公开(公告)号：US20100130010A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12538080

申请日：2009-08-07

申请人： Sahnggi PARK ,  Kap-Joong Kim ,  In-Gyoo Kim ,  Gyungock Kim

发明人： Sahnggi PARK ,  Kap-Joong Kim ,  In-Gyoo Kim ,  Gyungock Kim

IPC分类号： H01L21/308 ,  G01B11/27

CPC分类号： H01L21/0338 ,  G01B11/27 ,  G03F9/7069 ,  G03F9/7088 ,  H01L21/0337

摘要： Provided are a method of fabricating a semiconductor device unconstrained by optical limit and an apparatus of fabricating the semiconductor device. The method includes: forming an etch target layer on a substrate; forming a hard mask layer on the etch target layer; forming first mask patterns on the hard mask layer; forming first spacers on sidewalls of the first mask patterns; forming hard mask patterns having an opening by using the first mask patterns and the first spacers as a mask to etch the hard mask layer; aligning second mask patterns on the hard mask patterns to fill the opening; forming second spacers on sidewalls of the second mask patterns; forming fine mask patterns by using the second mask patterns and the second spacers as a mask to etch the hard mask patterns; and forming fine patterns by using the fine mask patterns as a mask to etch the etch target layer.

摘要翻译： 提供一种制造不受光学极限约束的半导体器件的方法和制造半导体器件的装置。 该方法包括：在衬底上形成蚀刻目标层; 在蚀刻靶层上形成硬掩模层; 在硬掩模层上形成第一掩模图案; 在所述第一掩模图案的侧壁上形成第一间隔物; 通过使用第一掩模图案和第一间隔物作为掩模形成具有开口的硬掩模图案以蚀刻硬掩模层; 对准硬掩模图案上的第二掩模图案以填充开口; 在所述第二掩模图案的侧壁上形成第二间隔物; 通过使用第二掩模图案和第二间隔物作为掩模来形成精细的掩模图案以蚀刻硬掩模图案; 并通过使用精细掩模图案作为掩模来形成精细图案以蚀刻蚀刻目标层。

公开(公告)号：US20080131032A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11930507

申请日：2007-10-31

申请人： Sahnggi PARK ,  Won Pil Yu ,  Kwang Ryong Oh

发明人： Sahnggi PARK ,  Won Pil Yu ,  Kwang Ryong Oh

IPC分类号： G06K7/10

CPC分类号： G06K9/74

摘要： Provided are an optical vision chip (OVC) and an image recognition method using the OVC. The OVC includes: a first display displaying an object image; a second display displaying a standard model image; and an optical sensor optically or electrically coupling the object image and the standard model image respectively displayed on the first and second displays and outputting a difference between the object image and the standard model image as an electrical signal.

摘要翻译： 提供了一种光学视觉芯片（OVC）和使用OVC的图像识别方法。 OVC包括：显示对象图像的第一显示; 显示标准模型图像的第二显示器; 以及光学或电学耦合分别显示在第一和第二显示器上的对象图像和标准模型图像的光学传感器，并且将对象图像和标准模型图像之间的差作为电信号输出。

公开(公告)号：US08761553B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13302371

申请日：2011-11-22

申请人： Sahnggi Park ,  Gyungock Kim ,  In Gyoo Kim ,  Jeong Woo Park ,  Sang Hoon Kim ,  Do Won Kim

发明人： Sahnggi Park ,  Gyungock Kim ,  In Gyoo Kim ,  Jeong Woo Park ,  Sang Hoon Kim ,  Do Won Kim

IPC分类号： G02B6/26 ,  G02B6/12

CPC分类号： H04J14/028 ,  G02B6/12007 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/4087 ,  H04J14/02 ,  H04J14/0201

摘要： Provided is an optical network structure. To configure an optical network structure between hundreds or more of cores in a CPU, intersection between waveguides does not occur, and thus, the optical network structure enables two-way communication between all the cores without an optical switch disposed in an intersection point. The present invention enables a single chip optical network using a silicon photonics optical element, and a CPU chip configured with hundreds or thousands of cores can be developed.

