公开(公告)号：TW201724450A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105127674

申请日：2016-08-29

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/09 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 在微電子封裝中，第一導線接合導線是耦合至基板的上表面。第一接合塊體是耦合至第一導線接合導線的另一端。第二導線接合導線是耦合至上表面。第二接合塊體是耦合至第二導線接合導線的另一端。第一導線接合導線和第二導線接合導線橫向地水平突出而遠離基板的上表面至少第一導線接合導線和第二導線接合導線兩者的直徑約2至3倍的距離。第一導線接合導線和第二導線接合導線是以與上表面在+/-10度內共平面的方式而呈水平達到所述距離。

简体摘要： 在微电子封装中，第一导线接合导线是耦合至基板的上表面。第一接合块体是耦合至第一导线接合导线的另一端。第二导线接合导线是耦合至上表面。第二接合块体是耦合至第二导线接合导线的另一端。第一导线接合导线和第二导线接合导线横向地水平突出而远离基板的上表面至少第一导线接合导线和第二导线接合导线两者的直径约2至3倍的距离。第一导线接合导线和第二导线接合导线是以与上表面在+/-10度内共平面的方式而呈水平达到所述距离。

公开(公告)号：TW201633457A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104141689

申请日：2015-12-11

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  佐尼 惠爾 ,  ZOHNI, WAEL

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/3677 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/5384 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 於微電子裝置，基板具有第一上和下表面。積體電路晶粒具有第二上和下表面。互連將基板的第一上表面耦合於積體電路晶粒的第二下表面以在其間做電通訊。孔陣列具有其接線的近端，其耦合於第二上表面以將熱傳導離開積體電路晶粒。模製材料配置於孔陣列中，而孔陣列之接線的遠端至少延伸到模製材料的較高表面。

简体摘要： 于微电子设备，基板具有第一上和下表面。集成电路晶粒具有第二上和下表面。互连将基板的第一上表面耦合于集成电路晶粒的第二下表面以在其间做电通信。孔数组具有其接线的近端，其耦合于第二上表面以将热传导离开集成电路晶粒。模制材料配置于孔数组中，而孔数组之接线的远程至少延伸到模制材料的较高表面。

公开(公告)号：TW201631735A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104140724

申请日：2015-12-04

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  烏卓 塞普里昂艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R. ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  阿拉瓦爾 阿卡許 ,  AGRAWAL, AKASH ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L23/5385 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49097 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 晶粒(110)及/或未切割的晶圓及/或多晶片的模組(MCM)係被附接在一中介體(120)或是某種其它結構(例如，另一積體電路)的頂端上，並且被一囊封材料(160)所覆蓋。接著該中介體係從下方被薄化。在囊封之前，一比該囊封材料更剛性的層(410)係被形成在晶粒周圍的中介體上，以在該中介體藉由一機械式製程(例如，CMP)被薄化時，降低或是消除在該些晶粒之間的中介體凹陷。其它的特點亦被提出。

简体摘要： 晶粒(110)及/或未切割的晶圆及/或多芯片的模块(MCM)系被附接在一中介体(120)或是某种其它结构(例如，另一集成电路)的顶端上，并且被一囊封材料(160)所覆盖。接着该中介体系从下方被薄化。在囊封之前，一比该囊封材料更刚性的层(410)系被形成在晶粒周围的中介体上，以在该中介体借由一机械式制程(例如，CMP)被薄化时，降低或是消除在该些晶粒之间的中介体凹陷。其它的特点亦被提出。

公开(公告)号：TW201630147A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104140292

申请日：2015-12-02

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/055 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/315 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 堆疊的晶粒(110)係由可模造材料所形成的多個囊封層(524)而被囊封在一個插入物的孔穴(304)之中。導電路徑(520,623)係將該等晶粒連接到該孔穴的底壁部(304B)，且透過通過該底壁部的基板穿孔(TSV)而連接到該插入物之下的一個導體。該等導電路徑可被形成在其之每一個為形成在個別的囊封層中的一個通孔(514)之中的諸段。各段係可藉由電鍍而被形成在一個較低的段上；電鍍電流係可透過該等TSV與稍早形成的諸段而從該插入物之下所提供。其他特徵亦被提供。

