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公开(公告)号:KR1020140117606A
公开(公告)日:2014-10-07
申请号:KR1020147023523
申请日:2013-02-22
申请人: 히타치가세이가부시끼가이샤
IPC分类号: H01L21/60 , C09J11/06 , C09J163/00 , H01L21/56
CPC分类号: H01L21/56 , B23K35/3612 , B23K35/3618 , C08K5/092 , C09J11/06 , C09J163/00 , C09J2463/00 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L2021/60 , H01L2224/03825 , H01L2224/0401 , H01L2224/051 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05575 , H01L2224/0558 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11825 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13575 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/271 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/27848 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81011 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/81907 , H01L2224/831 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83862 , H01L2224/9205 , H01L2224/9211 , H01L2224/92122 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/06 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2224/16145 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/27 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2224/11
摘要: 반도체 칩 및 배선 회로 기판의 각각의 접속부가 서로 전기적으로 접속된 반도체 장치, 또는 복수의 반도체 칩의 각각의 접속부가 서로 전기적으로 접속된 반도체 장치의 제조 방법으로서, 상기 접속부 중 적어도 일부를, 하기 식(1-1) 또는 식(1-2)으로 표시되는 기를 가지는 화합물을 함유하는 반도체용 접착제를 사용하여 봉지(封止)하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
[화학식 1]
[식 중, R
1 은 전자 공여성기를 나타내고, 복수 존재하는 R
1 은 서로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다]-
公开(公告)号:KR1020120046793A
公开(公告)日:2012-05-10
申请号:KR1020127008574
申请日:2006-06-14
申请人: 쿠퍼 에셋 엘티디. 엘.엘.씨.
CPC分类号: H01L24/11 , H01L21/4853 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/427 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/488 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68345 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2223/6616 , H01L2223/6622 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/114 , H01L2224/1147 , H01L2224/116 , H01L2224/11912 , H01L2224/13012 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13184 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/13609 , H01L2224/16146 , H01L2224/16237 , H01L2224/24226 , H01L2224/45111 , H01L2224/75 , H01L2224/75305 , H01L2224/81001 , H01L2224/81011 , H01L2224/81054 , H01L2224/81136 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81825 , H01L2224/81894 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06531 , H01L2225/06534 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2225/06596 , H01L2924/00013 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01S5/02272 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/183 , H01S5/18308 , H01S2301/176 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 제1 웨이퍼 상의 제1 콘택을 제2 웨이퍼의 제2 콘택에 전기적으로 접속하는 방법 - 제1 콘택은 강성 물질을 포함하고, 제2 콘택은 강성 물질에 대하여 유연한 물질을 포함하여, 접합시, 강성 물질이 연성 물질을 관통하도록 하고, 강성 및 연성 물질은 전기적으로 도전성임 - 에 있어서, 강성 물질을 연성 물질에 접촉시키는 단계; 제1 콘택 및 제2 콘택 중의 하나에 힘을 가하여 강성 물질이 연성 물질을 관통하도록 하는 단계; 강성 및 연성 물질을 가열하여 연성 물질이 부드러워지도록 하는 단계; 및 연성 물질을 사전 지정된 영역 내로 구속하는 단계를 포함하는 방법이 개시된다.
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公开(公告)号:KR20180021222A
公开(公告)日:2018-02-28
申请号:KR20187004667
申请日:2014-09-09
IPC分类号: H01L23/532 , B22F1/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/50 , H01L23/522 , H05K3/34
CPC分类号: H01L24/13 , B22F1/00 , B23K35/0227 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K35/3615 , B32B15/01 , B32B15/20 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , C22C9/00 , C22C13/00 , C25D3/30 , C25D3/60 , C25D5/12 , H01B1/026 , H01L21/2885 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/76885 , H01L23/481 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L24/11 , H01L2224/11825 , H01L2224/13005 , H01L2224/13147 , H01L2224/1357 , H01L2224/1358 , H01L2224/13582 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/1369 , H01L2924/0002 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01048 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/35 , H05K3/4015 , H05K2201/10242
摘要: 비커스경도가낮고, 또한산술평균조도가작은 Cu 칼럼, Cu 핵칼럼, 납땜조인트및 실리콘관통전극을제공한다. 본발명에관한 Cu 칼럼(1)은, 순도가 99.9% 이상 99.995% 이하이고, 산술평균조도가 0.3㎛이하이고, 비커스경도가 20HV 이상 60HV 이하이다. Cu 칼럼(1)은, 솔더링의온도에서용융되지않고, 일정한스탠드오프높이(기판사이의공간)를확보할수 있으므로, 3차원실장이나협피치실장에적합하게사용된다.
