公开(公告)号：US20090200545A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12308064

申请日：2007-06-08

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/327

摘要： Provided is a ZnO-based semiconductor device capable of growing a flat ZnO-based semiconductor layer on an MgZnO substrate having a main surface on the lamination side oriented in a c-axis direction. ZnO-based semiconductor layers 2 to 6 are epitaxially grown on an MgxZn1-xO (0≦x≦1) substrate 1 having a +C surface (0001), as a main surface, inclined at least in an m-axis direction. A p-electrode 8 is formed on the ZnO-based semiconductor layer 5, and an n-electrode 9 is formed on the underside of the MgxZn1-xO substrate 1. Thereby, steps regularly arranged in the m-axis direction can be formed on the surface of the MgxZn1-xO substrate 1, and a phenomenon called step bunching is prevented. Consequently, the flatness of a film of the semiconductor layers laminated on the substrate 1 can be improved.

摘要翻译： 提供一种ZnO基半导体器件，其能够在层叠侧的主表面在c轴方向上取向的MgZnO基板上生长平坦的ZnO基半导体层。 在具有+ C表面（0001）的作为主表面的Mg x Zn 1-x O（0 <= x <= 1）衬底1上外延生长ZnO基半导体层2至6，至少在m轴方向 。 在ZnO系半导体层5上形成p电极8，在Mg x Zn 1-x O基板1的下侧形成n电极9.由此，能够在m轴方向上规则排列的工序形成在 MgxZn1-xO基板1的表面，以及称为步骤聚束的现象。 因此，可以提高层叠在基板1上的半导体层的膜的平坦度。

公开(公告)号：US08410478B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US12672444

申请日：2008-08-01

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L33/285 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/0083

摘要： A p-type MgxZn1-xO-based thin film (1) is formed on a substrate (2) made of a ZnO-based semiconductor. The p-type MgxZn1-xO-based thin film (1) is composed so that X as a ratio of Mg with respect to Zn therein can be 0≦X

摘要翻译： 在由ZnO类半导体制成的基板（2）上形成p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）。 p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）的构成为，使Mg相对于Zn的比例的X为0以上，X <1，优选为0＆lt; nlE; X＆lt; lE; 0.5。 在p型MgZnO薄膜（1）中，作为受体的p型杂质的氮含量约为5.0×1018 cm -3以上。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硅的IV族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×10 17 cm -3以下。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硼和铝的III族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×1016 cm -3以下。

公开(公告)号：US20100230671A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12680406

申请日：2008-09-26

申请人： Ken Nakahara ,  Shunsuke Akasaka ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Shunsuke Akasaka ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C30B29/16 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/18 ,  H01L33/28

摘要： Provided are a ZnO-based semiconductor capable of alleviating the self-compensation effect and of achieving easier conversion into p-type, and a ZnO-based semiconductor device. The ZnO-based semiconductor includes a nitrogen-doped MgXZn1-XO (0

摘要翻译： 提供能够减轻自补偿效果并且实现更容易转化为p型的ZnO基半导体以及ZnO类半导体器件。 ZnO基半导体包括氮掺杂的MgXZn1-XO（0

公开(公告)号：US07741637B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US12308064

申请日：2007-06-08

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/327

摘要： Provided is a ZnO-based semiconductor device capable of growing a flat ZnO-based semiconductor layer on an MgZnO substrate having a main surface on the lamination side oriented in a c-axis direction. ZnO-based semiconductor layers 2 to 6 are epitaxially grown on an MgxZn1-xO (0≦x

摘要翻译： 提供一种ZnO基半导体器件，其能够在层叠侧的主表面在c轴方向上取向的MgZnO基板上生长平坦的ZnO基半导体层。 在具有+ C面（0001）的作为主表面的至少在m轴方向上倾斜的MgxZn1-xO（0＆lt; nlE; x <1）衬底1上外延生长ZnO基半导体层2至6。 在ZnO系半导体层5上形成p电极8，在Mg x Zn 1-x O基板1的下侧形成n电极9.由此，能够在m轴方向上规则排列的工序形成在 MgxZn1-xO基板1的表面，以及称为步骤聚束的现象。 因此，可以提高层叠在基板1上的半导体层的膜的平坦度。

