公开(公告)号：TWI613791B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW102113710

申请日：2013-04-18

申请人： 西萊納集團私人有限公司 ,  THE SILANNA GROUP PTY LTD

发明人： 莫海 亞修翰 維傑 ,  MOGHE, YASHODHAN VIJAY ,  泰瑞 安德魯 ,  TERRY, ANDREW

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/60

CPC分类号： H03K17/161 ,  H01F19/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/538 ,  H01L27/0203 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13062 ,  H03M1/0827 ,  H03M1/12 ,  H03M1/66 ,  H04J3/047 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI482281B

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：TW100129394

申请日：2011-08-17

申请人： 茂力科技股份有限公司 ,  MONOLITHIC POWER SYSTEMS, INC.

发明人： 加內特 馬丁 ,  GARNETT, MARTIN E.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L25/072 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/8083 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TWI475653B

公开(公告)日：2015-03-01

申请号：TW098138216

申请日：2009-11-11

申请人： 飛思卡爾半導體公司 ,  FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 瓊斯 傑佛瑞K ,  JONES, JEFFREY K. ,  席瑪諾斯基 瑪格利特A ,  SZYMANOWSKI, MARGARET A. ,  麥拉 米歇爾L ,  MIERA, MICHELE L. ,  任紹偉 ,  REN, XIAOWEI ,  柏格 維尼R ,  BURGER, WAYNE R. ,  班奈特 馬克A ,  BENNETT, MARK A. ,  柯爾 柯林 ,  KERR, COLIN

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/05076 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI474416B

公开(公告)日：2015-02-21

申请号：TW100146602

申请日：2011-12-15

申请人： 茂力科技股份有限公司 ,  MONOLITHIC POWER SYSTEMS, INC.

发明人： 蔣航 ,  JIANG, HUNT HANG

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L21/52 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16258 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI471986B

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW101127981

申请日：2012-08-03

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 高木一考 ,  TAKAGI, KAZUTAKA

IPC分类号： H01L23/29

CPC分类号： H05K1/09 ,  H01L23/047 ,  H01L23/10 ,  H01L23/66 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/115 ,  Y10T428/12458 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201349452A

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW102113710

申请日：2013-04-18

申请人： 西萊納集團私人有限公司 ,  THE SILANNA GROUP PTY LTD

发明人： 莫海 亞修翰 維傑 ,  MOGHE, YASHODHAN VIJAY ,  泰瑞 安德魯 ,  TERRY, ANDREW

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/60

CPC分类号： H03K17/161 ,  H01F19/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/538 ,  H01L27/0203 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13062 ,  H03M1/0827 ,  H03M1/12 ,  H03M1/66 ,  H04J3/047 ,  H01L2924/00

摘要： 一種積體電路，其中包含：至少三個積體電路局部，該等在單一電性絕緣晶粒上為互相分隔，而該等積體電路局部係互相電流隔離；以及信號耦接結構，此者位於該晶粒上，藉以提供該等積體電路局部之間的信號通訊並同時維持該等之間的電流隔離。

简体摘要： 一种集成电路，其中包含：至少三个集成电路局部，该等在单一电性绝缘晶粒上为互相分隔，而该等集成电路局部系互相电流隔离；以及信号耦接结构，此者位于该晶粒上，借以提供该等集成电路局部之间的信号通信并同时维持该等之间的电流隔离。

公开(公告)号：TW201347601A

公开(公告)日：2013-11-16

申请号：TW102104476

申请日：2013-02-05

申请人： 尼斯迪格瑞科技環球公司 ,  NTHDEGREE TECHNOLOGIES WORLDWIDE INC.

发明人： 歐若拉 伯來迪S ,  ORAW, BRADLEY S.

IPC分类号： H05B33/08

CPC分类号： H05B33/0857 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/15 ,  H01L33/0041 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H05B33/083 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭示LED模組，其具有與一LED串聯之一控制MOSFET或其他電晶體。在一實施例中，一MOSFET晶圓接合至一LED晶圓且經單件化以形成具有與單個LED相同之佔據面積的數千個主動式三端子LED模組。不管紅光、綠光及藍光LED之不同的正向電壓，RGB模組可並聯連接且其等之控制電壓以60 Hz或更大(頻率)交錯以產生一單一感知色彩，諸如白色。該等RGB模組可連接於一面板中用於通用照明或一彩色顯示器。一面板中之一單個介電層可囊封所有該等RGB模組，以形成一緊湊且價廉的面板。描述用於一彩色顯示器及一照明面板兩者之不同的定址技術。描述用於減小該LED對輸入電壓之變化之敏感度的不同電路。

