日：2014-03-12

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 가지와라료이찌 ,  나까조다꾸야 ,  아라이가쯔오 ,  야또유이찌 ,  오까히로이 ,  호조지히로시

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/50 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/3011 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45616 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8392 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205

摘要： The present invention is provided to improve the reliability of a semiconductor device which includes a die pad (6), an SiC chip (1) mounted on the die pad (6), a first porous sintered Ag layer (16) bonding the die pad (6) and the SiC chip (1), and a reinforcing resin portion (17) covering the surface of the first sintered Ag layer (16) and formed in a fillet shape. In addition, the semiconductor device includes a source lead (9) electrically connected to a source electrode (2) of the SiC chip (1); a gate lead electrically connected to a gate electrode (3) a drain lead electrically connected to a drain electrode (4); and a sealing body (14) which covers the SiC chip (1), the first sintered Ag layer (16), and a part of the die pad (6). The reinforcing resin portion (17) covers a part of the side surface (1c) of the SiC chip (1).

摘要翻译： 提供本发明以提高包括芯片焊盘（6），安装在芯片焊盘（6）上的SiC芯片（1））的半导体器件的可靠性，第一多孔烧结Ag层（16） （6）和SiC芯片（1）以及覆盖第一烧结Ag层（16）的表面并形成为圆角形状的增强树脂部分（17）。 另外，半导体器件包括与SiC芯片（1）的源电极（2）电连接的源极引线（9）。 电连接到栅电极的栅极引线，电连接到漏电极的漏极引线; 以及覆盖SiC芯片（1），第一烧结Ag层（16）和芯片焊盘（6）的一部分的密封体（14）。 加强树脂部分（17）覆盖SiC芯片（1）的侧表面（1c）的一部分。

公开(公告)号：KR1020140005784A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：KR1020130076889

申请日：2013-07-02

申请人： 베시 스위처랜드 아게

发明人： 베르히톨드하인리히 ,  베트샤르트레네

IPC分类号： H01L21/607

CPC分类号： B23K3/063 ,  B23K1/06 ,  B23K1/20 ,  B23K3/025 ,  B23K3/04 ,  B23K3/085 ,  B23K20/10 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/03 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205

摘要： A device for dispensing free-flux solder on a substrate includes a head (2) having a stamp (5) in which ultrasonic waves can be applied. The solder is dispensing by: A) a step of moving the dispensing head (2) on a next substrate; B) a step of lowering the stamp (5) until the operational surface (11) of the stamp (5) is in contact with the substrate or is positioned at the predetermined height of the substrate; C) a step of dispensing the solder; C1) a step of moving a solder wire (08) forwards until the solder wire (08) is in contact with the substrate in order for a tip of the solder wire (08) to be in contact with the substrate inside a groove (12); C2) a step of additionally moving the solder wire (08) forwards in order for the predetermined amount of the solder to be fused; C3) a step of dispensing the solder by moving the solder wire (08) backwards; D) a step of moving the dispensing head (2) in order for the solder to be dispensed on the substrate and applying the ultrasonic waves to the stamp (5); E) and a step of lifting the stamp (5).

摘要翻译： 用于在衬底上分配自由焊剂焊料的装置包括具有可以施加超声波的印模（5）的头部（2）。 焊料通过以下方式分配：A）将分配头（2）移动到下一个衬底上的步骤; B）降低印模（5）直到印模（5）的操作表面（11）与基板接触或位于基板的预定高度处的步骤; C）分配焊料的步骤; C1）使焊丝（08）向前移动直到焊丝（08）与基板接触的步骤，以使焊丝（08）的尖端与凹槽（12）内的基板接触 ）; C2）将焊丝（08）向前移动以使预定量的焊料熔合的步骤; C3）通过向后移动焊丝（08）来分配焊料的步骤; D）移动分配头（2）以使焊料分配在基板上并将超声波施加到印模（5）上的步骤; E）和抬起邮票（5）的步骤。

公开(公告)号：KR101298193B1

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：KR1020110068028

申请日：2011-07-08

申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드

发明人： 템보리,딘야네시챈드라캔트 ,  라마머씨,라즈쿠말 ,  렌니,데이비드배리 ,  라오,마드후칼바스카라 ,  바너제,가우탐 ,  파리스,진에버래드

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC分类号： C11D3/2082 ,  B28D5/0076 ,  C11D1/14 ,  C11D3/044 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/03

摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼 다이싱용 용액에 관해 개시하고 있다. 상기 용액은 웨이퍼를 톱으로 다이싱하는 과정 동안 오염 잔류물이나 미립자의 점착을 억제하고, 노출된 금속화 부위의 부식을 감소시키거나 제거한다. 상기 용액은 하나 이상의 유기산 및/또는 이의 염; 하나 이상의 계면활성제 및/또는 염기; 및 탈이온수를 포함하며, 상기 조성물의 pH는 4 이상이다. 상기 용액은 킬레이트제, 소포제, 또는 분산제를 추가로 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110049862A

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：KR1020117005390

申请日：2009-08-07

申请人： 플립칩 인터내셔날, 엘.엘.씨

发明人： 르체존제이에이치 ,  존슨마이클이 ,  버게스가이에프 ,  커티스앤소니피 ,  리치텐샬스투어트

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/293 ,  H01L23/564 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05552