简体摘要： 堆栈的晶粒(110)系由可模造材料所形成的多个囊封层(524)而被囊封在一个插入物的孔穴(304)之中。导电路径(520,623)系将该等晶粒连接到该孔穴的底壁部(304B)，且透过通过该底壁部的基板穿孔(TSV)而连接到该插入物之下的一个导体。该等导电路径可被形成在其之每一个为形成在个别的囊封层中的一个通孔(514)之中的诸段。各段系可借由电镀而被形成在一个较低的段上；电镀电流系可透过该等TSV与稍早形成的诸段而从该插入物之下所提供。其他特征亦被提供。

公开(公告)号：TW201842643A

公开(公告)日：2018-12-01

申请号：TW107112587

申请日：2018-04-12

申请人： 美商英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 哈巴 貝爾格森 ,  HABA, BELGACEM ,  莫罕默德 伊黎雅斯 ,  MOHAMMED, ILYAS ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

摘要： 本發明提供具有阻劑孔之扇出晶圓級封裝。在一實施中，實例晶圓級製程或面板製造製程包括：將晶粒黏附至載體，將臨時阻劑層施加於該晶粒及該載體上方，使該阻劑層顯影以形成通道或空間，用模製材料填充該些通道或該些空間，移除剩餘阻劑以在該模製材料中產生孔，及金屬化該模製材料中之該些孔以提供用於微電子封裝的導電孔。所述方法自動地產生良好的孔與襯墊對準。在另一實施中，一實例製程包括：將晶粒黏附至載體，將永久阻劑層施加於該晶粒及該載體上方，使該阻劑層顯影以在該阻劑層中形成孔，及金屬化該永久阻劑層之剩餘阻劑中的該些孔以提供用於該微電子封裝的導電孔。總成可用面向上或面向下的半導體晶粒構建。一或多個重佈層（RDL）可建置於具有阻劑孔之總成的一側或兩側上。

简体摘要： 本发明提供具有阻剂孔之扇出晶圆级封装。在一实施中，实例晶圆级制程或皮肤制造制程包括：将晶粒黏附至载体，将临时阻剂层施加于该晶粒及该载体上方，使该阻剂层显影以形成信道或空间，用模制材料填充该些信道或该些空间，移除剩余阻剂以在该模制材料中产生孔，及金属化该模制材料中之该些孔以提供用于微电子封装的导电孔。所述方法自动地产生良好的孔与衬垫对准。在另一实施中，一实例制程包括：将晶粒黏附至载体，将永久阻剂层施加于该晶粒及该载体上方，使该阻剂层显影以在该阻剂层中形成孔，及金属化该永久阻剂层之剩余阻剂中的该些孔以提供用于该微电子封装的导电孔。总成可用面向上或面向下的半导体晶粒构建。一或多个重布层（RDL）可建置于具有阻剂孔之总成的一侧或两侧上。

公开(公告)号：TW201729369A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105137430

申请日：2016-11-16

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH ,  普拉布 阿修克S ,  PRABHU, ASHOK S. ,  維拉維森席歐 葛蘭特 ,  VILLAVICENCIO, GRANT ,  李 相日 ,  LEE, SANGIL ,  阿拉托勒 羅西安 ,  ALATORRE, ROSEANN ,  迪拉克魯茲 賈維爾A ,  DELACRUZ, JAVIER A. ,  麥克葛拉斯 史考特 ,  MCGRATH, SCOTT

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L23/043 ,  H01L23/053 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15333 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種構件，其可包括大致上平坦元件、覆於所述大致上平坦元件上的強化的介電層、覆於所述強化的介電層上的囊封以及多個導線接合。每一個導線接合在所述囊封的主要表面處皆具有端部。所述導線接合可具有在所述強化的介電層內延伸的第一部分。所述導線接合的至少一些的所述第一部分可具有可改變各自所述導線接合的延伸方向的彎曲部。所述強化的介電層可具有圍繞所述導線接合的各自導線接合的突出區域，與所述突出區域的相鄰突出區域之間的所述強化的介電層的部分相比，所述突出區域延伸至從所述大致上平坦元件的所述第一表面算起還要高的尖峰高度。所述突出區域的所述尖峰高度可與所述強化的介電層和個別導線接合之間的接觸點重合。

