公开(公告)号：KR1020160067119A

公开(公告)日：2016-06-13

申请号：KR1020167009824

申请日：2014-10-03

申请人： 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤

发明人： 코지마나오유키 ,  히카사카즈히토 ,  사토슌이치로 ,  후지와라히데미치 ,  와타나베마사토

IPC分类号： H01L23/00 ,  B22F7/00

CPC分类号： H01L24/83 ,  B22F7/004 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/2932 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75986 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/054 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01069 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00012

摘要： 본발명은금속부재와금속다공질체의접합부에서의크랙발생을방지하고, 신뢰성이높은접합을실현할수 있는접합구조를제공하는것을목적으로한다. 본발명의접합구조는, 금속부재(1)와, 해당금속부재(1) 상에형성된금속다공질체(2)를구비한다. 금속부재(1)는, 한쪽의주면(1a)을포함하고금속다공질체(2) 측에형성된외부층(1b)과, 외부층(1b)보다도두께방향에있어서금속다공질체(2)로부터떨어진위치에형성된내부층(1c)을구비하고, 외부층(1b)의평균결정입자직경(ds)이내부층(1c)의평균결정입자직경(di)보다도작고, 금속다공질체(2)의평균결정입자직경(dp)이외부층(1b)의평균결정입자직경(ds)보다도작거나또는같다.

摘要翻译： 提供一种防止在金属构件和金属多孔体之间的接合部发生裂纹的接合结构，并且可以实现高可靠性的接合。 本发明的接合结构具有形成在金属构件1上的金属构件1和金属多孔体2.金属构件1包括外层1b和内层1c，外层1b包括主表面1a 并且形成在金属多孔体2侧，内层1c形成在厚度方向上比外层1b更远离金属多孔体2的位置，外层1b的平均结晶粒径ds为 小于内层1c的平均晶粒尺寸di，并且金属多孔体2的平均晶粒尺寸dp小于或等于外层1b的平均晶粒尺寸ds。

公开(公告)号：KR1020150013899A

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：KR1020147036309

申请日：2013-03-11

申请人： 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤

发明人： 우에다미쓰히코 ,  사나가와요시하루 ,  아케타다카노리 ,  하야시신타로

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L24/97 ,  B23K20/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83127 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1461 ,  H01L21/48 ,  H01L21/481 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 기판 상에 복수 개의 칩을 실장하는 실장 방법은, 기판에 복수 개의 칩의 각각을 가접합하는 가접합 단계와, 기판에 가접합된 복수 개의 칩의 각각을 기판에 본접합하는 본접합 단계를 포함한다. 가접합 단계는, 제1 스텝과 제2 스텝으로 이루어지는 제1 기본 단계를, 기판에 실장하는 복수 개의 칩의 수만큼 반복한다. 제1 스텝은, 기판(1)의 제1 금속층과 칩의 제2 금속층을 위치맞춤시킨다. 제2 스텝은, 제2 금속층과 제1 금속층을 고상 확산 접합함으로써 가접합한다. 본접합 단계는, 제3 스텝과 제4 스텝으로 이루어지는 제2 기본 단계를, 기판 상의 복수 개의 칩의 수만큼 반복한다. 제3 스텝은, 기판에 가접합되어 있는 칩의 위치를 인식한다. 제4 스텝은, 제2 금속층과 제1 금속층을 액상 확산 접합함으로써 본접합한다.

摘要翻译： 将芯片安装在基板上的安装方法包括临时粘合基板上的芯片的临时接合工艺，以及在基板上牢固地单独地接合临时接合在基板上的芯片的主粘合工艺。 暂时接合处理是根据要安装在基板上的芯片的数量重复执行第一基本处理。 第一基本过程包括第一步骤和第二步骤。 第一步是在衬底的第一金属层上对准每个芯片的第二金属层。 第二步是通过对第一和第二金属层进行固相扩散接合来临时粘合每个芯片。 主要粘接过程是根据基板上的芯片数量重复执行第二基本过程。 第二基本过程包括第三步骤和第四步骤。 第三步是识别临时安装在基板上的每个芯片的位置。 第四步是通过使第一和第二金属层进行液相扩散接合来牢固地结合每个芯片。

公开(公告)号：KR1020130043210A

公开(公告)日：2013-04-29

申请号：KR1020137004851

申请日：2011-08-03

申请人： 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤

发明人： 사카모토,요시츠구 ,  야마다,히로유키 ,  야마나카,요시에 ,  오니시,츠카사 ,  요시카와,슌사쿠 ,  다도코로,켄조

IPC分类号： B23K35/14 ,  B23K1/00 ,  B23K1/08 ,  H01L21/52

CPC分类号： B23K35/262 ,  B22F2998/00 ,  B23K35/025 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C1/08 ,  C22C9/02 ,  C22C13/00 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/07 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/203 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/0116 ,  Y10T428/12479 ,  H01L2924/00014 ,  C22C1/0483 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2924/0002

摘要： A semiconductor device is provided which has internal bonds which do not melt at the time of mounting on a substrate. A bonding material is used for internal bonding of the semiconductor device. The bonding material is obtained by filling the pores of a porous metal body having a mesh-like structure and covering the surface thereof with Sn or an Sn-based solder alloy.

