公开(公告)号：TW201530735A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103140874

申请日：2014-11-25

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 五十嵐孝行 ,  IGARASHI, TAKAYUKI ,  船矢琢央 ,  FUNAYA, TAKUO

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01F41/14

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53223 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1203 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明提高半導體裝置之特性。半導體裝置包含形成於層間絕緣膜IL2上之線圈CL1及配線M2、形成於層間絕緣膜IL3上之配線M3、以及形成於層間絕緣膜IL4上之線圈CL2及配線M4。而且，線圈CL2與配線M4之距離DM4大於線圈CL2與配線M3之距離DM3(DM4>DM3)。又，線圈CL2與配線M3之距離DM3大於等於位於線圈CL1與線圈CL2之間之層間絕緣膜IL3之膜厚與層間絕緣膜IL4之膜厚之和。藉此，可提高容易產生高電壓差之線圈CL2與配線M4之間等之絕緣耐壓。又，設置包圍變壓器形成區域1A及周邊電路形成區域1B之密封環形成區域1C，而謀求提高耐濕性。

简体摘要： 本发明提高半导体设备之特性。半导体设备包含形成于层间绝缘膜IL2上之线圈CL1及配线M2、形成于层间绝缘膜IL3上之配线M3、以及形成于层间绝缘膜IL4上之线圈CL2及配线M4。而且，线圈CL2与配线M4之距离DM4大于线圈CL2与配线M3之距离DM3(DM4>DM3)。又，线圈CL2与配线M3之距离DM3大于等于位于线圈CL1与线圈CL2之间之层间绝缘膜IL3之膜厚与层间绝缘膜IL4之膜厚之和。借此，可提高容易产生高电压差之线圈CL2与配线M4之间等之绝缘耐压。又，设置包围变压器形成区域1A及周边电路形成区域1B之密封环形成区域1C，而谋求提高耐湿性。

公开(公告)号：TWI492353B

公开(公告)日：2015-07-11

申请号：TW102106561

申请日：2013-02-25

申请人： 國際整流器股份有限公司 ,  INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION

发明人： 趙映珊 ,  CHO, EUNG SAN ,  克雷瓦地 丹 ,  CLAVETTE, DAN

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L24/34 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1426 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H02M3/158 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/84

公开(公告)号：TW201515162A

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：TW102134646

申请日：2013-09-26

申请人： 力特福斯股份有限公司 ,  LITTELFUSE, INC.

发明人： 伯諾 理查J ,  BONO, RICHARD J. ,  索羅 奈尼爾 ,  SOLANO, NEIL

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/36

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明提供一種大面積半導體晶片用的低熱應力封裝體。此封裝體可包括一個基板以及至少一個由此基板所延伸而成的基座，其中此基座可具有一個基座安裝表面，而此安裝表面小於安裝於此基座上的一個半導體晶片的一個安裝表面。因此，相較於常規的半導體封裝體基板，基座與晶片之間的接合面積可減少，且在熱循環中晶片所承受的熱應力的量亦可減少。

简体摘要： 本发明提供一种大面积半导体芯片用的低热应力封装体。此封装体可包括一个基板以及至少一个由此基板所延伸而成的基座，其中此基座可具有一个基座安装表面，而此安装表面小于安装于此基座上的一个半导体芯片的一个安装表面。因此，相较于常规的半导体封装体基板，基座与芯片之间的接合面积可减少，且在热循环中芯片所承受的热应力的量亦可减少。

公开(公告)号：TWI471994B

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW101129756

申请日：2012-08-16

申请人： 先進類比科技有限公司 ,  ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES, INC. ,  研諾邏輯科技有限公司 ,  ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES (HONG KONG) LIMITED

发明人： 威廉斯 理查K ,  WILLIAMS, RICHARD K. ,  林耿弘 ,  LIN, KENG HUNG

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI469313B

公开(公告)日：2015-01-11

申请号：TW101114421

申请日：2012-04-23

申请人： 茂力科技股份有限公司 ,  MONOLITHIC POWER SYSTEMS, INC.