简体摘要： 一种构件，其可包括大致上平坦组件、覆于所述大致上平坦组件上的强化的介电层、覆于所述强化的介电层上的囊封以及多个导线接合。每一个导线接合在所述囊封的主要表面处皆具有端部。所述导线接合可具有在所述强化的介电层内延伸的第一部分。所述导线接合的至少一些的所述第一部分可具有可改变各自所述导线接合的延伸方向的弯曲部。所述强化的介电层可具有围绕所述导线接合的各自导线接合的突出区域，与所述突出区域的相邻突出区域之间的所述强化的介电层的部分相比，所述突出区域延伸至从所述大致上平坦组件的所述第一表面算起还要高的尖峰高度。所述突出区域的所述尖峰高度可与所述强化的介电层和个别导线接合之间的接触点重合。

公开(公告)号：TWI591798B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW104140724

申请日：2015-12-04

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  烏卓 塞普里昂艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R. ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  阿拉瓦爾 阿卡許 ,  AGRAWAL, AKASH ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L23/5385 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49097 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

公开(公告)号：TW201705418A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105109416

申请日：2016-03-25

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5387 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0326 ,  H05K2201/062 ,  H05K2201/10378

摘要： 提出的是基板結構，其可以包括多孔性聚醯亞胺材料和形成於多孔性聚醯亞胺材料中的電極。於某些範例，形成基板的方法可以包括：沉積阻障層在基板上；沉積光阻在阻障層上；圖案化和蝕刻光阻；形成電極；移除光阻；沉積多孔性聚醯亞胺氣凝膠；沉積介電層在氣凝膠材料上；拋光插置物的頂側以暴露電極；以及從插置物的底側移除基板。

简体摘要： 提出的是基板结构，其可以包括多孔性聚酰亚胺材料和形成于多孔性聚酰亚胺材料中的电极。于某些范例，形成基板的方法可以包括：沉积阻障层在基板上；沉积光阻在阻障层上；图案化和蚀刻光阻；形成电极；移除光阻；沉积多孔性聚酰亚胺气凝胶；沉积介电层在气凝胶材料上；抛光插置物的顶侧以暴露电极；以及从插置物的底侧移除基板。

公开(公告)号：TWI670825B

公开(公告)日：2019-09-01

申请号：TW104136418

申请日：2015-11-05

申请人： 美商英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  奎瓦拉 嘉比愛爾Z ,  GUEVARA, GABRIEL Z. ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH ,  烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  米卡里米 蘿拉 威爾斯 ,  MIRKARIMI, LAURA WILLS

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/58

公开(公告)号：TW201843830A

公开(公告)日：2018-12-16

申请号：TW107108645

申请日：2018-03-14

申请人： 美商英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 陶敏 ,  TAO, MIN ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH ,  烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/60 ,  H01L21/18

摘要： 本發明提供直接接合的LED陣列及應用。一實例方法製造一LED結構，其包括用於該LED結構之一平面接合介面表面上之該LED結構之p型及n型半導體的共面電接觸點。該平面接合介面表面之該些共面電接觸點直接接合至用於該LED結構之一驅動器電路之電接觸點。在一晶圓級方法中，微LED結構製造於一第一晶圓上，該些結構包括用於該晶圓之該些平面接合介面表面上之該些LED結構的p型及n型半導體之共面電接觸點。該平面接合介面之至少該些共面電接觸點直接接合至一第二晶圓上之CMOS驅動器電路之電接觸點。該方法提供一透明且可撓之微LED陣列顯示器，其中各微LED結構具有近似於在一高分辨率視訊顯示器上呈現之一圖像之一像素或一最小可控制元件之大小的一照明區域。

简体摘要： 本发明提供直接接合的LED数组及应用。一实例方法制造一LED结构，其包括用于该LED结构之一平面接合界面表面上之该LED结构之p型及n型半导体的共面电接触点。该平面接合界面表面之该些共面电接触点直接接合至用于该LED结构之一驱动器电路之电接触点。在一晶圆级方法中，微LED结构制造于一第一晶圆上，该些结构包括用于该晶圆之该些平面接合界面表面上之该些LED结构的p型及n型半导体之共面电接触点。该平面接合界面之至少该些共面电接触点直接接合至一第二晶圆上之CMOS驱动器电路之电接触点。该方法提供一透明且可挠之微LED数组显示器，其中各微LED结构具有近似于在一高分辨率视频显示器上呈现之一图像之一像素或一最小可控件之大小的一照明区域。