公开(公告)号：KR101794390B1

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：KR1020137018783

申请日：2011-04-08

申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하

发明人： 플라치,토마스 ,  힌저를,커트 ,  윔플린저,마커스 ,  플뢰트겐,크리스토프

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/762 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/1082 ,  H01L2924/10821 ,  H01L2924/10823 ,  H01L2924/20106

摘要： 본발명은제1 기판(1)의제1 접촉표면(3)을제2 기판(2)의제 2 접촉표면(4) 접합하기위한방법으로서, 제1 접촉표면(3) 표면층(6)에저장소(5)를형성하는단계로서, 제1 표면층(6)이적어도대부분천연산화물재료로이루어지는단계; 제1 추출물또는제1 그룹의추출물로상기저장소(5)를적어도부분적으로채우는단계; 상기제1 접촉표면(3)이사전접합연결형성을위해제2 접촉표면(4)과접촉하는단계; 제2 기판의반응층(7)에담긴제2 추출물과제1 추출물의반응에의해적어도부분적으로강화된, 제1 접촉표면(3)과제2 접촉표면사이영구접합을형성하는단계로이루어진접합방법을제공한다.

公开(公告)号：KR101701541B1

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：KR1020120039801

申请日：2012-04-17

申请人： 레이티언 캄파니

发明人： 무디,코디비.

IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/563 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/26135 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/29562 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/29609 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/29624 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/29686 ,  H01L2224/32055 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/83054 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 밀봉형반도체웨이퍼패키지들은제 2 웨이퍼상의제 2 본드링의상보적표면에대향하는제 1 웨이퍼상의제 1 본드링을포함한다. 이패키지는제 1 본드링의표면상에형성된제 1 두께를갖는제 1 물질의제 1 및제 2 스탠드오프들을포함한다. 또한, 패키지는제 2 물질과제 1 물질로부터형성되어제 1 및제 2 웨이퍼들사이에기밀봉지를생성하는공정합금(공융될필요는없고, 일반적으로원소들의공융비율에특정되지않는합금이될 수있음)을포함하고, 공정합금은제 2 물질의리플로온도보다크거나같고제 1 물질의리플로온도보다작거나같은온도까지제 1 및제 2 웨이퍼들을가열함으로써형성되고, 공정합금은제 1 및제 2 스탠드오프들과제 1 및제 2 본드링들사이의볼륨을채우고, 스탠드오프들은제1 본드링과제 2 본드링 사이에기 설정된거리를유지한다.

摘要翻译： 密封的半导体晶片封装，其包括在第一晶片上的第一结合环，其面向第二晶片上的第二结合环的互补表面。 该封装包括形成在第一结合环的表面上的第一材料的第一和第二间隔，第一和第二间隔具有第一厚度。 该封装还包括共晶合金（不一定是共晶的，通常它是一种不是特定于元素的共晶比的合金），由第二种材料形成，并且第一种材料在第一和第二种之间形成气密封 晶片，通过将第一和第二晶片加热到高于第二材料的回流温度并低于第一材料的回流温度的温度而形成的共晶合金，其中共晶合金填充第一和第二间隙之间的体积， 和第二结合环，并且其中所述支架在所述第一结合环和所述第二结合环之间保持预定的距离。

公开(公告)号：KR1020130141646A

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020137018783

申请日：2011-04-08

申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하

发明人： 플라치,토마스 ,  힌저를,커트 ,  윔플린저,마커스 ,  플뢰트겐,크리스토프

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/762 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/1082 ,  H01L2924/10821 ,  H01L2924/10823 ,  H01L2924/20106 ,  H01L21/02554

摘要： 본 발명은 제1 기판(1)의 제1 접촉 표면(3)을 제2 기판(2)의 제 2 접촉 표면(4) 접합하기 위한 방법으로서,
제1 접촉 표면(3) 표면 층(6)에 저장소(5)를 형성하는 단계로서, 제1 표면 층(6)이 적어도 대부분 천연 산화물 재료로 이루어지는 단계;
제1 추출물 또는 제1 그룹의 추출물로 상기 저장소(5)를 적어도 부분적으로채우는 단계;
상기 제1 접촉 표면(3)이 사전 접합 연결 형성을 위해 제2 접촉 표면(4)과 접촉하는 단계;
제2 기판의 반응 층(7)에 담긴 제2 추출물과 제1 추출물의 반응에 의해 적어도 부분적으로 강화된, 제1 접촉 표면(3)과 제2 접촉 표면 사이 영구 접합을 형성하는 단계로 이루어진 접합 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110091812A

公开(公告)日：2011-08-12

申请号：KR1020117015751

申请日：2001-02-15

申请人： 집트로닉스, 인크.

