公开(公告)号：US08187970B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US12969445

申请日：2010-12-15

申请人： Seshadri Ganguli ,  Sang-Ho Yu ,  See-Eng Phan ,  Mei Chang ,  Amit Khandelwal ,  Hyoung-Chan Ha

发明人： Seshadri Ganguli ,  Sang-Ho Yu ,  See-Eng Phan ,  Mei Chang ,  Amit Khandelwal ,  Hyoung-Chan Ha

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： Methods for forming cobalt silicide materials are disclosed herein. In one example, a method for forming a cobalt silicide material includes exposing a substrate having a silicon-containing material to either a wet etch solution or a pre-clean plasma during a first step and then to a hydrogen plasma during a second step of a pre-clean process. The exemplary method further includes depositing a cobalt metal layer on the silicon-containing material by a CVD process, heating the substrate to form a first cobalt silicide layer comprising CoSi at the interface of the cobalt metal layer and the silicon-containing material during a first annealing process, removing any unreacted cobalt metal from the first cobalt silicide layer during an etch process, and heating the substrate to form a second cobalt silicide layer comprising CoSi2 during a second annealing process.

摘要翻译： 本文公开了形成钴硅化物材料的方法。 在一个实例中，用于形成钴硅化物材料的方法包括在第一步骤期间将具有含硅材料的衬底暴露于湿蚀刻溶液或预清洁等离子体中，然后在第二步骤期间暴露于氢等离子体 预清洁过程。 所述示例性方法还包括通过CVD工艺在所述含硅材料上沉积钴金属层，加热所述衬底以在所述钴金属层与所述含硅材料的界面处的第一钴酸钴层中形成包含CoSi的第一钴硅化物层 退火工艺，在蚀刻过程期间从第一钴硅化物层去除任何未反应的钴金属，以及在第二退火工艺期间加热衬底以形成包含CoSi 2的第二钴硅化物层。

公开(公告)号：US20110124192A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US13014656

申请日：2011-01-26

申请人： Seshadri Ganguli ,  Schubert S. Chu ,  Mei Chang ,  Sang-Ho Yu ,  Kevin Moraes ,  See-Eng Phan

发明人： Seshadri Ganguli ,  Schubert S. Chu ,  Mei Chang ,  Sang-Ho Yu ,  Kevin Moraes ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864

摘要： Embodiments of the invention described herein generally provide methods and apparatuses for forming cobalt silicide layers, metallic cobalt layers, and other cobalt-containing materials. In one embodiment, a method for forming a cobalt silicide containing material on a substrate is provided which includes exposing a substrate to at least one preclean process to expose a silicon-containing surface, depositing a cobalt silicide material on the silicon-containing surface, depositing a metallic cobalt material on the cobalt silicide material, and depositing a metallic contact material on the substrate. In another embodiment, a method includes exposing a substrate to at least one preclean process to expose a silicon-containing surface, depositing a cobalt silicide material on the silicon-containing surface, expose the substrate to an annealing process, depositing a barrier material on the cobalt silicide material, and depositing a metallic contact material on the barrier material.

摘要翻译： 本文所述的本发明的实施例通常提供用于形成硅化钴层，金属钴层和其它含钴材料的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上形成含钴硅化物的材料的方法，其包括将衬底暴露于至少一个预清洗工艺以暴露含硅表面，在含硅表面上沉积钴硅化物材料，沉积 在钴硅化物材料上的金属钴材料，并在基底上沉积金属接触材料。 在另一个实施例中，一种方法包括将衬底暴露于至少一个预清洗工艺以暴露含硅表面，在含硅表面上沉积钴硅化物材料，将衬底暴露于退火工艺，将阻挡材料沉积在 钴硅化物材料，并将金属接触材料沉积在阻挡材料上。

公开(公告)号：US20110086509A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12969445

申请日：2010-12-15

申请人： SESHADRI GANGULI ,  Sang-Ho Yu ,  See-Eng Phan ,  Mei Chang ,  Amit Khandelwal ,  Hyoung-Chan Ha

发明人： SESHADRI GANGULI ,  Sang-Ho Yu ,  See-Eng Phan ,  Mei Chang ,  Amit Khandelwal ,  Hyoung-Chan Ha

