公开(公告)号：US08637410B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US13082968

申请日：2011-04-08

申请人： Anantha K. Subramani ,  John C. Forster ,  Seshadri Ganguli ,  Michael S. Jackson ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  Xinyu Fu ,  Yu Lei

发明人： Anantha K. Subramani ,  John C. Forster ,  Seshadri Ganguli ,  Michael S. Jackson ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  Xinyu Fu ,  Yu Lei

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/08 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76843 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Methods for formation and treatment of pure metal layers using CVD and ALD techniques are provided. In one or more embodiments, the method includes forming a metal precursor layer and treating the metal precursor layer to a hydrogen plasma to reduce the metal precursor layer to form a metal layer. In one or more embodiments, treating the metal precursor layer includes exposing the metal precursor layer to a high frequency-generated hydrogen plasma. Methods of preventing a hydrogen plasma from penetrating a metal precursor layer are also provided.

摘要翻译： 提供了使用CVD和ALD技术形成和处理纯金属层的方法。 在一个或多个实施方案中，该方法包括形成金属前体层并将金属前体层处理成氢等离子体以还原金属前体层以形成金属层。 在一个或多个实施方案中，处理金属前体层包括将金属前体层暴露于高频产生的氢等离子体。 还提供了防止氢等离子体渗透金属前体层的方法。

公开(公告)号：US20120258602A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13082968

申请日：2011-04-08

申请人： Anantha K. Subramani ,  John C. Forster ,  Seshadri Ganguli ,  Michael S. Jackson ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  Xinyu Fu ,  Yu Lei

发明人： Anantha K. Subramani ,  John C. Forster ,  Seshadri Ganguli ,  Michael S. Jackson ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  Xinyu Fu ,  Yu Lei

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/08 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76843 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Methods for formation and treatment of pure metal layers using CVD and ALD techniques are provided. In one or more embodiments, the method includes forming a metal precursor layer and treating the metal precursor layer to a hydrogen plasma to reduce the metal precursor layer to form a metal layer. In one or more embodiments, treating the metal precursor layer includes exposing the metal precursor layer to a high frequency-generated hydrogen plasma. Methods of preventing a hydrogen plasma from penetrating a metal precursor layer are also provided.

摘要翻译： 提供了使用CVD和ALD技术形成和处理纯金属层的方法。 在一个或多个实施方案中，该方法包括形成金属前体层并将金属前体层处理成氢等离子体以还原金属前体层以形成金属层。 在一个或多个实施方案中，处理金属前体层包括将金属前体层暴露于高频产生的氢等离子体。 还提供了防止氢等离子体渗透金属前体层的方法。

公开(公告)号：US07520957B2

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：US11137199

申请日：2005-05-24

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A lid assembly for semiconductor processing is provided. In at least one embodiment, the lid assembly includes a first electrode comprising an expanding section that has a gradually increasing inner diameter. The lid assembly also includes a second electrode disposed opposite the first electrode. A plasma cavity is defined between the inner diameter of the expanding section of the first electrode and a first surface of the second electrode.

摘要翻译： 提供了一种用于半导体处理的盖组件。 在至少一个实施例中，盖组件包括第一电极，其包括具有逐渐增加的内径的扩张部分。 盖组件还包括与第一电极相对设置的第二电极。 在第一电极的扩展部分的内径和第二电极的第一表面之间限定等离子体腔。

公开(公告)号：US07396480B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US11137609

申请日：2005-05-24

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for removing native oxides from a substrate surface is provided. In at least one embodiment, the method includes supporting the substrate surface in a vacuum chamber and generating reactive species from a gas mixture within the chamber. The substrate surface is then cooled within the chamber and the reactive species are directed to the cooled substrate surface to react with the native oxides thereon and form a film on the substrate surface. The substrate surface is then heated within the chamber to vaporize the film.

摘要翻译： 提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法。 在至少一个实施例中，该方法包括将基板表面支撑在真空室中，并从室内的气体混合物产生反应物质。 然后将衬底表面在腔室内冷却，并且反应物质被引导到冷却的衬底表面以与其上的天然氧化物反应并在衬底表面上形成膜。 然后将衬底表面在室内加热以使膜蒸发。

公开(公告)号：US08846163B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13489137

申请日：2012-06-05

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： B05D3/06 ,  H05B3/00 ,  C23C16/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one embodiment, the method comprises positioning a substrate having an oxide layer into a processing chamber, exposing the substrate to a gas mixture while forming a volatile film on the substrate and maintaining the substrate at a temperature below 65° C., heating the substrate to a temperature of at least about 75° C. to sublimate the volatile film and remove the oxide layer, and depositing a first layer on the substrate after heating the substrate.

摘要翻译： 提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法。 在一个实施例中，该方法包括将具有氧化物层的衬底定位到处理室中，将衬底暴露于气体混合物，同时在衬底上形成挥发性膜并将衬底保持在低于65℃的温度下，加热衬底 达到至少约75℃的温度以使挥发性膜升华并去除氧化物层，并且在加热基材之后在基板上沉积第一层。

公开(公告)号：US20110223755A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13112875

申请日：2011-05-20

申请人： CHIEN-TEH KAO ,  Jing-Pei(Connie) Chou ,  Chiukin(Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： CHIEN-TEH KAO ,  Jing-Pei(Connie) Chou ,  Chiukin(Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one embodiment, the method comprises positioning a substrate having an oxide layer into a processing chamber, generating a plasma of a reactive species from a gas mixture within the processing chamber, exposing the substrate to the reactive species while forming a volatile film on the substrate and maintaining the substrate at a temperature below 65° C., heating the substrate to a temperature of at least about 75° C. to vaporize the volatile film and remove the oxide layer, and depositing a first layer on the substrate after heating the substrate.