发明人： 蔣航 ,  JIANG, HUNT HANG

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/525 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/17165 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201501269A

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：TW103107212

申请日：2014-03-04

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 船矢琢央 ,  FUNAYA, TAKUO ,  五十嵐孝行 ,  IGARASHI, TAKAYUKI

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L22/14 ,  H01L22/32 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0688 ,  H01L28/10 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01015

摘要： 在半導體基板(SB)上隔著第1絕緣膜形成有線圈(CL1)，以能夠覆蓋第1絕緣膜及線圈(CL1)的方式形成第2絕緣膜，在第2絕緣膜上形成焊墊(PD1)。在第2絕緣膜上是形成具有露出焊墊(PD1)的一部分的開口部(OP1)之層疊膜(LF)，在前述層疊絕緣膜上形成線圈(CL2)。線圈(CL2)是被配置於線圈(CL1)的上方，線圈(CL2)與線圈(CL1)是被磁性地結合。層疊膜(LF)是由：氧化矽膜(LF1)，及其上的氮化矽膜(LF2)，以及其上的樹脂膜(LF3)所構成。

简体摘要： 在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜形成有线圈(CL1)，以能够覆盖第1绝缘膜及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜，在第2绝缘膜上形成焊垫(PD1)。在第2绝缘膜上是形成具有露出焊垫(PD1)的一部分的开口部(OP1)之层叠膜(LF)，在前述层叠绝缘膜上形成线圈(CL2)。线圈(CL2)是被配置于线圈(CL1)的上方，线圈(CL2)与线圈(CL1)是被磁性地结合。层叠膜(LF)是由：氧化硅膜(LF1)，及其上的氮化硅膜(LF2)，以及其上的树脂膜(LF3)所构成。

公开(公告)号：TW201501248A

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：TW103107092

申请日：2014-03-03

申请人： 奇異電器公司 ,  GENERAL ELECTRIC COMPANY

发明人： 格達 艾朗 維盧派克夏 ,  GOWDA, ARUN VIRUPAKSHA ,  喬罕 夏卡堤 辛夫 ,  CHAUHAN, SHAKTI SINGH ,  麥克考奈利 保羅 艾倫 ,  MCCONNELEE, PAUL ALAN

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： 一種功率覆蓋(POL)結構包含一POL子模組。該POL子模組包含一介電層及一半導體裝置，該半導體裝置具有附接至該介電層之一頂部表面。該半導體裝置之該頂部表面具有形成於其上之至少一接觸襯墊。該POL子模組亦包含延伸穿過該介電層且電耦合至該半導體裝置之該至少一接觸襯墊之一金屬互連結構。一導電墊片耦合至該半導體裝置之一底部表面，且一導熱介面之一第一側耦合至該導電墊片。一散熱器耦合至該電絕緣導熱介面之一第二側。

简体摘要： 一种功率覆盖(POL)结构包含一POL子模块。该POL子模块包含一介电层及一半导体设备，该半导体设备具有附接至该介电层之一顶部表面。该半导体设备之该顶部表面具有形成于其上之至少一接触衬垫。该POL子模块亦包含延伸穿过该介电层且电耦合至该半导体设备之该至少一接触衬垫之一金属互链接构。一导电垫片耦合至该半导体设备之一底部表面，且一导热界面之一第一侧耦合至该导电垫片。一散热器耦合至该电绝缘导热界面之一第二侧。

公开(公告)号：TW201501246A

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：TW102132088

申请日：2013-09-06

申请人： 台達電子工業股份有限公司 ,  DELTA ELECTRONICS, INC.

发明人： 蔡欣昌 ,  TSAI, HSINCHANG ,  李嘉炎 ,  LEE, CHIAYEN ,  李芃昕 ,  LEE, PENGHSIN

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49527 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5221 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/84

摘要： 本發明提供一種半導體部件，包含水平半導體元件、垂直半導體元件以及引線框架。水平半導體元件、垂直半導體元件各自具有第一側以及第二側，水平半導體元件包含第一電極、第二電極、以及控制電極位於第一側。垂直半導體元件包含第一電極位於第一側、以及第二電極和控制電極位於第二側。引線框架分別電性連接水平半導體元件之第一電極以及第二電極、垂直半導體元件之第二電極、以及水平、垂直半導體元件各自之控制電極，其中垂直半導體元件之第一側係配置於水平半導體元件之第二側，且水平、垂直半導體元件之各第一電極亦彼此電性連接。