IPC分类号： H01L21/285

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： Embodiments of the invention generally provide methods for forming cobalt silicide. In one embodiment, a method for forming a cobalt silicide material includes exposing a substrate having a silicon-containing material to either a wet etch solution or a pre-clean plasma during a first step and then to a hydrogen plasma during a second step of a pre-clean process. The method further includes depositing a cobalt metal layer on the silicon-containing material by a CVD process, heating the substrate to form a first cobalt silicide layer comprising CoSi at the interface of the cobalt metal layer and the silicon-containing material during a first annealing process, removing any unreacted cobalt metal from the substrate during an etch process, and heating the substrate to form a second cobalt silicide layer comprising CoSi2 during a second annealing process.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供形成硅化钴的方法。 在一个实施例中，用于形成钴硅化物材料的方法包括在第一步骤期间将具有含硅材料的衬底暴露于湿蚀刻溶液或预清洁等离子体中，然后在第二步骤期间暴露于氢等离子体 预清洁过程。 该方法还包括通过CVD工艺在含硅材料上沉积钴金属层，加热衬底以在第一退火期间在钴金属层和含硅材料的界面处形成包含CoSi的第一钴硅化物层 在蚀刻过程中从衬底去除任何未反应的钴金属，以及在第二退火过程中加热衬底以形成包含CoSi 2的第二钴硅化物层。

公开(公告)号：US07520957B2

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：US11137199

申请日：2005-05-24

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A lid assembly for semiconductor processing is provided. In at least one embodiment, the lid assembly includes a first electrode comprising an expanding section that has a gradually increasing inner diameter. The lid assembly also includes a second electrode disposed opposite the first electrode. A plasma cavity is defined between the inner diameter of the expanding section of the first electrode and a first surface of the second electrode.

摘要翻译： 提供了一种用于半导体处理的盖组件。 在至少一个实施例中，盖组件包括第一电极，其包括具有逐渐增加的内径的扩张部分。 盖组件还包括与第一电极相对设置的第二电极。 在第一电极的扩展部分的内径和第二电极的第一表面之间限定等离子体腔。

公开(公告)号：US07396480B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US11137609

申请日：2005-05-24

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for removing native oxides from a substrate surface is provided. In at least one embodiment, the method includes supporting the substrate surface in a vacuum chamber and generating reactive species from a gas mixture within the chamber. The substrate surface is then cooled within the chamber and the reactive species are directed to the cooled substrate surface to react with the native oxides thereon and form a film on the substrate surface. The substrate surface is then heated within the chamber to vaporize the film.

摘要翻译： 提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法。 在至少一个实施例中，该方法包括将基板表面支撑在真空室中，并从室内的气体混合物产生反应物质。 然后将衬底表面在腔室内冷却，并且反应物质被引导到冷却的衬底表面以与其上的天然氧化物反应并在衬底表面上形成膜。 然后将衬底表面在室内加热以使膜蒸发。

公开(公告)号：US20050218507A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US11137199

申请日：2005-05-24

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/28 ,  C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A lid assembly for semiconductor processing is provided. In at least one embodiment, the lid assembly includes a first electrode comprising an expanding section that has a gradually increasing inner diameter. The lid assembly also includes a second electrode disposed opposite the first electrode. A plasma cavity is defined between the inner diameter of the expanding section of the first electrode and a first surface of the second electrode.

摘要翻译： 提供了一种用于半导体处理的盖组件。 在至少一个实施例中，盖组件包括第一电极，其包括具有逐渐增加的内径的扩张部分。 盖组件还包括与第一电极相对设置的第二电极。 在第一电极的扩展部分的内径和第二电极的第一表面之间限定等离子体腔。

公开(公告)号：US08846163B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13489137

申请日：2012-06-05

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： B05D3/06 ,  H05B3/00 ,  C23C16/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one embodiment, the method comprises positioning a substrate having an oxide layer into a processing chamber, exposing the substrate to a gas mixture while forming a volatile film on the substrate and maintaining the substrate at a temperature below 65° C., heating the substrate to a temperature of at least about 75° C. to sublimate the volatile film and remove the oxide layer, and depositing a first layer on the substrate after heating the substrate.