摘要翻译: 本发明提供具有低维氏硬度和小算术平均粗糙度的Cu柱,Cu芯柱,焊点和硅通孔。 对于根据本发明的Cu塔1,其纯度等于或高于99.9%且等于或低于99.995%,其算术平均粗糙度等于或小于0.3μm,并且其维氏硬度等于 或高于20HV且等于或低于60HV。 由于Cu柱1在焊接时不会在熔化温度下熔化,并且可以保持一定的脱离高度(基板之间的空间),所以优选应用于三维安装或间距缩小安装。
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公开(公告)号:KR101452601B1
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:KR1020127008574
申请日:2006-06-14
申请人: 쿠퍼 에셋 엘티디. 엘.엘.씨.
CPC分类号: H01L24/11 , H01L21/4853 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/427 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/488 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68345 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2223/6616 , H01L2223/6622 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/114 , H01L2224/1147 , H01L2224/116 , H01L2224/11912 , H01L2224/13012 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13184 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/13609 , H01L2224/16146 , H01L2224/16237 , H01L2224/24226 , H01L2224/45111 , H01L2224/75 , H01L2224/75305 , H01L2224/81001 , H01L2224/81011 , H01L2224/81054 , H01L2224/81136 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81825 , H01L2224/81894 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06531 , H01L2225/06534 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2225/06596 , H01L2924/00013 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01S5/02272 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/183 , H01S5/18308 , H01S2301/176 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 제1 웨이퍼 상의 제1 콘택을 제2 웨이퍼의 제2 콘택에 전기적으로 접속하는 방법 - 제1 콘택은 강성 물질을 포함하고, 제2 콘택은 강성 물질에 대하여 유연한 물질을 포함하여, 접합시, 강성 물질이 연성 물질을 관통하도록 하고, 강성 및 연성 물질은 전기적으로 도전성임 - 에 있어서, 강성 물질을 연성 물질에 접촉시키는 단계; 제1 콘택 및 제2 콘택 중의 하나에 힘을 가하여 강성 물질이 연성 물질을 관통하도록 하는 단계; 강성 및 연성 물질을 가열하여 연성 물질이 부드러워지도록 하는 단계; 및 연성 물질을 사전 지정된 영역 내로 구속하는 단계를 포함하는 방법이 개시된다.
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公开(公告)号:KR1020060044669A
公开(公告)日:2006-05-16
申请号:KR1020050024407
申请日:2005-03-24
申请人: 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人: 이마이히데오
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/16 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1358 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29355 , H01L2224/2939 , H01L2224/29399 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H05K3/323 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
摘要: 본 발명은 저비용으로 접속 신뢰성이 높은 반도체 칩 및 이 반도체 칩을 갖는 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 이 반도체 장치를 갖는 전자기기를 제공하는 것으로, 범프(10)를 갖는 반도체 칩(2)과 랜드(3)를 구비한 배선 기판(4)을 갖고, 범프(10)와 랜드(3)가 절연성 재료로 분산된 도전성 입자(5)로 접속되는 반도체 장치(1)로서, 범프(10)는 제 1 도전층(11)과, 해당 제 1 도전층(11)에 접촉되는 제 2 도전층(12)과, 해당 제 2 도전층에 접촉되는 제 3 도전층(13)을 갖고, 도전성 입자(5)가 제 3 도전층(13)으로 삽입되어 전기적 접속이 이루어지는 것이다.