摘要翻译： 提供了一种光网络结构。 为了在CPU中配置数百个或更多个核心之间的光网络结构，不会发生波导之间的交叉，因此，光网络结构在所有核心之间实现双向通信，而光交换机不设置在交叉点。 本发明使得能够使用硅光子学光学元件的单芯片光网络，并且可以开发配置有数百或数千个核的CPU芯片。

公开(公告)号：US08548281B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US12872881

申请日：2010-08-31

申请人： Gyungock Kim ,  Jeong Woo Park ,  Jongbum You ,  Sang Gi Kim ,  Sanghoon Kim ,  In Gyoo Kim ,  Jiho Joo ,  Duk Jun Kim ,  Dongwoo Suh ,  Sahnggi Park ,  Ki Seok Jang ,  Junghyung Pyo ,  Kap-Joong Kim ,  Do Won Kim ,  Dae Seo Park

发明人： Gyungock Kim ,  Jeong Woo Park ,  Jongbum You ,  Sang Gi Kim ,  Sanghoon Kim ,  In Gyoo Kim ,  Jiho Joo ,  Duk Jun Kim ,  Dongwoo Suh ,  Sahnggi Park ,  Ki Seok Jang ,  Junghyung Pyo ,  Kap-Joong Kim ,  Do Won Kim ,  Dae Seo Park

IPC分类号： G02F1/025

CPC分类号： G02F1/025 ,  G02F2201/063

摘要： Provided is an electro-optic modulating device. The electro-optic modulating device includes an optical waveguide with a vertical structure and sidewalls of the vertical structure are used to configure a junction.

摘要翻译： 提供了一种电光调制装置。 电光调制装置包括具有垂直结构的光波导，垂直结构的侧壁用于构造接合部。

公开(公告)号：US20130156369A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13535746

申请日：2012-06-28

申请人： Sahnggi Park ,  Kap-Joong Kim ,  In Gyoo Kim ,  Gyungock Kim

发明人： Sahnggi Park ,  Kap-Joong Kim ,  In Gyoo Kim ,  Gyungock Kim

IPC分类号： G02B6/12

CPC分类号： G02B6/12007 ,  G02B2006/12061

摘要： Provided is a ring resonator including first and second waveguides disposed spaced apart from each other, on a substrate, and at least one channel including at least one ring waveguide arranged in a row between the first and second waveguides. The first and second waveguides and the ring waveguide may be formed of silicon, a width of the ring waveguide may range from 0.7 μm to 1.5 μm, a height of the ring waveguide may range from 150 nm to 300 nm, and a space between the first and second waveguides and the ring waveguide most adjacent thereto may range from 250 nm to 1 mm.

摘要翻译： 提供了一种环形谐振器，包括彼此间隔开地布置在衬底上的第一和第二波导，以及包括在第一和第二波导之间布置成一行的至少一个环形波导的至少一个通道。 第一和第二波导和环形波导可以由硅形成，环形波导的宽度可以在0.7μm到1.5μm的范围内，环形波导的高度可以在150nm到300nm的范围内， 第一和第二波导以及与其最相邻的环形波导可以在250nm至1mm的范围内。

公开(公告)号：US20130153533A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13612467

申请日：2012-09-12

申请人： Sahnggi PARK ,  Gyungock KIM

发明人： Sahnggi PARK ,  Gyungock KIM

IPC分类号： B05D5/06 ,  B05D3/10

CPC分类号： G02B6/122

摘要： Methods for tuning a wavelength of an optical device are provided. According to the method, a core pattern may be formed on a substrate, a dielectric layer may be formed to cover the core pattern, and the dielectric layer may be thermally treated to increase a refractive index of the dielectric layer. The dielectric layer may include a silicon oxynitride layer.

摘要翻译： 提供了调整光学器件的波长的方法。 根据该方法，可以在基板上形成芯图案，可以形成介电层以覆盖芯图案，并且可以对电介质层进行热处理以增加电介质层的折射率。 电介质层可以包括氧氮化硅层。

公开(公告)号：US20120148244A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13302371

申请日：2011-11-22

申请人： Sahnggi PARK ,  Gyungock KIM ,  In Gyoo KIM ,  Jeong Woo PARK ,  Sang Hoon KIM ,  Do Won KIM

发明人： Sahnggi PARK ,  Gyungock KIM ,  In Gyoo KIM ,  Jeong Woo PARK ,  Sang Hoon KIM ,  Do Won KIM

IPC分类号： H04J14/02

CPC分类号： H04J14/028 ,  G02B6/12007 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/4087 ,  H04J14/02 ,  H04J14/0201

摘要： Provided is an optical network structure. To configure an optical network structure between hundreds or more of cores in a CPU, intersection between waveguides does not occur, and thus, the optical network structure enables two-way communication between all the cores without an optical switch disposed in an intersection point. The present invention enables a single chip optical network using a silicon photonics optical element, and a CPU chip configured with hundreds or thousands of cores can be developed.