摘要翻译： 提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法。 在一个实施例中，该方法包括将具有氧化物层的衬底定位到处理室中，将衬底暴露于气体混合物，同时在衬底上形成挥发性膜并将衬底保持在低于65℃的温度下，加热衬底 达到至少约75℃的温度以使挥发性膜升华并去除氧化物层，并且在加热基材之后在基板上沉积第一层。

公开(公告)号：US08563424B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13456904

申请日：2012-04-26

申请人： Seshadri Ganguli ,  Sang-Ho Yu ,  See-Eng Phan ,  Mei Chang ,  Amit Khandelwal ,  Hyoung-Chan Ha

发明人： Seshadri Ganguli ,  Sang-Ho Yu ,  See-Eng Phan ,  Mei Chang ,  Amit Khandelwal ,  Hyoung-Chan Ha

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： Methods for forming cobalt silicide are provided. One method for forming a cobalt silicide material includes exposing a substrate having a silicon-containing material to either a wet etch solution or a pre-clean plasma during a first step and then to a hydrogen plasma during a second step of a pre-clean process. The method further includes depositing a cobalt metal layer on the silicon-containing material by a CVD process, heating the substrate to form a first cobalt silicide layer comprising CoSi at the interface of the cobalt metal layer and the silicon-containing material during a first annealing process, removing any unreacted cobalt metal from the substrate during an etch process, and heating the substrate to form a second cobalt silicide layer comprising CoSi2 during a second annealing process.

摘要翻译： 提供了形成硅化钴的方法。 用于形成硅化钴材料的一种方法包括在第一步骤期间将具有含硅材料的衬底暴露于湿蚀刻溶液或预清洁等离子体，然后在预清洁过程的第二步骤期间暴露于氢等离子体 。 该方法还包括通过CVD工艺在含硅材料上沉积钴金属层，加热衬底以在第一退火期间在钴金属层和含硅材料的界面处形成包含CoSi的第一钴硅化物层 在蚀刻过程中从衬底去除任何未反应的钴金属，以及在第二退火过程中加热衬底以形成包含CoSi 2的第二钴硅化物层。

公开(公告)号：US20120122320A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US13296401

申请日：2011-11-15

申请人： Annamalai Lakshmanan ,  Zhenjiang Cui ,  Mehul Naik ,  See-Eng Phan ,  Jennifer Shan ,  Paul F. Ma

发明人： Annamalai Lakshmanan ,  Zhenjiang Cui ,  Mehul Naik ,  See-Eng Phan ,  Jennifer Shan ,  Paul F. Ma

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3105 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843

摘要： Provided are methods for re-incorporating carbon into low-k films after processes which result in depletion of carbon from the films. Additionally, methods for replenished depleted carbon and capping with tantalum nitride are also described.

摘要翻译： 提供的方法是在导致碳从膜中耗尽的过程之后将碳重新并入低k膜中的方法。 此外，还描述了补充耗尽碳和用氮化钽封盖的方法。

公开(公告)号：US20110223755A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13112875

申请日：2011-05-20

申请人： CHIEN-TEH KAO ,  Jing-Pei(Connie) Chou ,  Chiukin(Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： CHIEN-TEH KAO ,  Jing-Pei(Connie) Chou ,  Chiukin(Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one embodiment, the method comprises positioning a substrate having an oxide layer into a processing chamber, generating a plasma of a reactive species from a gas mixture within the processing chamber, exposing the substrate to the reactive species while forming a volatile film on the substrate and maintaining the substrate at a temperature below 65° C., heating the substrate to a temperature of at least about 75° C. to vaporize the volatile film and remove the oxide layer, and depositing a first layer on the substrate after heating the substrate.

摘要翻译： 提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法。 在一个实施例中，该方法包括将具有氧化物层的衬底定位到处理室中，从处理室内的气体混合物产生反应物质的等离子体，将衬底暴露于反应性物质，同时在衬底上形成挥发性膜 并将衬底保持在低于65℃的温度下，将衬底加热到​​至少约75℃的温度以蒸发挥发性膜并去除氧化物层，并且在加热衬底之后在衬底上沉积第一层 。