摘要翻译： 提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法。 在一个实施例中，该方法包括将具有氧化物层的衬底定位到处理室中，从处理室内的气体混合物产生反应物质的等离子体，将衬底暴露于反应性物质，同时在衬底上形成挥发性膜 并将衬底保持在低于65℃的温度下，将衬底加热到​​至少约75℃的温度以蒸发挥发性膜并去除氧化物层，并且在加热衬底之后在衬底上沉积第一层 。

公开(公告)号：US07767024B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US12134715

申请日：2008-06-06

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment, a method for removing native oxides from a substrate surface is provided which includes supporting a substrate containing silicon oxide within a processing chamber, generating a plasma of reactive species from a gas mixture within the processing chamber, cooling the substrate to a first temperature of less than about 65° C. within the processing chamber, and directing the reactive species to the cooled substrate to react with the silicon oxide thereon while forming a film on the substrate. The film usually contains ammonium hexafluorosilicate. The method further provides positioning the substrate in close proximity to a gas distribution plate, and heating the substrate to a second temperature of about 100° C. or greater within the processing chamber to sublimate or remove the film. The gas mixture may contain ammonia, nitrogen trifluoride, and a carrier gas.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法，其包括在处理室内支撑含有氧化硅的衬底，从处理室内的气体混合物产生反应物质的等离子体，将衬底冷却至第一 在处理室内温度小于约65℃，并且将反应性物质引导到冷却的基底以与其上的氧化硅反应，同时在基底上形成膜。 该膜通常含有六氟硅酸铵。 该方法进一步提供将衬底定位在紧邻气体分配板的位置，并将衬底加热至处理室内约100℃或更高的第二温度以升华或去除膜。 气体混合物可以含有氨，三氟化氮和载气。

公开(公告)号：US20090111280A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12328466

申请日：2008-12-04

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one embodiment, the method comprises positioning a substrate having an oxide layer into a processing chamber, generating a plasma of a reactive species from a gas mixture within the processing chamber, exposing the substrate to the reactive species while forming a volatile film on the substrate and maintaining the substrate at a temperature below 65° C., heating the substrate to a temperature of at least about 75° C. to vaporize the volatile film and remove the oxide layer, and depositing a first layer on the substrate after heating the substrate.

摘要翻译： 提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法。 在一个实施例中，该方法包括将具有氧化物层的衬底定位到处理室中，从处理室内的气体混合物产生反应物质的等离子体，将衬底暴露于反应性物质，同时在衬底上形成挥发性膜 并将衬底保持在低于65℃的温度下，将衬底加热到​​至少约75℃的温度以蒸发挥发性膜并去除氧化物层，并且在加热衬底之后在衬底上沉积第一层 。

公开(公告)号：US20080268645A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US12134715

申请日：2008-06-06

申请人： CHIEN-TEH KAO ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： CHIEN-TEH KAO ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment, a method for removing native oxides from a substrate surface is provided which includes supporting a substrate containing silicon oxide within a processing chamber, generating a plasma of reactive species from a gas mixture within the processing chamber, cooling the substrate to a first temperature of less than about 65° C. within the processing chamber, and directing the reactive species to the cooled substrate to react with the silicon oxide thereon while forming a film on the substrate. The film usually contains ammonium hexafluorosilicate. The method further provides positioning the substrate in close proximity to a gas distribution plate, and heating the substrate to a second temperature of about 100° C. or greater within the processing chamber to sublimate or remove the film. The gas mixture may contain ammonia, nitrogen trifluoride, and a carrier gas.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法，其包括在处理室内支撑含有氧化硅的衬底，从处理室内的气体混合物产生反应物质的等离子体，将衬底冷却至第一 在处理室内温度小于约65℃，并且将反应性物质引导到冷却的基底以与其上的氧化硅反应，同时在基底上形成膜。 该膜通常含有六氟硅酸铵。 该方法进一步提供将衬底定位在紧邻气体分配板的位置，并将衬底加热至处理室内约100℃或更高的第二温度以升华或去除膜。 气体混合物可以含有氨，三氟化氮和载气。

公开(公告)号：US07658802B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US11284775

申请日：2005-11-22

申请人： Xinyu Fu ,  John Forster ,  Wei W. Wang

发明人： Xinyu Fu ,  John Forster ,  Wei W. Wang

IPC分类号： B08B6/00

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3266

摘要： An apparatus and a method of cleaning a dielectric film are provided in the present invention. In one embodiment, an apparatus of cleaning a dielectric film the apparatus includes a chamber body adapted to support a substrate therein, a remote plasma source adapted to provide a plurality of reactive radicals to the chamber body, a passage coupling the remote plasma source to the chamber body, and at least one magnet disposed adjacent the passage. In another embodiment, a method of cleaning a dielectric film that includes providing a substrate having an at least partially exposed dielectric layer disposed in a process chamber, generating a plurality of reactive radicals in a remote plasma source, flowing the reactive radicals from the remote plasma source into the process chamber through a passage having at least one magnet disposed adjacent the passage, and magnetically filtering the reactive radicals passing through the passage.

摘要翻译： 在本发明中提供了一种清洁电介质膜的装置和方法。 在一个实施例中，一种清洁电介质膜的装置包括适于在其中支撑衬底的室主体，适于向室主体提供多个反应性基团的远程等离子体源，将远程等离子体源耦合到 室主体，以及邻近通道设置的至少一个磁体。 在另一个实施例中，一种清洁电介质膜的方法，该方法包括提供具有设置在处理室中的至少部分暴露的电介质层的衬底，在远程等离子体源中产生多个反应性基团，使来自远端等离子体的反应性基团 通过具有邻近通道设置的至少一个磁体的通道进入处理室，并对穿过通道的反应性基团进行磁过滤。