发明人： 통,킨-이 ,  파운틴,가이우스,길만,주니어. ,  엔퀴스트,폴,엠.

IPC分类号： H01L21/3063

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/322 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/26 ,  H01L24/75 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/085 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/8303 ,  H01L2224/83031 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01093 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  Y10S148/012 ,  Y10S438/974 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1043 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 저온 또는 실온에서의 결합 방법은 세정 또는 에칭에 의한 표면 세정 및 활성화 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 계면 중합의 부산물을 제거하여 역 중합 반응을 방지함으로써, 실리콘, 질화규소 및 SiO
2 와 같은 재료를 실온에서 화학 결합시키는 단계를 포함할 수도 있다. 결합시킬 표면들은 고도의 평활도 및 평면도로 폴리싱한다(2). VSE 단계는 반응성 이온 에칭 또는 습식 에칭을 이용하여 결합시킬 표면들을 약하게 에칭시킬 수 있다(3). VSE 공정에 의해 표면 조도 및 평면도는 저하되지 않으며 높아질 수 있다. 에칭된 표면을 수산화암모늄 또는 플루오르화암모늄과 같은 용액에서 세정하여 표면 위의 원하는 결합 종의 형성을 촉진시킬 수 있다(4).

公开(公告)号：KR101576443B1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：KR1020107002116

申请日：2008-07-04

申请人： 로베르트 보쉬 게엠베하

发明人： 도니스,디터 ,  쾨니히,옌스

IPC分类号： H01L21/30 ,  B81C1/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/032 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은제 1 웨이퍼(1)를적어도하나의제 2 웨이퍼(2)에접합하는방법에관한것이다. 상기방법은다음의단계들을특징으로한다:웨이퍼들(1, 2, 14) 중적어도하나의웨이퍼상에소결가능한접합재료(7)를제공하는단계, 웨이퍼들(1, 2, 14)을서로결합하는단계및 가열에의해접합재료(7)를소결하는단계. 또한본 발명은웨이퍼조립체(10) 및칩에관한것이다.

公开(公告)号：KR101496592B1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：KR1020137004851

申请日：2011-08-03

申请人： 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤

发明人： 사카모토,요시츠구 ,  야마다,히로유키 ,  야마나카,요시에 ,  오니시,츠카사 ,  요시카와,슌사쿠 ,  다도코로,켄조

IPC分类号： B23K35/14 ,  B23K1/00 ,  B23K1/08 ,  H01L21/52

CPC分类号： B23K35/262 ,  B22F2998/00 ,  B23K35/025 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C1/08 ,  C22C9/02 ,  C22C13/00 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/07 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/203 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/0116 ,  Y10T428/12479 ,  H01L2924/00014 ,  C22C1/0483 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2924/0002

摘要： Sn 또는 Sn계 땜납 합금에 의해서, 망상 구조를 가지는 다공질 금속체의 공공(空孔) 부분을 충전하고, 그 표면을 피복해 얻은 접합재를 반도체 장치의 내부 접합용으로 사용함으로써, 기판 실장 시에 내부 접합부가 용융하지 않는 반도체 장치를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR101298859B1

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：KR1020117015751

申请日：2001-02-15

申请人： 집트로닉스, 인크.

发明人： 통,킨-이 ,  파운틴,가이우스,길만,주니어. ,  엔퀴스트,폴,엠.

IPC分类号： H01L21/3063

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/322 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/26 ,  H01L24/75 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/085 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/8303 ,  H01L2224/83031 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01093 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  Y10S148/012 ,  Y10S438/974 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1043 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 저온 또는 실온에서의 결합 방법은 세정 또는 에칭에 의한 표면 세정 및 활성화 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 계면 중합의 부산물을 제거하여 역 중합 반응을 방지함으로써, 실리콘, 질화규소 및 SiO
2 와 같은 재료를 실온에서 화학 결합시키는 단계를 포함할 수도 있다. 결합시킬 표면들은 고도의 평활도 및 평면도로 폴리싱한다(2). VSE 단계는 반응성 이온 에칭 또는 습식 에칭을 이용하여 결합시킬 표면들을 약하게 에칭시킬 수 있다(3). VSE 공정에 의해 표면 조도 및 평면도는 저하되지 않으며 높아질 수 있다. 에칭된 표면을 수산화암모늄 또는 플루오르화암모늄과 같은 용액에서 세정하여 표면 위의 원하는 결합 종의 형성을 촉진시킬 수 있다(4).