公开(公告)号：TWI317548B

公开(公告)日：2009-11-21

申请号：TW092114226

申请日：2003-05-27

申请人： 米輯電子股份有限公司

发明人： 周健康 ,  周秋明 ,  林立人 ,  林鉅富

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/731 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45099

摘要： 一種晶片結構，其主要係由基材、打線焊接墊，以及焊料焊接墊所構成。其中，基材上具有多個焊墊以及一保護層，焊墊之材質例如為銅、鋁、鋁合金等，而保護層覆蓋於基材表面，且具有多個開口以將焊墊暴露。打線焊接墊係配置於保護層之開口所暴露出的部份焊墊上，而焊料焊接墊則配置於未被打線焊接墊覆蓋之焊墊上。承上述，本發明在打線焊接墊以及焊料焊接墊上包括形成金凸塊以及焊料凸塊。另外，本發明亦提出上述晶圓的製造方法。

简体摘要： 一种芯片结构，其主要系由基材、打线焊接垫，以及焊料焊接垫所构成。其中，基材上具有多个焊垫以及一保护层，焊垫之材质例如为铜、铝、铝合金等，而保护层覆盖于基材表面，且具有多个开口以将焊垫暴露。打线焊接垫系配置于保护层之开口所暴露出的部份焊垫上，而焊料焊接垫则配置于未被打线焊接垫覆盖之焊垫上。承上述，本发明在打线焊接垫以及焊料焊接垫上包括形成金凸块以及焊料凸块。另外，本发明亦提出上述晶圆的制造方法。

公开(公告)号：TWI315349B

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：TW095117439

申请日：2006-05-17

申请人： 日鑛金屬股份有限公司

发明人： 新藤裕一朗 ,  竹本幸一

IPC分类号： C22C ,  H01L ,  C25C

CPC分类号： C22B15/0084 ,  C22B15/0073 ,  C22B15/0089 ,  C22C9/00 ,  C25C1/12 ,  C25C7/06 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01208 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  Y02P10/236 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007

摘要： 本發明係關於超高純度銅及其製造方法。該超高純度銅其硬度為40Hv以下、純度為8N以上(不計O、C、N、H、S、P之氣體成分)，且氣體成分之O、S、P各元素皆為1重量ppm以下。又，該製造方法係使用由硝酸銅溶液構成之電解液以二階段電解製造超高純度銅時，於硝酸銅溶液構成之電解液中添加鹽酸，且使電解液循環，將此循環之電解液暫時降至10℃以下，以過濾器去除雜質，並以二階段電解進行電解。本發明之目的在製得上述可適用於細線化(拉伸化)之銅材。亦即，有效率的製造純度8N(99.999999重量%)以上的超高純度銅，並提供所製得之超高純度銅以得到尤其是可細線化之半導體元件用引線。

简体摘要： 本发明系关于超高纯度铜及其制造方法。该超高纯度铜其硬度为40Hv以下、纯度为8N以上(不计O、C、N、H、S、P之气体成分)，且气体成分之O、S、P各元素皆为1重量ppm以下。又，该制造方法系使用由硝酸铜溶液构成之电解液以二阶段电解制造超高纯度铜时，于硝酸铜溶液构成之电解液中添加盐酸，且使电解液循环，将此循环之电解液暂时降至10℃以下，以过滤器去除杂质，并以二阶段电解进行电解。本发明之目的在制得上述可适用于细线化(拉伸化)之铜材。亦即，有效率的制造纯度8N(99.999999重量%)以上的超高纯度铜，并提供所制得之超高纯度铜以得到尤其是可细线化之半导体组件用引线。

公开(公告)号：TW200846437A

公开(公告)日：2008-12-01

申请号：TW097105552

申请日：2008-02-18

申请人： 日東電工股份有限公司 NITTO DENKO CORPORATION

发明人： 高本尚英 TAKAMOTO, NAOHIDE

IPC分类号： C09J ,  H01L

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/066 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明提供一種與被黏接體的密著性優異、且拾取性良好的熱硬化型黏晶膜及具有上述熱硬化型黏晶膜的切割黏晶摸。本發明之熱硬化型黏晶膜是在製造半導體裝置時使用的熱硬化型黏晶膜。其特徵為:含有15 wt%-30 wt%的熱可塑性樹脂成分及60 wt%-70 wt%的熱硬化性樹脂成分作為主要成分,熱硬化前的表面自由能大於等於37 mJ/㎡且小於40 mJ/㎡。

简体摘要： 本发明提供一种与被黏接体的密着性优异、且十取性良好的热硬化型黏晶膜及具有上述热硬化型黏晶膜的切割黏晶摸。本发明之热硬化型黏晶膜是在制造半导体设备时使用的热硬化型黏晶膜。其特征为:含有15 wt%-30 wt%的热可塑性树脂成分及60 wt%-70 wt%的热硬化性树脂成分作为主要成分,热硬化前的表面自由能大于等于37 mJ/㎡且小于40 mJ/㎡。