摘要翻译： 提供了一种光网络结构。 为了在CPU中配置数百个或更多个核心之间的光网络结构，不会发生波导之间的交叉，因此，光网络结构在所有核心之间实现双向通信，而光交换机不设置在交叉点。 本发明使得能够使用硅光子学光学元件的单芯片光网络，并且可以开发配置有数百或数千个核的CPU芯片。

公开(公告)号：US20110150406A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12929970

申请日：2011-02-28

申请人： Su Hwan Oh ,  Sahnggi Park ,  Yongsoon Baek ,  Kwang-Ryong Oh

发明人： Su Hwan Oh ,  Sahnggi Park ,  Yongsoon Baek ,  Kwang-Ryong Oh

IPC分类号： G02B6/10

CPC分类号： G02B6/1228 ,  G02B2006/121 ,  H01L33/0045 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/227 ,  H01S5/50

摘要： Provided are a reflective semiconductor optical amplifier (R-SOA) and a superluminescent diode (SLD). The R-SOA includes: a substrate; an optical waveguide including a lower clad layer, an active layer independent of the polarization of light, and an upper clad layer sequentially stacked on the substrate, the optical waveguide comprising linear, curved, and tapered waveguide areas; and a current blocking layer formed around the optical waveguide to block a flow of current out of the active layer, wherein the linear and curved waveguide areas have a single buried hetero (BH) structure, and the tapered waveguide area has a dual BH structure.

摘要翻译： 提供了反射半导体光放大器（R-SOA）和超发光二极管（SLD）。 R-SOA包括：基板; 包括下包层，独立于光的偏振的有源层和顺序地堆叠在基板上的上包层的光波导，所述光波导包括线性，弯曲和锥形的波导区域; 以及形成在所述光波导周围的电流阻挡层，以阻挡所述有源层中的电流流动，其中所述线性和弯曲波导区域具有单个埋入异质（BH）结构，并且所述锥形波导区域具有双BH结构。

公开(公告)号：US20080137180A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11924772

申请日：2007-10-26

申请人： Su Hwan OH ,  Sahnggi Park ,  Yongsoon Baek ,  Kwang-Ryong Oh

发明人： Su Hwan OH ,  Sahnggi Park ,  Yongsoon Baek ,  Kwang-Ryong Oh

IPC分类号： H01S3/00 ,  G02B6/10 ,  H01L33/00

CPC分类号： G02B6/1228 ,  G02B2006/121 ,  H01L33/0045 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/227 ,  H01S5/50

摘要： Provided are a reflective semiconductor optical amplifier (R-SOA) and a superluminescent diode (SLD). The R-SOA includes: a substrate; an optical waveguide including a lower clad layer, an active layer independent of the polarization of light, and an upper clad layer sequentially stacked on the substrate, the optical waveguide comprising linear, curved, and tapered waveguide areas; and a current blocking layer formed around the optical waveguide to block a flow of current out of the active layer, wherein the linear and curved waveguide areas have a single buried hetero (BH) structure, and the tapered waveguide area has a dual BH structure.

摘要翻译： 提供了反射半导体光放大器（R-SOA）和超发光二极管（SLD）。 R-SOA包括：基板; 包括下包层，独立于光的偏振的有源层和顺序地堆叠在基板上的上包层的光波导，所述光波导包括线性，弯曲和锥形的波导区域; 以及形成在所述光波导周围的电流阻挡层，以阻挡所述有源层中的电流流动，其中所述线性和弯曲波导区域具有单个埋入异质（BH）结构，并且所述锥形波导区域具有双BH结构。

公开(公告)号：US20050141571A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US10923834

申请日：2004-08-24

申请人： Sahnggi Park ,  Moon Park ,  Ki Kim ,  Su Oh ,  Ji Lee ,  Chul Lee

发明人： Sahnggi Park ,  Moon Park ,  Ki Kim ,  Su Oh ,  Ji Lee ,  Chul Lee

IPC分类号： H01S5/125 ,  H01S3/10 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0625

CPC分类号： H01S5/06256 ,  H01S5/0425

摘要： Provided is a coherent tuning apparatus capable of continuously tuning wavelength of light over a wide band of wavelength at high speed and outputting high power, the apparatus including an optical waveguide through which spatially coherent light passes, an electrode array for changing a direction of the light passing through the optical waveguide by applying electric field or current to a portion of the optical waveguide, and a wavelength selection optical element unit for selecting a specific wavelength of the light.

摘要翻译： 提供一种相干调谐装置，其能够以高速连续地调整宽波长波长的光的波长并输出高功率，该装置包括空间相干光通过的光波导，用于改变光的方向的电极阵列 通过对光波导施加电场或电流通过光波导，以及用于选择光的特定波长的波长选择光学元件单元。