公开(公告)号：US07943290B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US11683096

申请日：2007-03-07

申请人： Jae-hee Cho ,  Cheol-soo Sone ,  Dong-yu Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Seok-soon Kim

发明人： Jae-hee Cho ,  Cheol-soo Sone ,  Dong-yu Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Seok-soon Kim

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/36 ,  G03F7/004 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42

摘要： Provided is a method of forming a fine pattern having a pattern dimension of 1 μm or less, repeatedly with reproducibility. The method of forming the fine pattern includes: forming an azobenzene-functionalized polymer film on an etched layer; irradiating the azobenzene-functionalized polymer film using an interference laser beam to form a patterned azobenzene-functionalized polymer film having fine-patterned surface relief gratings by a photophysical mass transporting of the azobenzene-functionalized polymer; etching the etched layer using the azobenzene-functionalized polymer film having the surface relief grating patterns as an etching mask; and removing the patterned azobenzene-functionalized polymer film.

摘要翻译： 提供一种以重复性重复地形成图案尺寸为1μm以下的精细图案的方法。 形成微细图案的方法包括：在蚀刻层上形成偶氮苯官能化聚合物膜; 使用干涉激光束照射偶氮苯官能化的聚合物膜，通过偶氮苯官能化聚合物的光物理传输形成具有精细图案化表面起伏光栅的图案化偶氮苯官能化聚合物膜; 使用具有表面起弧光栅图案的偶氮苯官能化聚合物膜作为蚀刻掩模蚀刻蚀刻层; 并除去图案化的偶氮苯官能化聚合物膜。

公开(公告)号：US07531465B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11690504

申请日：2007-03-23

申请人： Jae-hee Cho ,  Cheol-soo Sone ,  Dong-yu Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Seok-soon Kim

发明人： Jae-hee Cho ,  Cheol-soo Sone ,  Dong-yu Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Seok-soon Kim

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/42

摘要： Provided is a method of manufacturing a nitride-based semiconductor light-emitting device having an improved structure in which optical extraction efficiency is improved. The method of manufacturing a nitride-based semiconductor light-emitting device including an n-doped semiconductor layer, an active layer, a p-doped semiconductor layer, an n-electrode and a p-electrode includes: forming an azobenzene-functionalized polymer film on a base layer by selecting one layer from the group consisting of the n-doped semiconductor layer, the p-doped semiconductor layer, the n-electrode and the p-electrode as the base layer; forming surface relief gratings of a micro-pattern caused by a photophysical mass transport property of azobenzene-functionalized polymer by irradiating interference laser beams onto the azobenzene-functionalized polymer film; forming a photonic crystal layer using a metal oxide on a recessed gap of the azobenzene-functionalized polymer film, and removing the azobenzene-functionalized polymer film.

摘要翻译： 提供一种制造具有提高光学提取效率的改进结构的氮化物类半导体发光器件的方法。 包括n掺杂半导体层，有源层，p掺杂半导体层，n电极和p电极的氮化物系半导体发光元件的制造方法包括：形成偶氮苯官能化的聚合物膜 通过从由n掺杂半导体层，p掺杂半导体层，n电极和p电极组成的组中选择一层作为基底层，在基底层上; 通过将干涉激光束照射到偶氮苯官能化聚合物膜上，形成由偶氮苯官能化聚合物的光物理质量传递性质引起的微图案的表面起伏光栅; 在偶氮苯官能化聚合物膜的凹陷间隙上使用金属氧化物形成光子晶体层，并除去偶氮苯官能化的聚合物膜。

公开(公告)号：US20120007143A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US12983414

申请日：2011-01-03

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/32341

摘要： A substrate structure and method of manufacturing the same are disclosed. The substrate structure may includes a substrate on which a plurality of protrusions are formed on one surface thereof and a plurality of buffer layers formed according to a predetermined pattern and formed spaced apart from each other on the plurality of protrusions.

摘要翻译： 公开了一种基板结构及其制造方法。 基板结构可以包括在其一个表面上形成有多个突起的基板和根据预定图案形成并且在多个突起上彼此间隔开地形成的多个缓冲层。

公开(公告)号：US20050121685A1

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：US10981502

申请日：2004-11-05

申请人： Tae-yeon Seong ,  June-o Song ,  Dong-seok Leem ,  Hyun-gi Hong

发明人： Tae-yeon Seong ,  June-o Song ,  Dong-seok Leem ,  Hyun-gi Hong

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L33/34 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/42

摘要： Provided are a flip-chip type light emitting device and a method of manufacturing the same. The provided flip-chip type light emitting device includes a substrate, an n-type cladding layer, an active layer, a p-type cladding layer, an ohmic contact layer formed of tin oxide to which at least one of antimony, fluorine, phosphorus, and arsenic is doped, and a reflection material formed of a reflective material. According to the provided flip-chip type light emitting device and the method of manufacturing the same, a current-voltage characteristic and durability are improved by applying a conductive oxide electrode structure having low surface resistivity and high carrier concentration.