公开(公告)号：TW200844202A

公开(公告)日：2008-11-16

申请号：TW097105360

申请日：2008-02-15

申请人： 日東電工股份有限公司 NITTO DENKO CORPORATION

发明人： 天野康弘 AMANO, YASUHIRO ,  三隅貞仁 MISUMI, SADAHITO ,  松村健 MATSUMURA, TAKESHI

IPC分类号： C09J ,  H01L

CPC分类号： H01L23/3121 ,  C08G18/4045 ,  C08G18/6254 ,  C08L33/08 ,  C09J175/04 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： 本發明提供一種切割黏晶膜以及此切割黏晶膜的製造方法,此切割黏晶膜將切割製程時的黏接性、以及拾取製程時的剝離性這兩方面均控制為良好。本發明之切割黏晶膜於基材上具有黏著劑層,並於此黏著劑層上具有黏晶層,此切割黏晶膜的特徵在於:上述黏晶層之黏著劑層側的算術平均粗糙度X(���m)為0.015 ���m-1 ���m,上述黏著劑層之黏晶層側的算術平均粗糙度Y(���m)為0.03 ���m-1 ���m,上述X與Y之差的絕對値大於等於0.015。

简体摘要： 本发明提供一种切割黏晶膜以及此切割黏晶膜的制造方法,此切割黏晶膜将切割制程时的黏接性、以及十取制程时的剥离性这两方面均控制为良好。本发明之切割黏晶膜于基材上具有黏着剂层,并于此黏着剂层上具有黏晶层,此切割黏晶膜的特征在于:上述黏晶层之黏着剂层侧的算术平均粗糙度X(���m)为0.015 ���m-1 ���m,上述黏着剂层之黏晶层侧的算术平均粗糙度Y(���m)为0.03 ���m-1 ���m,上述X与Y之差的绝对値大于等于0.015。

公开(公告)号：TW200833608A

公开(公告)日：2008-08-16

申请号：TW096147581

申请日：2007-12-13

申请人： 羅門哈斯電子材料有限公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS, L.L.C.

发明人： 史薩克 伊德 SZOCS, EDIT ,  史區華德 服利克斯J SCHWAGER, FELIX J. ,  格薩克 湯瑪斯 GAETHKE, THOMAS ,  柏瑞斯 納斯尼爾E BRESE, NATHANIEL E. ,  圖本 麥可P TOBEN, MICHAEL P.

IPC分类号： C01G ,  C09K

CPC分类号： C25D3/54 ,  C25D3/56 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係揭露包括氫抑制劑化合物之銦組成物及自此組成物電化學地將銦金屬沉積至基板上之方法。亦揭露以此銦組成物所製成之物件。

简体摘要： 本发明系揭露包括氢抑制剂化合物之铟组成物及自此组成物电化学地将铟金属沉积至基板上之方法。亦揭露以此铟组成物所制成之对象。

公开(公告)号：TW200831627A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW097101094

申请日：2008-01-11

申请人： 積水化學工業股份有限公司 SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.

发明人： 石澤英亮 ISHIZAWA, HIDEAKI ,  早川明伸 HAYAKAWA, AKINOBU ,  竹田幸平 TAKEDA, KOHEI

IPC分类号： C09J

CPC分类号： H01L24/83 ,  C08G59/226 ,  C08G59/38 ,  C08L63/00 ,  C08L2666/22 ,  C09J163/00 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： 本發明係關於一種以保持固定間隔之方式接合電子零件時所使用之電子零件用接著劑,且本發明之目的在於提供一種可高精度地保持接合電子零件間之距離,而獲得高可靠性之電氣裝置,並且可使用噴射點膠裝置連續穩定地進行塗布之電子零件用接著劑。本發明係用以接合電子零件之電子零件用接著劑,其含間隔粒子、環氧化合物(A)及硬化劑,該間隔粒子之CV値為10%以下,該環氧化合物(A)具有重複單位中含有芳香環之10聚物以下之分子結構,於25℃為結晶性固體,且於50-80℃之溫度之以E型黏度計測量時之黏度為1 Pa.s以下。

简体摘要： 本发明系关于一种以保持固定间隔之方式接合电子零件时所使用之电子零件用接着剂,且本发明之目的在于提供一种可高精度地保持接合电子零件间之距离,而获得高可靠性之电气设备,并且可使用喷射点胶设备连续稳定地进行涂布之电子零件用接着剂。本发明系用以接合电子零件之电子零件用接着剂,其含间隔粒子、环氧化合物(A)及硬化剂,该间隔粒子之CV値为10%以下,该环氧化合物(A)具有重复单位中含有芳香环之10聚物以下之分子结构,于25℃为结晶性固体,且于50-80℃之温度之以E型黏度计测量时之黏度为1 Pa.s以下。

