-
公开(公告)号：TWI576983B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104133661
申请日：2015-10-14
发明人： 曾華偉 , TSENG, HUA WEI , 杜尚耘 , TU, SHANG YUN , 陳旭賢 , CHEN, HSU HSIEN , 劉浩君 , LIU, HAO JUIN , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN , 曾明鴻 , TSENG, MING HUNG , 莊其達 , CHUANG, CHITA
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/00
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L23/3142 , H01L23/3157 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/53214 , H01L23/53233 , H01L23/53257 , H01L23/5329 , H01L23/562 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0231 , H01L2224/02351 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/03831 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05017 , H01L2224/05085 , H01L2224/05548 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/1132 , H01L2224/11424 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11472 , H01L2224/11903 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/381 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/01079 , H01L2924/01051 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01013 , H01L2924/00
-
公开(公告)号：TW201626539A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104133661
申请日：2015-10-14
发明人： 曾華偉 , TSENG, HUA WEI , 杜尚耘 , TU, SHANG YUN , 陳旭賢 , CHEN, HSU HSIEN , 劉浩君 , LIU, HAO JUIN , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN , 曾明鴻 , TSENG, MING HUNG , 莊其達 , CHUANG, CHITA
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/00
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L23/3142 , H01L23/3157 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/53214 , H01L23/53233 , H01L23/53257 , H01L23/5329 , H01L23/562 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0231 , H01L2224/02351 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/03831 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05017 , H01L2224/05085 , H01L2224/05548 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/1132 , H01L2224/11424 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11472 , H01L2224/11903 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/381 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/01079 , H01L2924/01051 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01013 , H01L2924/00
摘要： 一半導體封裝結構具有包括一傳導墊之第一半導體基板；以及位於傳導墊上之傳導柱，所述傳導柱設於第一半導體基板與第二半導體基板之間。傳導墊與第一半導體基板之電路耦接。傳導柱沿著縱軸並朝向第二半導體基板而延伸。傳導柱有一側壁，側壁上有朝向縱軸而內凹之粗糙表面。
简体摘要： 一半导体封装结构具有包括一传导垫之第一半导体基板；以及位于传导垫上之传导柱，所述传导柱设于第一半导体基板与第二半导体基板之间。传导垫与第一半导体基板之电路耦接。传导柱沿着纵轴并朝向第二半导体基板而延伸。传导柱有一侧壁，侧壁上有朝向纵轴而内凹之粗糙表面。
-
公开(公告)号：TWI625835B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW102119062
申请日：2013-05-30
发明人： 莊曜群 , CHUANG, YAO CHUN , 莊其達 , CHUANG, CHITA , 劉浩君 , LIU, HAO JUIN , 郭正錚 , KUO, CHEN CHENG , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
-
公开(公告)号：TW201411752A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102129242
申请日：2013-08-15
发明人： 莊曜群 , CHUANG, YAO CHUN , 徐語晨 , HSU, YU CHEN , 劉浩君 , LIU, HAO JUIN , 莊其達 , CHUANG, CHITA , 郭正錚 , KUO, CHEN CHENG , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L23/562 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05572 , H01L2224/10125 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2224/16145 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
摘要： 一種半導體結構，包括：多個連接器，形成於一第一半導體晶粒之一頂表面上；一第二半導體晶粒，形成於第一半導體晶粒上且透過連接器與第一半導體晶粒相連；一第一閒置(dummy)導電平面，形成於第一半導體晶粒的一邊緣與連接器之間，其中第一半導體晶粒之一邊緣與一第一中性點距離(Distance to Neutral Point,DNP)方向形成一第一角度，且其中第一角度小於或等於約45°。
简体摘要： 一种半导体结构，包括：多个连接器，形成于一第一半导体晶粒之一顶表面上；一第二半导体晶粒，形成于第一半导体晶粒上且透过连接器与第一半导体晶粒相连；一第一闲置(dummy)导电平面，形成于第一半导体晶粒的一边缘与连接器之间，其中第一半导体晶粒之一边缘与一第一中性点距离(Distance to Neutral Point,DNP)方向形成一第一角度，且其中第一角度小于或等于约45°。
-
公开(公告)号：TW201349420A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102119062
申请日：2013-05-30
发明人： 莊曜群 , CHUANG, YAO CHUN , 莊其達 , CHUANG, CHITA , 劉浩君 , LIU, HAO JUIN , 郭正錚 , KUO, CHEN CHENG , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/0558 , H01L2224/05599 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13171 , H01L2224/13172 , H01L2224/13184 , H01L2224/16238 , H01L2924/00014 , H01L2924/207 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/05552
摘要： 本發明提供一種系統及方法，以防止鈍化保護層中的裂縫發生。在一實施例中，一接觸墊具有第一直徑，穿透鈍化保護層之一開口具有第二直徑，其中第一直徑比第二直徑大上一第一距離，其約為10微米。在另一實施例中，一凸塊底層金屬層穿過上述開口且具有一第三直徑，其中第三直徑比第一直徑大上一第二距離，其為5微米。在又一實施例中，第一距離及第二距離的總和大於15微米。