摘要翻译： 提供一种倒装芯片型发光器件及其制造方法。 所提供的倒装芯片型发光器件包括衬底，n型包覆层，有源层，p型覆层，由氧化锡形成的欧姆接触层，至少一种锑，氟，磷 ，并且砷被掺杂，以及由反射材料形成的反射材料。 根据提供的倒装芯片型发光器件及其制造方法，通过施加具有低表面电阻率和高载流子浓度的导电氧化物电极结构，提高了电流 - 电压特性和耐久性。

公开(公告)号：US08541771B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US13157681

申请日：2011-06-10

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Example embodiments relate to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device may include a pre-seeding layer and a nucleation layer. The pre-seeding layer may include a first material for pre-seeding and a second material for masking so as to reduce tensile stress.

摘要翻译： 示例实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括预接种层和成核层。 预播种层可以包括用于预播种的第一材料和用于掩蔽的第二材料，以便降低拉伸应力。

公开(公告)号：US20110049549A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12659151

申请日：2010-02-26

申请人： Jun-youn Kim ,  Bok-ki Min ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee

发明人： Jun-youn Kim ,  Bok-ki Min ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025 ,  Y10S977/893 ,  Y10S977/95

摘要： Light emitting devices and methods of manufacturing the light emitting devices. The light emitting devices include a silicon substrate; a metal buffer layer on the silicon substrate, a patterned dispersion Bragg reflection (DBR) layer on the metal buffer layer; and a nitride-based thin film layer on the patterned DBR layer and regions between patterns of the DBR layer.

摘要翻译： 发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括硅衬底; 硅衬底上的金属缓冲层，金属缓冲层上的图案化分散布拉格反射（DBR）层; 以及图案化DBR层上的氮化物基薄膜层和DBR层的图案之间的区域。

公开(公告)号：US20110037098A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12805674

申请日：2010-08-12

申请人： Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

发明人： Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

摘要： Substrate structures and methods of manufacturing the substrate structures. A substrate structure is manufactured by forming a protrusion area of a substrate under a buffer layer, and forming a semiconductor layer on the buffer layer, thereby separating the substrate from the buffer layer except in an area where the protrusion is formed. The semiconductor layer on the buffer layer not contacting the substrate has freestanding characteristics, and dislocation or cracks may be reduced and/or prevented.

摘要翻译： 衬底结构和制造衬底结构的方法。 通过在缓冲层的下方形成基板的突出区域，在缓冲层上形成半导体层，由此将基板与形成突起的区域以外的缓冲层分离，从而制造基板结构体。 不与衬底接触的缓冲层上的半导体层具有独立的特性，并且可以减少和/或阻止位错或裂纹。

公开(公告)号：US07737456B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US11808172

申请日：2007-06-07

申请人： June-o Song ,  Tae-yeon Seong ,  Kyoung-kook Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Kwang-ki Choi ,  Hyun-soo Kim

发明人： June-o Song ,  Tae-yeon Seong ,  Kyoung-kook Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Kwang-ki Choi ,  Hyun-soo Kim

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/32

摘要： Provided are a multiple reflection layer electrode, a compound semiconductor light emitting device having the same and methods of fabricating the same. The multiple reflection layer electrode may include a reflection layer on a p-type semiconductor layer, an APL (agglomeration protecting layer) on the reflection layer so as to prevent or retard agglomeration of the reflection layer, and a diffusion barrier between the reflection layer and the APL so as to retard diffusion of the APL.

摘要翻译： 提供了多反射层电极，具有该反射层电极的化合物半导体发光器件及其制造方法。 多反射层电极可以包括在p型半导体层上的反射层，反射层上的APL（聚集保护层），以防止或阻止反射层的聚集，并且反射层与 APL，以阻止APL的扩散。

公开(公告)号：US09422638B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US13614315

申请日：2012-09-13

申请人： Jun-youn Kim ,  Jae-Kyun Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong

发明人： Jun-youn Kim ,  Jae-Kyun Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong

IPC分类号： C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/40

CPC分类号： C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658

摘要： Crack formation and propagation in a silicon substrate may be reduced by forming a crack reducing portion. The silicon substrate includes a silicon main portion and a silicon edge portion formed around the silicon main portion. The crack reducing portion is formed on the silicon edge portion of the silicon substrate such that the directions of crystal faces in the crack reducing portion are randomly oriented.

摘要翻译： 可以通过形成裂纹减少部分来减少硅衬底中的裂纹形成和传播。 硅基板包括硅主体部分和形成在硅主体部分周围的硅边缘部分。 在硅基板的硅边缘部分上形成裂纹减少部分，使得裂纹缩小部分中的晶面的方向随机取向。

公开(公告)号：US08928017B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US12929149

申请日：2011-01-04

申请人： Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong

发明人： Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

摘要： Example embodiments are directed to light-emitting devices (LEDs) and methods of manufacturing the same. The LED includes a first semiconductor layer; a second semiconductor layer; an active layer formed between the first and second semiconductor layers; and an emission pattern layer including a plurality of layers on the first semiconductor layer, the emission pattern including an emission pattern for externally emitting light generated from the active layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及发光器件（LED）及其制造方法。 LED包括第一半导体层; 第二半导体层; 形成在所述第一和第二半导体层之间的有源层; 以及在所述第一半导体层上包括多层的发光图案层，所述发光图案包括用于从所述有源层产生的外部发射光的发射图案。