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公开(公告)号:KR1020040050245A
公开(公告)日:2004-06-16
申请号:KR1020020078017
申请日:2002-12-09
申请人: 삼성전자주식회사
IPC分类号: G02F1/136
CPC分类号: G02F1/13454 , G02F1/13452 , G02F1/13458 , G02F2202/022 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L27/1203 , H01L27/124 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13012 , H01L2224/13019 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/16 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/014 , H01L2224/05599
摘要: PURPOSE: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, an LCD(Liquid Crystal Display) having the same and a manufacturing method thereof are provided to enhance an electrical contact characteristic between a driving integrated circuit and an electrode pad. CONSTITUTION: A gate pad region(292) is comprised of the insulated first substrate(210), gate electrode pads(270a,270b) equipped on the first substrate(210), the first conductive bump(250) equipped on the gate electrode pads(270a,270b), a drive integrated circuit(500) electrically connected with the first conductive bump(250) and a non-conductive resin(600), as a fixing member, for maintaining the electrical connection state between the first conductive bump(250) and the drive integrated circuit(500). The first conductive bump(250) is comprised of the first protrusion member(251) and the first conductive coating layer(252). A data pad region(293) is comprised of the insulated first substrate(210), data electrode pads(280a,280b) equipped on the first substrate(210), the first conductive bump(250) equipped on the gate electrode pads(280a,280b), a drive integrated circuit(500) electrically connected with the first conductive bump(250) and a non-conductive resin(600), as a fixing member, for maintaining the electrical connection state between the first conductive bump(250) and the drive integrated circuit(500).
摘要翻译: 目的:提供一种薄膜晶体管及其制造方法,具有该薄膜晶体管的LCD(液晶显示器)及其制造方法,以增强驱动集成电路和电极焊盘之间的电接触特性。 构造:栅极焊盘区域(292)由绝缘的第一衬底(210),装配在第一衬底(210)上的栅电极焊盘(270a,270b),安装在栅电极焊盘上的第一导电凸块(250) (270a,270b),与第一导电凸块(250)电连接的驱动集成电路(500)和非导电树脂(600)作为固定部件,用于保持第一导电凸块 250)和驱动集成电路(500)。 第一导电凸块(250)由第一突出构件(251)和第一导电涂层(252)构成。 数据焊盘区域(293)由绝缘的第一衬底(210),装在第一衬底(210)上的数据电极焊盘(280a,280b),安装在栅电极焊盘(280a)上的第一导电凸块 ,280b),与第一导电凸块(250)电连接的驱动集成电路(500)和非导电树脂(600)作为固定部件,用于保持第一导电凸块(250)和第二导电凸块 和驱动集成电路(500)。
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公开(公告)号:KR1020140116220A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:KR1020147023580
申请日:2012-10-01
申请人: 히타치가세이가부시끼가이샤
IPC分类号: C09J163/00 , C09J11/06 , H01L21/52 , H01L21/60 , H01L23/29
CPC分类号: C09J11/06 , B23K35/3613 , B23K35/3618 , B23K35/362 , C08K5/092 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L23/295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L2224/03825 , H01L2224/0401 , H01L2224/051 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05575 , H01L2224/0558 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11825 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13575 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/271 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/27848 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/73104 , H01L2224/81011 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/81907 , H01L2224/831 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/9205 , H01L2224/92122 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H05K3/305 , H05K3/3436 , H05K2201/0367 , H05K2201/10977 , Y02P70/613 , C08K5/09 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/8385 , H01L2924/00 , C08L63/00 , H01L2224/27 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2224/11 , H01L2924/0001
摘要: 에폭시 수지, 경화제 및 하기 식(1)으로 표시되는 기를 가지는 화합물을 함유하는, 반도체용 접착제.