简体摘要： 本发明提供一种系统及方法，以防止钝化保护层中的裂缝发生。在一实施例中，一接触垫具有第一直径，穿透钝化保护层之一开口具有第二直径，其中第一直径比第二直径大上一第一距离，其约为10微米。在另一实施例中，一凸块底层金属层穿过上述开口且具有一第三直径，其中第三直径比第一直径大上一第二距离，其为5微米。在又一实施例中，第一距离及第二距离的总和大于15微米。
-
公开(公告)号：TWI538133B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW102144774
申请日：2013-12-06
发明人： 劉浩君 , LIU, HAO JUIN , 莊其達 , CHUANG, CHITA , 莊曜群 , CHUANG, YAO CHUN , 曾明鴻 , TSENG, MING HUNG , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/4821 , H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L23/5384 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/13147 , H01L2224/13564 , H01L2224/13601 , H01L2224/13611 , H01L2224/13624 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/16225 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K1/0296 , H05K1/112 , Y10T29/49149 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00
-
公开(公告)号：TWI503906B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW102129242
申请日：2013-08-15
发明人： 莊曜群 , CHUANG, YAO CHUN , 徐語晨 , HSU, YU CHEN , 劉浩君 , LIU, HAO JUIN , 莊其達 , CHUANG, CHITA , 郭正錚 , KUO, CHEN CHENG , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L23/562 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05572 , H01L2224/10125 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2224/16145 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
-
公开(公告)号：TW201417234A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102134694
申请日：2013-09-26
发明人： 劉浩君 , LIU, HAO JUIN , 莊曜群 , CHUANG, YAO CHUN , 莊其達 , CHUANG, CHITA , 曾裕仁 , TSENG, YU JEN , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528
CPC分类号： H01L23/3192 , H01L23/293 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/13017 , H01L2224/13022 , H01L2224/13147 , H01L2924/00014 , H01L2924/206
摘要： 本發明的實施例提供一種半導體結構，包括一第一鈍化層，形成在一基板上；一第二鈍化層，形在在該第一鈍化層上，其中該第二鈍化層包括具有一第一寬度的一第一開口；一接合墊，埋置在該第一鈍化層及該第二鈍化層中；一保護層，形成在該第二鈍化層上，該保護層包括具有一第二寬度的一第二開口，其中該第二寬度大於該第一寬度；以及一連接部，形成在該接合墊上。
简体摘要： 本发明的实施例提供一种半导体结构，包括一第一钝化层，形成在一基板上；一第二钝化层，形在在该第一钝化层上，其中该第二钝化层包括具有一第一宽度的一第一开口；一接合垫，埋置在该第一钝化层及该第二钝化层中；一保护层，形成在该第二钝化层上，该保护层包括具有一第二宽度的一第二开口，其中该第二宽度大于该第一宽度；以及一连接部，形成在该接合垫上。
-
公开(公告)号：TW201405742A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102125170
申请日：2013-07-15
发明人： 莊曜群 , CHUANG, YAO CHUN , 莊其達 , CHUANG, CHITA , 郭正錚 , KUO, CHEN CHENG , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/488 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/05015 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05552 , H01L2224/05572 , H01L2224/13014 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/141 , H01L2224/16104 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/814 , H01L2224/81815 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/35121 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本發明提供一種封裝結構，包括：一晶粒封裝體，具有一包括一銅柱之連接結構，其中前述銅柱包括一第一表面區域；一基板，具有一焊料層填入一金屬墊之上的開口之，其中前述焊料層直接接觸於前述金屬墊，其中前述開口具有一第二表面區域，其中前述金屬墊具有一第三表面區域，其中前述第一、前述第二、前述第三表面區域至少其一具有一拉長的形狀，其中前述第三表面區域寬於前述第二表面區域；以及其中前述焊料層與前述晶粒封裝體上之前述連接結構形成一接合結構。
简体摘要： 本发明提供一种封装结构，包括：一晶粒封装体，具有一包括一铜柱之连接结构，其中前述铜柱包括一第一表面区域；一基板，具有一焊料层填入一金属垫之上的开口之，其中前述焊料层直接接触于前述金属垫，其中前述开口具有一第二表面区域，其中前述金属垫具有一第三表面区域，其中前述第一、前述第二、前述第三表面区域至少其一具有一拉长的形状，其中前述第三表面区域宽于前述第二表面区域；以及其中前述焊料层与前述晶粒封装体上之前述连接结构形成一接合结构。
-
公开(公告)号：TW201725636A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105140758
申请日：2016-12-09
发明人： 陳承先 , CHEN, CHEN-SHIEN , 莊其達 , CHUANG, CHITA , 李明機 , LII, MIRNG-JI , 吳勝郁 , WU, SHENG-YU
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03614 , H01L2224/03912 , H01L2224/03916 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1144 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11906 , H01L2224/13007 , H01L2224/13013 , H01L2224/13021 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/14131 , H01L2224/16 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/81191 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/81825 , H01L2224/8183 , H01L2224/94 , H01L2924/3512 , H01L2924/381 , H01L2924/04953 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/11
摘要： 本發明實施例提供連接件結構及其形成方法。此方法包括將第一圖案化的鈍化層形成於工件上，第一圖案化的鈍化層具有暴露工件的導電特徵的第一開口。將晶種層形成於第一圖案化的鈍化層之上以及第一開口中。將圖案化的罩幕層形成於晶種層之上，圖案化的罩幕層具有暴露晶種層的第二開口，第二開口與第一開口交疊。將連接件形成於第二開口中。部分地移除圖案化的罩幕層，圖案化的罩幕層的未移除部分留存於第一開口中。使用圖案化的罩幕層的未移除部分做為罩幕來圖案化晶種層。
简体摘要： 本发明实施例提供连接件结构及其形成方法。此方法包括将第一图案化的钝化层形成于工件上，第一图案化的钝化层具有暴露工件的导电特征的第一开口。将晶种层形成于第一图案化的钝化层之上以及第一开口中。将图案化的罩幕层形成于晶种层之上，图案化的罩幕层具有暴露晶种层的第二开口，第二开口与第一开口交叠。将连接件形成于第二开口中。部分地移除图案化的罩幕层，图案化的罩幕层的未移除部分留存于第一开口中。使用图案化的罩幕层的未移除部分做为罩幕来图案化晶种层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
22 条记录 (耗时 0.02 秒)
