公开(公告)号：US20110037098A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12805674

申请日：2010-08-12

申请人： Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

发明人： Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

摘要： Substrate structures and methods of manufacturing the substrate structures. A substrate structure is manufactured by forming a protrusion area of a substrate under a buffer layer, and forming a semiconductor layer on the buffer layer, thereby separating the substrate from the buffer layer except in an area where the protrusion is formed. The semiconductor layer on the buffer layer not contacting the substrate has freestanding characteristics, and dislocation or cracks may be reduced and/or prevented.

摘要翻译： 衬底结构和制造衬底结构的方法。 通过在缓冲层的下方形成基板的突出区域，在缓冲层上形成半导体层，由此将基板与形成突起的区域以外的缓冲层分离，从而制造基板结构体。 不与衬底接触的缓冲层上的半导体层具有独立的特性，并且可以减少和/或阻止位错或裂纹。

公开(公告)号：US08138510B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US12662925

申请日：2010-05-12

申请人： Young-jo Tak ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

发明人： Young-jo Tak ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24

CPC分类号： H01L33/10 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A gallium nitride (GaN) light emitting device and a method of manufacturing the same are provided, the method including sequentially forming a buffer layer and a first nitride layer on a silicon substrate, and forming a plurality of patterns by dry etching the first nitride layer. Each pattern includes a pair of sidewalls facing each other. A reflective layer is deposited on the first nitride layer so that one sidewall of the pair is exposed by the reflective layer. An n-type nitride layer that covers the first nitride layer is formed by horizontally growing an n-type nitride from the exposed sidewall, and a GaN-based light emitting structure layer is formed on the n-type nitride layer.

摘要翻译： 提供了一种氮化镓（GaN）发光器件及其制造方法，该方法包括在硅衬底上依次形成缓冲层和第一氮化物层，并通过干蚀刻第一氮化物层形成多个图案 。 每个图案包括彼此面对的一对侧壁。 反射层沉积在第一氮化物层上，使得该对的一个侧壁被反射层暴露。 通过从暴露的侧壁水平生长n型氮化物，形成覆盖第一氮化物层的n型氮化物层，并且在n型氮化物层上形成GaN基发光结构层。

公开(公告)号：US20110121330A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12662925

申请日：2010-05-12

申请人： Young-jo Tak ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

发明人： Young-jo Tak ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/10 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A gallium nitride (GaN) light emitting device and a method of manufacturing the same are provided, the method including sequentially forming a buffer layer and a first nitride layer on a silicon substrate, and forming a plurality of patterns by dry etching the first nitride layer. Each pattern includes a pair of sidewalls facing each other. A reflective layer is deposited on the first nitride layer so that one sidewall of the pair is exposed by the reflective layer. An n-type nitride layer that covers the first nitride layer is formed by horizontally growing an n-type nitride from the exposed sidewall, and a GaN-based light emitting structure layer is formed on the n-type nitride layer.

摘要翻译： 提供了一种氮化镓（GaN）发光器件及其制造方法，该方法包括在硅衬底上依次形成缓冲层和第一氮化物层，并通过干蚀刻第一氮化物层形成多个图案 。 每个图案包括彼此面对的一对侧壁。 反射层沉积在第一氮化物层上，使得该对的一个侧壁被反射层暴露。 通过从暴露的侧壁水平生长n型氮化物，形成覆盖第一氮化物层的n型氮化物层，并且在n型氮化物层上形成GaN基发光结构层。

公开(公告)号：US08716749B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US12805674

申请日：2010-08-12

申请人： Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

发明人： Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

摘要： Substrate structures and methods of manufacturing the substrate structures. A substrate structure is manufactured by forming a protrusion area of a substrate under a buffer layer, and forming a semiconductor layer on the buffer layer, thereby separating the substrate from the buffer layer except in an area where the protrusion is formed. The semiconductor layer on the buffer layer not contacting the substrate has freestanding characteristics, and dislocation or cracks may be reduced and/or prevented.

摘要翻译： 衬底结构和制造衬底结构的方法。 通过在缓冲层的下方形成基板的突出区域，在缓冲层上形成半导体层，由此将基板与形成突起的区域以外的缓冲层分离，从而制造基板结构体。 不与衬底接触的缓冲层上的半导体层具有独立的特性，并且可以减少和/或阻止位错或裂纹。

公开(公告)号：US20120007143A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US12983414

申请日：2011-01-03

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/32341

摘要： A substrate structure and method of manufacturing the same are disclosed. The substrate structure may includes a substrate on which a plurality of protrusions are formed on one surface thereof and a plurality of buffer layers formed according to a predetermined pattern and formed spaced apart from each other on the plurality of protrusions.