公开(公告)号：TW200709380A

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：TW095126244

申请日：2006-07-18

申请人： 三昆半導體公司 TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 傑拉馬宏尼 GERARD MAHONEY ,  馬修艾沙 MATTHEW ESSAR ,  瓦特吳姆斯 WALTER WOHLMUTH ,  偉恩史大柏 WAYNE STRUBLE

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭示一種積體電路之實施例,包括一基材,一電裝置,設置於該基材上,及一接合墊,設置於最上方且沿著垂直軸而對齊該電裝置,因而該電裝置設置於該基材與該接合墊之間。

简体摘要： 本发明揭示一种集成电路之实施例,包括一基材,一电设备,设置于该基材上,及一接合垫,设置于最上方且沿着垂直轴而对齐该电设备,因而该电设备设置于该基材与该接合垫之间。

公开(公告)号：TW200610074A

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：TW093126320

申请日：2004-09-01

申请人： 全懋精密科技股份有限公司 PHOENIX PRECISION TECHNOLOGY CORPORATION

发明人： 許詩濱 HSU, SHIH-PING

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： 一半導體電性導接結構及其製法，主要係將一完成有多數金凸塊之晶圓切割成多數具金凸塊之半導體晶片；製備一承載板，將該半導體晶片以其非主動面接置於該承載板上，並於該接置有半導體晶片之承載板上形成絕緣層，復藉由雷射開口(Laser drill)、光學蝕刻(Photo imaging)或電漿蝕刻(Plasma etching)等方式以在該絕緣層上形成多數開口以外露出該金凸塊；於該絕緣層及其開口處表面形成一導電層，並於該導電層上形成一圖案化阻層，以定義出欲電鍍之開口；之後於該阻層開口中電鍍形成線路結構以提供嵌埋於絕緣層中之晶片進行電性延伸至外界。

简体摘要： 一半导体电性导接结构及其制法，主要系将一完成有多数金凸块之晶圆切割成多数具金凸块之半导体芯片；制备一承载板，将该半导体芯片以其非主动面接置于该承载板上，并于该接置有半导体芯片之承载板上形成绝缘层，复借由激光开口(Laser drill)、光学蚀刻(Photo imaging)或等离子蚀刻(Plasma etching)等方式以在该绝缘层上形成多数开口以外露出该金凸块；于该绝缘层及其开口处表面形成一导电层，并于该导电层上形成一图案化阻层，以定义出欲电镀之开口；之后于该阻层开口中电镀形成线路结构以提供嵌埋于绝缘层中之芯片进行电性延伸至外界。

公开(公告)号：TWI235162B

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：TW092132355

申请日：2003-11-19

申请人： 國家澱粉及化學品投資控股公司 NATIONAL STARCH AND CHEMICAL INVESTMENT HOLDING CORPORATION

发明人： 慕沙 MUSA, OSAMA M.

IPC分类号： C08F

CPC分类号： H01L24/83 ,  C08C19/00 ,  C08C19/25 ,  C08F8/42 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係有關於可固化之化合物或樹脂，其包含：電子供予體或接受體官能性、碳至碳未飽和鍵、與矽烷官能性，具有結構：其中E為一電子供予體或電子接受體官能性，Q為包含至少一個碳至碳雙鍵之寡聚或聚合基團，A為一碳氫基基團，與L為一連結基團。

简体摘要： 本发明系有关于可固化之化合物或树脂，其包含：电子供予体或接受体官能性、碳至碳未饱和键、与硅烷官能性，具有结构：其中E为一电子供予体或电子接受体官能性，Q为包含至少一个碳至碳双键之寡聚或聚合基团，A为一碳氢基基团，与L为一链接基团。

公开(公告)号：TWI230422B

公开(公告)日：2005-04-01

申请号：TW092132356

申请日：2003-11-19

申请人： 國家澱粉及化學品投資控股公司 NATIONAL STARCH AND CHEMICAL INVESTMENT HOLDING CORPORATION

发明人： 慕沙 MUSA, OSAMA M.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/83 ,  C09J201/10 ,  H01L24/28 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  Y10T428/31515 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31855 ,  Y10T428/31931 ,  Y10T428/31938 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係有關於一種半導體封裝件，其中矽模係使用一種具有下列結構之黏著劑黏著至一基材：
或其中Q為一寡聚或聚合基團，其包含至少一個碳至碳雙鍵，A為一碳氫基基團或芳族基團，與L為一連結基團，係由包含矽烷鏈段前驅物上除環氧化物外之官能性基團，與包含至少一個碳至碳雙鍵鏈段之前驅物上除環氧化物外之官能性基團，進行反應得到。

简体摘要： 本发明系有关于一种半导体封装件，其中硅模系使用一种具有下列结构之黏着剂黏着至一基材： 或其中Q为一寡聚或聚合基团，其包含至少一个碳至碳双键，A为一碳氢基基团或芳族基团，与L为一链接基团，系由包含硅烷链段前驱物上除环氧化物外之官能性基团，与包含至少一个碳至碳双键链段之前驱物上除环氧化物外之官能性基团，进行反应得到。