公开(公告)号：TWI379366B

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：TW097141322

申请日：2008-10-28

申请人： 星科金朋有限公司

发明人： 關協和 ,  鄒勝源 ,  蔡佩燕 ,  美瑞羅 迪歐柯羅A

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/565 ,  H01L23/50 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/16 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 一種積體電路封裝方法，包含：在封裝件載體(package carrier)上方安裝裝置結構(device structure)；在該裝置結構與該封裝件載體之間連接內部互連(internal interconnect)；在位於該裝置結構上方的該內部互連上方形成互連鎖(interconnect lock)，且該互連鎖外露該裝置結構；以及，在相鄰該互連鎖及該封裝件載體上方形成封裝件包覆體(package encapsulation)。

简体摘要： 一种集成电路封装方法，包含：在封装件载体(package carrier)上方安装设备结构(device structure)；在该设备结构与该封装件载体之间连接内部互连(internal interconnect)；在位于该设备结构上方的该内部互连上方形成互连锁(interconnect lock)，且该互连锁外露该设备结构；以及，在相邻该互连锁及该封装件载体上方形成封装件包覆体(package encapsulation)。

公开(公告)号：TWI377658B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：TW097134990

申请日：2008-09-12

申请人： 星科金朋有限公司

发明人： 皮斯根 傑爾斯 雷格斯皮 ,  巴薩蘭 傑弗里D ,  鄭建傳 ,  卡馬州 齊摩 羅麥茲

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49541 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 一種積體電路封裝方法包含提供積體電路晶粒；附接該積體電路晶粒於具有數個導線塊之導線柵上；並且將晶粒互連連接至該積體電路晶粒和該數個導線塊。

简体摘要： 一种集成电路封装方法包含提供集成电路晶粒；附接该集成电路晶粒于具有数个导线块之导线栅上；并且将晶粒互连连接至该集成电路晶粒和该数个导线块。

公开(公告)号：TW201245393A

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：TW101107574

申请日：2012-03-07

申请人： 日東電工股份有限公司

发明人： 大西謙司 ,  盛田美希

IPC分类号： C09J ,  H01L

CPC分类号： C08G59/3209 ,  C08G59/621 ,  C08L61/04 ,  C09J7/29 ,  C09J133/068 ,  C09J163/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85097 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/92165 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  Y02P20/582 ,  Y10T428/2874 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明的目的在於提供在固化前後可以得到充分的接著力和高溫下的彈性模數，作業性良好，並且在晶片接合薄膜與被黏物的邊界處不積存氣泡(空隙)，也可以耐受耐濕回流焊接試驗的可靠性高的晶片接合薄膜、以及具有該晶片接合薄膜的切割．晶片接合薄膜、以及半導體裝置的製造方法。本發明的晶片接合薄膜，其含有重量平均分子量50萬以上的含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)和酚醛樹脂(b)，所述含有縮水甘油基的丙烯酸類共聚物(a)的含量x相對於酚醛樹脂(b)的含量y的重量比(x/y)為5以上30以下，且實質上不含有重量平均分子量5000以下的環氧樹脂。

简体摘要： 本发明的目的在于提供在固化前后可以得到充分的接着力和高温下的弹性模数，作业性良好，并且在芯片接合薄膜与被黏物的边界处不积存气泡(空隙)，也可以耐受耐湿回流焊接试验的可靠性高的芯片接合薄膜、以及具有该芯片接合薄膜的切割．芯片接合薄膜、以及半导体设备的制造方法。本发明的芯片接合薄膜，其含有重量平均分子量50万以上的含有缩水甘油基的丙烯酸类共聚物(a)和酚醛树脂(b)，所述含有缩水甘油基的丙烯酸类共聚物(a)的含量x相对于酚醛树脂(b)的含量y的重量比(x/y)为5以上30以下，且实质上不含有重量平均分子量5000以下的环氧树脂。

公开(公告)号：TW201244180A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW100131469