简体摘要： 本发明提供一种半导体部件，包含水平半导体组件、垂直半导体组件以及引线框架。水平半导体组件、垂直半导体组件各自具有第一侧以及第二侧，水平半导体组件包含第一电极、第二电极、以及控制电极位于第一侧。垂直半导体组件包含第一电极位于第一侧、以及第二电极和控制电极位于第二侧。引线框架分别电性连接水平半导体组件之第一电极以及第二电极、垂直半导体组件之第二电极、以及水平、垂直半导体组件各自之控制电极，其中垂直半导体组件之第一侧系配置于水平半导体组件之第二侧，且水平、垂直半导体组件之各第一电极亦彼此电性连接。

公开(公告)号：TW201448065A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103101806

申请日：2014-01-17

申请人： 國際整流器股份有限公司 ,  INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION

发明人： 法蘭度 汀 ,  FERNANDO, DEAN ,  巴柏沙 羅爾 ,  BARBOSA, ROEL ,  高橋 利夫 ,  TAKAHASHI, TOSHIO

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/00012

摘要： 根據一範例實施方式，功率四方扁平無引腳(PQFN)封裝包含驅動積體電路(IC)位於導線架上。PQFN封裝更包含低側U相、低側V相及低側W相功率開關位於導線架上。導線架的邏輯接地耦合至驅動IC的支持邏輯電路。導線架的功率級接地耦合至低側U相、低側V相及低側W相功率開關的源極。功率級接地可更耦合至驅動IC的閘極驅動。

简体摘要： 根据一范例实施方式，功率四方扁平无引脚(PQFN)封装包含驱动集成电路(IC)位于导线架上。PQFN封装更包含低侧U相、低侧V相及低侧W相功率开关位于导线架上。导线架的逻辑接地耦合至驱动IC的支持逻辑电路。导线架的功率级接地耦合至低侧U相、低侧V相及低侧W相功率开关的源极。功率级接地可更耦合至驱动IC的闸极驱动。

公开(公告)号：TW201448004A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103109274

申请日：2014-03-14

申请人： 微晶片科技公司 ,  MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED

发明人： 巴特森諾英 聖提 ,  BUTSOONGNOEN, SANTI ,  吉塔布 尤特哈那 ,  JITTABUT, YUTTHANA ,  桑巴克朗 菲沙努 ,  SOMBATKLUNG, PHISANU ,  恰諾克 馬努斯恰 ,  CHAINOK, MANUSCHAI ,  斯里普拉瑟特 普拉希特 ,  SRIPRASERT, PRASIT

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/14 ,  G01R1/0408 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L22/30 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/562 ,  H01L24/97 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭示一種用於測試配置在一條帶上之複數個半導體器件之方法，其可包含在一框架上形成一半導體器件陣列，其中鄰近半導體器件之接觸襯墊被短接；部分切割該條帶以電隔離在該陣列中之個別半導體器件；將該條帶放置在經組態以耐受低溫(例如，低於-20℃或低於-50℃)之一膠帶上；在一測試夾頭上配置該條帶及膠帶；將該測試夾頭、條帶及膠帶曝露至低於一環境溫度之溫度且當曝露至一低溫時，測試複數個半導體器件。在一實施例中，一KAPTONTM膜係用作該膠帶。

简体摘要： 本发明揭示一种用于测试配置在一条带上之复数个半导体器件之方法，其可包含在一框架上形成一半导体器件数组，其中邻近半导体器件之接触衬垫被短接；部分切割该条带以电隔离在该数组中之个别半导体器件；将该条带放置在经组态以耐受低温(例如，低于-20℃或低于-50℃)之一胶带上；在一测试夹头上配置该条带及胶带；将该测试夹头、条带及胶带曝露至低于一环境温度之温度且当曝露至一低温时，测试复数个半导体器件。在一实施例中，一KAPTONTM膜系用作该胶带。