公开(公告)号：US20100102309A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12525537

申请日：2008-02-04

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki ,  Tomoteru Fukumura ,  Masaki Nakano

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki ,  Tomoteru Fukumura ,  Masaki Nakano

IPC分类号： H01L29/221

CPC分类号： H01L29/22 ,  H01L29/045 ,  H01L29/225 ,  H01L29/402 ,  H01L29/43 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L31/0296 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/4233 ,  Y02E10/549

摘要： To solve the foregoing problems, provided is a ZnO-based semiconductor element having an entirely novel function distinct from hitherto, using a ZnO-based semiconductor and organic matter for an active role. An organic electrode 2 is formed on a ZnO-based semiconductor 1, and an Au film 3 is formed on the organic electrode 2. An electrode formed of a multilayer metal film including a Ti film 4 and an Au film 5 is formed on the back surface of the ZnO-based semiconductor 1 so as to be opposed to the organic electrode 2. A bonding interface between the organic electrode 2 and the ZnO-based semiconductor 1 is in a pn junction-like state. Thus, rectification occurs therebetween.

摘要翻译： 为了解决上述问题，提供了使用ZnO类半导体和有机物作为主动作用的具有与迄今不同的全新功能的ZnO类半导体元件。 在ZnO类半导体1上形成有机电极2，在有机电极2上形成Au膜3.在背面形成由包含Ti膜4和Au膜5的多层金属膜形成的电极 ZnO基半导体1的表面与有机电极2相对。有机电极2和ZnO系半导体1之间的接合界面处于pn结状态。 因此，在它们之间发生整流。

公开(公告)号：US20080245297A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US12078322

申请日：2008-03-28

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： B05C5/00

CPC分类号： C30B23/066 ,  C30B35/00

摘要： A container of a material supply apparatus is configured of a crucible and an orifice. The crucible has a cylindrical shape, a rectangular-column shape or the like, and is hollow. Heat sources such as heaters are disposed around the crucible. The orifice including an opening is provided on a side of the crucible in a material element supplying direction. The orifice includes a pipe portion that extends in the material element supplying direction. The opening is formed on a tip of the pipe portion. An opening area of the pipe portion is formed to become gradually narrower towards the material element supplying side, namely in a direction of the opening.

摘要翻译： 材料供给装置的容器由坩埚和孔构成。 坩埚具有圆柱形状，矩形柱状等，并且是中空的。 诸如加热器的热源设置在坩埚周围。 包括开口的孔口沿着材料元件供给方向设置在坩埚的一侧。 孔口包括在材料元件供给方向上延伸的管部分。 开口形成在管部的前端。 管部的开口部形成为朝向材料供给侧逐渐变窄，即开口方向。

公开(公告)号：US08247793B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12664397

申请日：2008-06-13

申请人： Ken Nakahara ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/155 ,  H01L29/225 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28

摘要： Provided are a ZnO-based thin film and a ZnO-based semiconductor device which allow: reduction in a burden on a manufacturing apparatus; improvement of controllability and reproducibility of doping; and obtaining p-type conduction without changing a crystalline structure. In order to be formed into a p-type ZnO-based thin film, a ZnO-based thin film is formed by employing as a basic structure a superlattice structure of a MgZnO/ZnO super lattice layer 3. This superlattice component is formed with a laminated structure which includes acceptor-doped MgZnO layers 3b and acceptor-doped ZnO layers 3a. Hence, it is possible to improve controllability and reproducibility of the doping, and to prevent a change in a crystalline structure due to a doping material.