[화학식 1]
[식 중, R
1 은, 전자 공여성기를 나타낸다.]-
公开(公告)号:KR1020140116216A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:KR1020147023546
申请日:2012-10-01
申请人: 히타치가세이가부시끼가이샤
IPC分类号: C09J163/00 , C09J7/00 , C09J11/06 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/293 , C08K5/092 , C09J11/06 , C09J163/00 , H01L21/56 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L2224/03825 , H01L2224/0401 , H01L2224/051 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05575 , H01L2224/0558 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11825 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13575 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/271 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/27848 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/73104 , H01L2224/81011 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/81907 , H01L2224/831 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/8349 , H01L2224/83862 , H01L2224/9205 , H01L2224/92122 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/10253 , H05K3/305 , H05K3/3436 , H05K2201/0367 , H05K2201/10977 , Y02P70/613 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/27 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2224/11
摘要: 에폭시 수지, 경화제 및 하기 식(1-1) 또는 식(1-2)으로 표시되는 기를 가지는 화합물로 이루어지는 플럭스제를 함유하는, 반도체용 접착제.
[화학식 1]
[식 중, R
1 은 전자 공여성기를 나타내고, 복수 존재하는 R
1 은 서로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.]-
公开(公告)号:KR1020130050918A
公开(公告)日:2013-05-16
申请号:KR1020127026640
申请日:2011-03-15
IPC分类号: H01L21/02 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/00 , H01L21/768
CPC分类号: H01L21/02068 , C23C16/345 , C23C16/45523 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/56 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/742 , H01L2224/1181 , H01L2224/1182 , H01L2224/11827 , H01L2224/11831 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/1358 , H01L2224/13583 , H01L2224/13687 , H01L2224/742 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/05042 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
摘要: 기판의 피쳐들 상에 실리콘 질화물을 포함하는 패시베이션 층을 형성하는 방법이 설명된다. 증착 방법의 제 1 단계에서, 유전체 증착 가스는 실리콘-함유 가스 및 질소-함유 가스를 포함하고, 공정 구역 안으로 도입되고 실리콘 질화물 층을 증착하기 위해 에너지화된다. 제 2 단계에서, 처리 가스는 유전체 증착 가스의 조성물과 상이한 조성물을 갖고, 공정 구역 안으로 도입되며, 실리콘 질화물 층을 처리하기 위해 에너지화된다. 제 1 및 제 2 단계들은 복수 회 수행될 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020080080932A
公开(公告)日:2008-09-05
申请号:KR1020080018757
申请日:2008-02-29
申请人: 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人: 니시자와모토유키
CPC分类号: H05K3/321 , H01L21/563 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/11822 , H01L2224/11901 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1358 , H01L2224/16225 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29355 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75743 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2224/92125 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/1579 , H05K2201/10674 , H05K2201/10992 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/0695 , H01L2224/29099 , H01L2924/013
摘要: A semiconductor device is provided to bond an electrode of a wiring substrate to an external connection terminal of a semiconductor device by using conductive adhesive containing Ag with improved conductivity. An external connection terminal of a semiconductor device is bonded to an electrode of a wiring substrate(11) by conductive adhesive including first conductive adhesive(20-1) and second conductive adhesive(20-2) coating the first conductive adhesive. The first conductive adhesive contains a conductive filler including Ag. The second conductive adhesive contains a conductive filler including metal selected from a group composed of Sn, Zn, Co, Fe, Pd and Pt. A region to which the first conductive adhesive can be formed on a surface where the conductive adhesive comes in contact with the electrode of the wiring substrate.
摘要翻译: 提供一种半导体器件,通过使用具有改善的导电性的含有Ag的导电粘合剂将布线基板的电极连接到半导体器件的外部连接端子。 半导体器件的外部连接端子通过包括涂覆第一导电粘合剂的第一导电粘合剂(20-1)和第二导电粘合剂(20-2)的导电粘合剂结合到布线基板(11)的电极。 第一导电粘合剂含有包含Ag的导电填料。 第二导电粘合剂含有包含选自由Sn,Zn,Co,Fe,Pd和Pt组成的组的金属的导电填料。 可以在导电性粘合剂与布线基板的电极接触的表面上形成第一导电性粘合剂的区域。
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