摘要翻译： 公开了一种基板结构及其制造方法。 基板结构可以包括在其一个表面上形成有多个突起的基板和根据预定图案形成并且在多个突起上彼此间隔开地形成的多个缓冲层。

公开(公告)号：US08541771B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US13157681

申请日：2011-06-10

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Example embodiments relate to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device may include a pre-seeding layer and a nucleation layer. The pre-seeding layer may include a first material for pre-seeding and a second material for masking so as to reduce tensile stress.

摘要翻译： 示例实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括预接种层和成核层。 预播种层可以包括用于预播种的第一材料和用于掩蔽的第二材料，以便降低拉伸应力。

公开(公告)号：US09422638B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US13614315

申请日：2012-09-13

申请人： Jun-youn Kim ,  Jae-Kyun Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong

发明人： Jun-youn Kim ,  Jae-Kyun Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong

IPC分类号： C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/40

CPC分类号： C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658

摘要： Crack formation and propagation in a silicon substrate may be reduced by forming a crack reducing portion. The silicon substrate includes a silicon main portion and a silicon edge portion formed around the silicon main portion. The crack reducing portion is formed on the silicon edge portion of the silicon substrate such that the directions of crystal faces in the crack reducing portion are randomly oriented.

摘要翻译： 可以通过形成裂纹减少部分来减少硅衬底中的裂纹形成和传播。 硅基板包括硅主体部分和形成在硅主体部分周围的硅边缘部分。 在硅基板的硅边缘部分上形成裂纹减少部分，使得裂纹缩小部分中的晶面的方向随机取向。

公开(公告)号：US20120153261A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13157681

申请日：2011-06-10

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Example embodiments relate to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device may include a pre-seeding layer and a nucleation layer. The pre-seeding layer may include a first material for pre-seeding and a second material for masking so as to reduce tensile stress.

摘要翻译： 示例实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括预接种层和成核层。 预播种层可以包括用于预播种的第一材料和用于掩蔽的第二材料，以便降低拉伸应力。

公开(公告)号：US08643059B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12983414

申请日：2011-01-03

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/32341

摘要： A substrate structure and method of manufacturing the same are disclosed. The substrate structure may includes a substrate on which a plurality of protrusions are formed on one surface thereof and a plurality of buffer layers formed according to a predetermined pattern and formed spaced apart from each other on the plurality of protrusions.

摘要翻译： 公开了一种基板结构及其制造方法。 基板结构可以包括在其一个表面上形成有多个突起的基板和根据预定图案形成并且在多个突起上彼此间隔开地形成的多个缓冲层。

公开(公告)号：US07943290B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US11683096

申请日：2007-03-07

申请人： Jae-hee Cho ,  Cheol-soo Sone ,  Dong-yu Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Seok-soon Kim

发明人： Jae-hee Cho ,  Cheol-soo Sone ,  Dong-yu Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Seok-soon Kim

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/36 ,  G03F7/004 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42

摘要： Provided is a method of forming a fine pattern having a pattern dimension of 1 μm or less, repeatedly with reproducibility. The method of forming the fine pattern includes: forming an azobenzene-functionalized polymer film on an etched layer; irradiating the azobenzene-functionalized polymer film using an interference laser beam to form a patterned azobenzene-functionalized polymer film having fine-patterned surface relief gratings by a photophysical mass transporting of the azobenzene-functionalized polymer; etching the etched layer using the azobenzene-functionalized polymer film having the surface relief grating patterns as an etching mask; and removing the patterned azobenzene-functionalized polymer film.

摘要翻译： 提供一种以重复性重复地形成图案尺寸为1μm以下的精细图案的方法。 形成微细图案的方法包括：在蚀刻层上形成偶氮苯官能化聚合物膜; 使用干涉激光束照射偶氮苯官能化的聚合物膜，通过偶氮苯官能化聚合物的光物理传输形成具有精细图案化表面起伏光栅的图案化偶氮苯官能化聚合物膜; 使用具有表面起弧光栅图案的偶氮苯官能化聚合物膜作为蚀刻掩模蚀刻蚀刻层; 并除去图案化的偶氮苯官能化聚合物膜。