摘要翻译： 提供了一种ZnO基薄膜和一种ZnO基半导体器件，其允许：减少制造装置的负担; 改善掺杂的可控性和再现性; 并获得p型导电而不改变晶体结构。 为了形成p型ZnO系薄膜，通过以MgZnO / ZnO超晶格层3的超晶格结构为基本结构，形成ZnO系薄膜。该超晶格部件形成为 层状结构，其包括受主掺杂的MgZnO层3b和受主掺杂的ZnO层3a。 因此，可以提高掺杂的可控性和再现性，并且可以防止掺杂材料引起的晶体结构的变化。

公开(公告)号：US20110114937A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12672444

申请日：2008-08-01

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L33/285 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/0083

摘要： Provided are: a p-type MgZnO-based thin film that functions as a p-type; and a semiconductor light emitting device that includes the p-type MgZnO-based thin film.A p-type MgxZn1-xO-based thin film (1) is formed on a substrate (2) made of a ZnO-based semiconductor. The p-type MgxZn1-xO-based thin film (1) is composed so that X as a ratio of Mg with respect to Zn therein can be 0≦X

摘要翻译： 提供：用作p型的p型MgZnO基薄膜; 以及包括p型MgZnO基薄膜的半导体发光器件。 在由ZnO类半导体制成的基板（2）上形成p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）。 p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）的构成为，使Mg相对于Zn的比例的X为0以上，X <1，优选为0＆lt; NlE; X＆lt; lE; 0.5。 在p型MgZnO薄膜（1）中，作为受体的p型杂质的氮含量约为5.0×1018 cm -3以上。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硅的IV族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×10 17 cm -3以下。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硼和铝的III族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×1016 cm -3以下。

公开(公告)号：US20100133470A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12452328

申请日：2008-06-27

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： C09K11/54 ,  C23F1/00

CPC分类号： C30B33/10 ,  C30B29/16 ,  C30B35/007

摘要： Provided are a ZnO-based substrate having a surface suitable for crystal growth, and a method of manufacturing the ZnO-based substrate. The ZnO-based substrate is made in a way that almost no hydroxide groups exist on a crystal growth-side surface of a MgxZn1-xO substrate (0≦x

摘要翻译： 提供具有适合于晶体生长的表面的ZnO系基板以及ZnO系基板的制造方法。 ZnO基基板的制作方式是在Mg x Zn 1-x O基板的晶体生长侧表面上几乎不存在氢氧根基团（0＆lt; nlE; x <1）。 为此，作为处理基板的方法，在MgxZn1-xO基板的晶体生长侧表面（0＆amp; nlE; x <1）上的最终处理是在pH3以下的酸性湿法蚀刻。 由此，可以防止生成Zn的氢氧化物，降低在ZnO系基板上形成的薄膜中的晶体缺陷的密度。

公开(公告)号：US20100090214A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12450614

申请日：2008-04-02

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C23C14/08 ,  C23C28/04 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  C23C28/42 ,  C23C30/00 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/285

摘要： Provided are an oxide thin film doped with an n-type impurity, and an oxide thin film device. In an oxide thin film (2), as shown in FIG. 1(b), doped oxide layers (2a) doped with an n-type (electron-conductivity type) impurity and undoped oxide layers (2b) not doped with an n-type impurity are laminated in an alternating and repeated manner. When an oxide layer is doped with the n-type impurity at a high concentration, roughness of a surface of the oxide layer becomes large. For this reason, the doped oxide layers (2a) are covered with the undoped oxide layers (2b) capable of ensuring surface flatness, before surface roughness attributable to the doped oxide layers (2a) becomes very large. Thus, a flat oxide thin film can be formed.

摘要翻译： 提供掺杂有n型杂质的氧化物薄膜和氧化物薄膜器件。 在氧化物薄膜（2）中，如图1所示， 如图1（b）所示，掺杂有n型（电子传导型）杂质的掺杂氧化物层（2a）和未掺杂n型杂质的未掺杂氧化物层（2b）以交替重复的方式层叠。 当以高浓度掺杂n型杂质的氧化物层时，氧化物层的表面的粗糙度变大。 为此，在由掺杂氧化物层（2a）引起的表面粗糙度变得非常大之前，掺杂氧化物层（2a）被能够确保表面平坦度的未掺杂氧化物层（2b）覆盖。 因此，可以形成平坦的氧化物薄膜。