申请日：2011-09-01

申请人： 東芝股份有限公司

发明人： 山本真美 ,  井上一裕 ,  清水聰 ,  江越秀德 ,  長畑安典

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 實施形態的一種LED封裝,是具備:第1及第2導線架、及LED晶片、以及樹脂體,該第1及第2導線架是相互地隔離,該LED晶片是設於上述第1及第2導線架的上方,一方的端子被連接於上述第1導線架,且另一方的端子被連接於上述第2導線架,該樹脂體是覆蓋上述第1及第2導線架的各個頂面的全體、底面的一部分和端面的一部分,且覆蓋上述LED晶片,並露出上述底面的上述殘餘部和上述端面的上述殘餘部。更進一步,在上述第1及第2導線架的各個上述底面的殘餘部和上述端面的殘餘部之間形成有凹部,在上述凹部的內面是未由上述樹脂體所覆蓋。

简体摘要： 实施形态的一种LED封装,是具备:第1及第2导线架、及LED芯片、以及树脂体,该第1及第2导线架是相互地隔离,该LED芯片是设于上述第1及第2导线架的上方,一方的端子被连接于上述第1导线架,且另一方的端子被连接于上述第2导线架,该树脂体是覆盖上述第1及第2导线架的各个顶面的全体、底面的一部分和端面的一部分,且覆盖上述LED芯片,并露出上述底面的上述残余部和上述端面的上述残余部。更进一步,在上述第1及第2导线架的各个上述底面的残余部和上述端面的残余部之间形成有凹部,在上述凹部的内面是未由上述树脂体所覆盖。

公开(公告)号：TW201243935A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW101107878

申请日：2012-03-08

申请人： 日東電工股份有限公司

发明人： 井上剛一 ,  盛田美希 ,  宍戶雄一郎

IPC分类号： H01L ,  C09J

CPC分类号： H01L21/56 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明提供晶片接合薄膜位於切割薄膜的中心的半導體裝置用薄膜的製造方法。一種半導體裝置用薄膜的製造方法,所述半導體裝置用薄膜通過切割薄膜、晶片接合薄膜和保護薄膜以該順序積層而得到,其包括:照射波長400nm~800nm的光線,基於所得到的光線透射率檢測晶片接合薄膜的位置的製程,和基於檢測到的晶片接合薄膜的位置,對所述切割薄膜進行沖裁的製程;將切割薄膜和保護薄膜的積層部分的光線透射率設為T1、將切割薄膜與晶片接合薄膜和保護薄膜的積層部分的光線透射率設為T2時,T2/T1為0.04以上。

简体摘要： 本发明提供芯片接合薄膜位于切割薄膜的中心的半导体设备用薄膜的制造方法。一种半导体设备用薄膜的制造方法,所述半导体设备用薄膜通过切割薄膜、芯片接合薄膜和保护薄膜以该顺序积层而得到,其包括:照射波长400nm~800nm的光线,基于所得到的光线透射率检测芯片接合薄膜的位置的制程,和基于检测到的芯片接合薄膜的位置,对所述切割薄膜进行冲裁的制程;将切割薄膜和保护薄膜的积层部分的光线透射率设为T1、将切割薄膜与芯片接合薄膜和保护薄膜的积层部分的光线透射率设为T2时,T2/T1为0.04以上。

公开(公告)号：TW201238017A

公开(公告)日：2012-09-16

申请号：TW101103353

申请日：2012-02-02

申请人： 富士通股份有限公司

发明人： 谷元昭 ,  岡本圭史郎

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3224 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1026 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/1047 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/142 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

摘要： 一種半導體裝置,包含:半導體元件,包含第一電極;基板,包含第二電極和凹部;以及散熱黏著材料,將該半導體元件安置於該凹部中以便將該第一電極配置成靠近該第二電極,其中該第一電極耦接至該第二電極和該散熱黏著材料覆蓋該半導體元件之底表面和至少部分之側表面。

简体摘要： 一种半导体设备,包含:半导体组件,包含第一电极;基板,包含第二电极和凹部;以及散热黏着材料,将该半导体组件安置于该凹部中以便将该第一电极配置成靠近该第二电极,其中该第一电极耦接至该第二电极和该散热黏着材料覆盖该半导体组件之底表面和至少部分之侧表面。

公开(公告)号：TWI371797B

公开(公告)日：2012-09-01

申请号：TW095132672

申请日：2006-09-05

申请人： 羅門哈斯電子材料有限公司

发明人： 劉異軍 ,  郭偉民

IPC分类号： H01L

CPC分类号： C25D5/505 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/32 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  C23C28/028 ,  C25D5/14 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/498 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01R13/03 ,  H05K3/244 ,  Y10S428/929 ,  Y10S428/939 ,  Y10T428/12722 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係揭示方法及物品。該等方法係針對沉積鎳雙層至基材上以抑制腐蝕及改善基材之可焊性。該等基材具有金或金合金加工。