简体摘要： 本发明揭示LED模块，其具有与一LED串联之一控制MOSFET或其他晶体管。在一实施例中，一MOSFET晶圆接合至一LED晶圆且经单件化以形成具有与单个LED相同之占据面积的数千个主动式三端子LED模块。不管红光、绿光及蓝光LED之不同的正向电压，RGB模块可并联连接且其等之控制电压以60 Hz或更大(频率)交错以产生一单一感知色彩，诸如白色。该等RGB模块可连接于一皮肤中用于通用照明或一彩色显示器。一皮肤中之一单个介电层可囊封所有该等RGB模块，以形成一紧凑且价廉的皮肤。描述用于一彩色显示器及一照明皮肤两者之不同的寻址技术。描述用于减小该LED对输入电压之变化之敏感度的不同电路。

公开(公告)号：TWI382518B

公开(公告)日：2013-01-11

申请号：TW098116523

申请日：2009-05-19

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED

发明人： 赫爾伯特 弗蘭茨娃 ,  HEBERT, FRANCOIS

IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/40 ,  H01L24/37 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/36 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/83801

公开(公告)号：TWI366907B

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：TW096139808

申请日：2007-10-24

申请人： 三洋電機股份有限公司 ,  三洋半導體股份有限公司

发明人： 吉田哲哉

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L27/088 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 於離散半導體之晶片中，已習知有將電流路徑上的第1電極及第2電極設於半導體基板的第1主面側，而可進行覆晶安裝者。但是，因在基板內之水平方向也有電流流過，故在基板為矩形時，存有水平方向之電流路徑增加且電阻也增加的問題。本發明係使基板內之水平方向的電流路徑形成於沿著基板(晶片)之短邊的方向。例如，採用將作為輸入端子側的元件區域、與作為輸出端子側的電流之引出區域係沿著晶片之短邊排列的佈局。另外，設置與輸出入端子分別連接的第1凸塊電極及第2凸塊電極，且將該等沿著晶片之短邊進行配置。藉此，因基板內之水平方向的電流路徑係形成為其寬度廣而長度短，故可以減低基板水平方向之電阻。

简体摘要： 于离散半导体之芯片中，已习知有将电流路径上的第1电极及第2电极设于半导体基板的第1主面侧，而可进行覆晶安装者。但是，因在基板内之水平方向也有电流流过，故在基板为矩形时，存有水平方向之电流路径增加且电阻也增加的问题。本发明系使基板内之水平方向的电流路径形成于沿着基板(芯片)之短边的方向。例如，采用将作为输入端子侧的组件区域、与作为输出端子侧的电流之引出区域系沿着芯片之短边排列的布局。另外，设置与输出入端子分别连接的第1凸块电极及第2凸块电极，且将该等沿着芯片之短边进行配置。借此，因基板内之水平方向的电流路径系形成为其宽度广而长度短，故可以减低基板水平方向之电阻。

公开(公告)号：TW201203541A

公开(公告)日：2012-01-16

申请号：TW099130421

申请日：2010-09-09

申请人： 香港科技大學

发明人： 陳敬 ,  袁理 ,  陳洪維 ,  周春華

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/872 ,  H01L29/88 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供了製造異質結AlGaN/GaN金屬二維電子氣(2DEG)隧穿結場效應電晶體(TJ-FET)的結構，器件和方法。一方面，金屬-2DEG肖特基隧穿結可以被用在三族氮化物場效應器件上以實現常關斷工作模式，大擊穿電壓，低漏電流流和高導通關斷電流比。進一步地，被披露的AlGaN/GaN金屬-2DEG TJ-FET可以被製造為橫向或縱向器件。進一步的非限制性實施例給出了披露結構的優勢和靈活性。

简体摘要： 本发明提供了制造异质结AlGaN/GaN金属二维电子气(2DEG)隧穿结场效应晶体管(TJ-FET)的结构，器件和方法。一方面，金属-2DEG肖特基隧穿结可以被用在三族氮化物场效应器件上以实现常关断工作模式，大击穿电压，低漏电流流和高导通关断电流比。进一步地，被披露的AlGaN/GaN金属-2DEG TJ-FET可以被制造为横向或纵向器件。进一步的非限制性实施例给出了披露结构的优势和灵活性。