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    Implantation of gate regions in semiconductor device fabrication
    95.
    发明授权
    Implantation of gate regions in semiconductor device fabrication 失效
    在半导体器件制造中植入栅极区域

    公开(公告)号：US07118997B2

    公开(公告)日：2006-10-10

    申请号：US10905977

    申请日：2005-01-28

    申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III.

    发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III.

    IPC分类号： H01L21/425

    CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659

    摘要： A method for implanting gate regions essentially without implanting regions of the semiconductor layer where source/drain regions will be later formed. The method includes the steps of (a) providing (i) a semiconductor layer, (ii) a gate dielectric layer on the semiconductor layer, (iii) a gate region on the gate dielectric layer, wherein the gate region is electrically insulated from the semiconductor layer by the gate dielectric layer; (b) forming a resist layer on the gate dielectric layer and the gate region; (c) removing a cap portion of the resist layer essentially directly above the gate region essentially without removing the remainder of the resist layer; and (d) implanting the gate region essentially without implanting the semiconductor layer.

    摘要翻译： 一种注入栅极区域的方法，其基本上不注入将在其后形成源极/漏极区域的半导体层的区域。 该方法包括以下步骤：（i）在半导体层上提供（i）半导体层，（ii）栅极电介质层，（iii）栅极介电层上的栅极区域，其中栅极区域与 半导体层由栅介质层; （b）在栅介质层和栅极区上形成抗蚀剂层; （c）基本上直接在栅极区域上方去除抗蚀剂层的盖部分，而不去除抗蚀剂层的其余部分; 和（d）基本上不注入半导体层来注入栅极区域。

    Alternating phase mask built by additive film deposition
    97.
    发明授权
    Alternating phase mask built by additive film deposition 失效
    通过添加膜沉积建立的交替相位掩模

    公开(公告)号：US06998204B2

    公开(公告)日：2006-02-14

    申请号：US10707009

    申请日：2003-11-13

    申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III ,  Peter H. Mitchell ,  Larry A. Nesbit

    发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III ,  Peter H. Mitchell ,  Larry A. Nesbit

    IPC分类号： G01F9/00

    CPC分类号： G03F1/30 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68

    摘要： The invention provides a method of forming a phase shift mask and the resulting phase shift mask. The method forms a non-transparent film on a transparent substrate and patterns an etch stop layer on the non-transparent film. The invention patterns the non-transparent film using the etch stop layer to expose areas of the transparent substrate. Next, the invention forms a mask on the non-transparent film to protect selected areas of the transparent substrate and forms a phase shift oxide on exposed areas of the transparent substrate. Subsequently, the mask is removed and the phase shift oxide is polished down to the etch stop layer, after which the etch stop layer is removed.

    摘要翻译： 本发明提供一种形成相移掩模的方法和所得到的相移掩模。 该方法在透明基板上形成不透明的薄膜，并在非透明薄膜上形成蚀刻停止层。 本发明使用蚀刻停止层来图案化非透明膜以暴露透明基底的区域。 接下来，本发明在非透明膜上形成掩模，以保护透明基板的选定区域，并在透明基板的曝光区域上形成相移氧化物。 随后，去除掩模并将相移氧化物抛光到蚀刻停止层，之后去除蚀刻停止层。

    Method for etching a semiconductor substrate using germanium hard mask
    98.
    发明授权
    Method for etching a semiconductor substrate using germanium hard mask 失效
    使用锗硬掩模蚀刻半导体衬底的方法

    公开(公告)号：US06867143B1

    公开(公告)日：2005-03-15

    申请号：US09599783

    申请日：2000-06-22

    申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  William H-L. Ma

    发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  William H-L. Ma

    IPC分类号： C23F4/00 ,  C23G1/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213

    CPC分类号： H01L21/3081 ,  C23F4/00 ,  C23G1/00 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32134

    摘要： An etching process using germanium hard mask (25) includes forming a dielectric layer (15) over a major surface (11) of a semiconductor substrate (10) and depositing a metallic germanium layer (22) over the dielectric layer (15). The metallic germanium layer (22) is patterned through a photo resist (24) to form the germanium hard mask (25). The dielectric layer (15) is selectively etched through the germanium hard mask (25) to form a dielectric hard mask (35), through which the semiconductor substrate (10) is subsequently etched. After forming the dielectric hard mask (35), the germanium hard mask (25) is stripped away by oxidizing the metallic germanium hard mask (25) to transform it into a layer (27) of germanium oxide and rinsing the semiconductor substrate (10) in water to remove the germanium oxide layer (27). Preferably, the germanium hard mask (25) is removed before etching the semiconductor substrate (10).

    摘要翻译： 使用锗硬掩模（25）的蚀刻工艺包括在半导体衬底（10）的主表面（11）上形成电介质层（15），并在电介质层（15）上沉积金属锗层（22）。 通过光致抗蚀剂（24）将金属锗层（22）图案化以形成锗硬掩模（25）。 通过锗硬掩模（25）选择性地蚀刻电介质层（15）以形成电介质硬掩模（35），随后蚀刻半导体衬底（10）。 在形成电介质硬掩模（35）之后，通过氧化金属锗硬掩模（25）将锗硬掩模（25）剥离，将其转化成氧化锗层（27）并冲洗半导体衬底（10）， 在水中以除去氧化锗层（27）。 优选地，在蚀刻半导体衬底（10）之前去除锗硬掩模（25）。

    CARBON NANOTUBE CONDUCTOR FOR TRENCH CAPACITORS
    100.
    发明申请
    CARBON NANOTUBE CONDUCTOR FOR TRENCH CAPACITORS 有权
    用于TRENCH电容器的碳纳米管导体

    公开(公告)号：US20090014767A1

    公开(公告)日：2009-01-15

    申请号：US10596022

    申请日：2003-12-18

    申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III ,  Larry A. Nesbit

    发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III ,  Larry A. Nesbit

    IPC分类号： H01L27/108

    CPC分类号： H01L27/10864 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/10861 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/943 ,  Y10S977/948

    摘要： A trench-type storage device includes a trench in a substrate (100), with bundles of carbon nanotubes (202) lining the trench and a trench conductor (300) filling the trench. A trench dielectric (200) may be formed between the carbon nanotubes and the sidewall of the trench. The bundles of carbon nanotubes form an open cylinder structure lining the trench. The device is formed by providing a carbon nanotube catalyst structure on the substrate and patterning the trench in the substrate; the carbon nanotubes are then grown down into the trench to line the trench with the carbon nanotube bundles, after which the trench is filled with the trench conductor.

    摘要翻译： 沟槽式存储装置包括在衬底（100）中的沟槽，具有衬在沟槽上的碳纳米管（202）的束和填充沟槽的沟槽导体（300）。 可以在碳纳米管和沟槽的侧壁之间形成沟槽电介质（200）。 碳纳米管束形成在沟槽内衬的开放圆筒结构。 该器件通过在衬底上提供碳纳米管催化剂结构并对衬底中的沟槽进行图案化而形成; 然后将碳纳米管向下生长到沟槽中以与碳纳米管束对准沟槽，然后用沟槽导体填充沟槽。