简体摘要： 本发明系揭示方法及物品。该等方法系针对沉积镍双层至基材上以抑制腐蚀及改善基材之可焊性。该等基材具有金或金合金加工。

公开(公告)号：TW201236092A

公开(公告)日：2012-09-01

申请号：TW100130795

申请日：2011-08-26

申请人： 晟碟半導體(上海)有限公司 ,  晟碟信息技術(上海)有限公司

发明人： 呂忠 ,  余芬 ,  邱進添 ,  俞志明 ,  肖富強

IPC分类号： H01L

CPC分类号： B23K20/005 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2224/4554

摘要： 本發明揭示一種用於一半導體器件之引線接合結構。該引線接合結構包含：一接合墊；一導電凸塊，其安置於該接合墊上，該導電凸塊包括一凹面頂表面；及一段連續引線，該段連續引線與該導電凸塊之該凹面頂表面相互擴散。該引線電耦接該接合墊與一第一電接點及一不同於該第一電接點之第二電接點。

简体摘要： 本发明揭示一种用于一半导体器件之引线接合结构。该引线接合结构包含：一接合垫；一导电凸块，其安置于该接合垫上，该导电凸块包括一凹面顶表面；及一段连续引线，该段连续引线与该导电凸块之该凹面顶表面相互扩散。该引线电耦接该接合垫与一第一电接点及一不同于该第一电接点之第二电接点。

公开(公告)号：TWI370840B

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：TW096103822

申请日：2007-02-02

申请人： 三菱化學股份有限公司

发明人： 下岡智 ,  上田恭太 ,  三上昌義 ,  木島直人 ,  伊村宏之 ,  堀部謙太郎

IPC分类号： C09K ,  H01L

CPC分类号： C09K11/7734 ,  C09K11/0883 ,  H01L24/45 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明係為了提供對藍色或近紫外光之變換效率高且色彩純度良好之綠色螢光體，而提出一種以通式[I]所表示之複合氮氧化物螢光體。
M1xBayM2zLuOvNw[I]式[I]中，M1表示Cr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Yb，M2表示Sr、Ca、Mg及Zn，L表示屬於元素週期表第4族或第14族之金屬元素，x、y、z、u、v及w分別為以下數值。
0.00001≦x≦3
0≦y≦2.99999
2.6≦x+y+z≦3
0

简体摘要： 本发明系为了提供对蓝色或近紫外光之变换效率高且色彩纯度良好之绿色萤光体，而提出一种以通式[I]所表示之复合氮氧化物萤光体。 M1xBayM2zLuOvNw[I]式[I]中，M1表示Cr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Yb，M2表示Sr、Ca、Mg及Zn，L表示属于元素周期表第4族或第14族之金属元素，x、y、z、u、v及w分别为以下数值。 0.00001≦x≦3 0≦y≦2.99999 2.6≦x+y+z≦3 0

公开(公告)号：TW201234543A

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：TW101102667

申请日：2012-01-20

申请人： 松下電器產業股份有限公司

发明人： 奧村真 ,  田浦巧 ,  中谷友洋 ,  友井田亮

IPC分类号： H01L

CPC分类号： B81C1/00365 ,  G01P15/00 ,  G01P15/125 ,  H01L23/057 ,  H01L23/10 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 埋入玻璃之矽基板之製造方法,具備:於矽基板(10)形成凹部(11)的步驟、於凹部(11)填充粉末狀、糊狀或者前驅體溶液之玻璃材料(20a)的步驟、加熱玻璃材料(20a)使其軟化的步驟、燒結使軟化的玻璃材料(20a)的步驟、在凹部(11)被填充玻璃材料(20a)的矽基板(10)的表背面使玻璃材料(20a)與矽基板(10)露出的步驟。

简体摘要： 埋入玻璃之硅基板之制造方法,具备:于硅基板(10)形成凹部(11)的步骤、于凹部(11)填充粉末状、煳状或者前驱体溶液之玻璃材料(20a)的步骤、加热玻璃材料(20a)使其软化的步骤、烧结使软化的玻璃材料(20a)的步骤、在凹部(11)被填充玻璃材料(20a)的硅基板(10)的表背面使玻璃材料(20a)与硅基板(10)露出的步骤。