摘要： 유전체 인케이스먼트를 사용하여 반도체 소자에 대해 강화된 신뢰성을 위한 방법 및 디바이스가 개시된다. 본 방법 및 디바이스는 집적 회로(IC) 칩을 기판에 접속시키는 솔더 조인트의 신뢰성을 개선하는 것에 관한 것이다. 방법은 반도체 소자의 상부 표면에 감광성 영구 유전체 재료의 층을 도포하고, 각각의 특징부 상에 개구를 갖도록 감광성 영구 유전체 재료의 층을 패터닝하는 것을 포함한다. 방법은 영구 유전체 재료 개구 안으로 플럭싱 재료를 디스펜싱하거나 스텐실 인쇄하고, 플럭싱 재료의 상부 표면에 플럭스를 함유하지 않는 솔더를 도포하는 것을 더 포함한다. 하나 이상의 실시예에서, 방법은 반도체 소자를 솔더의 리플로우에 적절한 리플로우 온도로 가열함으로써 솔더를 영구 유전체 재료 개구의 측벽에 따르도록 하여 보호 시일을 형성하는 것을 더 포함한다.

公开(公告)号：KR1020070010211A

公开(公告)日：2007-01-22

申请号：KR1020077000028

申请日：2000-03-06

申请人： 램 리서치 코포레이션

发明人： 리,휴 ,  히메스,다이안,제이.

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49

CPC分类号： H01L24/85 ,  B08B1/04 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method is described comprising removing an oxide from a surface and then commencing application of a passivation layer to the surface within 5 seconds of the oxide removal. The surface may be a copper surface which may further comprise a bonding pad surface. Removing the oxide may further comprise applying a solution comprising citric acid or hydrochloric acid. Applying the passivation layer may further comprise applying a solution comprising a member of the azole family where the azole family member may further comprise BTA. The method may also further comprise completely applying the passivation layer 35 seconds after commencing its application. ® KIPO & WIPO 2007

摘要翻译： 描述了一种方法，其包括从表面除去氧化物，然后在氧化物去除的5秒内开始将钝化层施加到表面。 表面可以是可以进一步包括焊盘表面的铜表面。 除去氧化物还可以包括施加包含柠檬酸或盐酸的溶液。 施加钝化层还可以包括施加包含唑族的成员的溶液，其中唑类家族成员还可以包含BTA。 该方法还可以进一步包括在开始应用之后35秒完全施加钝化层。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020060084386A

公开(公告)日：2006-07-24

申请号：KR1020060005386

申请日：2006-01-18

申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤

发明人： 나카야마히로히사 ,  사토시로 ,  쇼지마사노부 ,  노사카히토시

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H05K3/3489 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014

摘要： 본 발명의 과제는 외부 단자의 신뢰성이 향상되는 반도체 장치의 제조 방법 및 전기적 접속부의 처리 방법을 제공하는 것에 있다.
반도체 장치의 제조 방법은 (a) 반도체 기판(20)과 전기적으로 도통하는 전기적 접속부(14)에, 산을 포함하는 페이스트(54)를 설치하는 것, (b) 전기적 접속부(14)를 세정함으로써 페이스트(54)를 전기적 접속부(14)로부터 제거하는 것, (c) 전기적 접속부(14)에 도전 부재를 설치하는 것을 포함한다.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：将含有酸的膏体施加到与半导体衬底电连接的电连接部分; 通过洗涤电连接部分从电连接部分去除糊料; 以及向所述电连接部提供导电材料。

公开(公告)号：KR20180021195A

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：KR20187003309

申请日：2016-07-08

申请人： DECA TECH INC

发明人： OLSON TIMOTHY L ,  ROGERS WILLAM BOYD ,  ALDAS FERDINAND

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/56 ,  H01L21/677 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67784 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/19 ,  H01L24/75 ,  H01L24/76 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75651 ,  H01L2224/7665 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/214

摘要： 반도체기판위에에칭용액을분배하여재료의층 상에에칭용액의풀을형성하는단계 - 에칭용액의풀의풋프린트는반도체기판의풋프린트보다더 작음 - 를포함할수 있는, 반도체기판위로부터재료의층의적어도일부분을제거하는방법이개시된다. 에칭용액의풀 및반도체기판은서로에대해이동될수 있다. 에칭용액의풀의풀 경계가적어도하나의에어나이프로반도체기판상에한정되어, 에칭용액의풀이에칭용액의풀의풋프린트내에서반도체기판위의재료의층을에칭하게할 수있다. 에칭용액및 에칭용액에의해에칭되는재료의층의적어도일부분이적어도하나의에어나이프로제거될수 있다.

摘要翻译： 将蚀刻剂溶液分布到半导体衬底上以在材料层上形成蚀刻剂溶液池，其中蚀刻剂溶液池的占地面积小于半导体衬底的占地面积。 公开了一种去除至少一部分层的方法。 蚀刻溶液池和半导体衬底可以相对于彼此移动。 使用至少一个气刀在半导体衬底上限定蚀刻溶液池的池边界，使得蚀刻溶液的溶液可以在蚀刻溶液池池内的半导体衬底上蚀刻一层材料。 可以用至少一个气刀去除由蚀刻溶液和蚀刻溶液蚀刻的材料层的至少一部分。