公开(公告)号：US5784655A

公开(公告)日：1998-07-21

申请号：US411287

申请日：1995-03-27

申请人： Akira Akashi ,  Mamoru Miyawaki ,  Kenji Suzuki ,  Toshiki Nakayama

发明人： Akira Akashi ,  Mamoru Miyawaki ,  Kenji Suzuki ,  Toshiki Nakayama

IPC分类号： G02B7/34 ,  G02B7/36 ,  G03B13/36

CPC分类号： G02B7/34 ,  G02B7/36

摘要： This invention relates to a focus detecting apparatus using an area sensor as an AF sensor, and particularly provides a focus detecting apparatus in which when any area in a scene is designated and the focus state in that area is to be detected, the output from an area on the sensor corresponding to the designated area of the scene is read and processed on the basis of the information of an area on the area sensor corresponding to the designated area of the scene pre-memorized in a memory circuit.

摘要翻译： 本发明涉及使用区域传感器作为AF传感器的焦点检测装置，特别是提供一种聚焦检测装置，其中当指定场景中的任何区域并且要检测该区域中的聚焦状态时， 基于与预先存储在存储器电路中的场景的指定区域对应的区域传感器上的区域的信息来读取和处理对应于场景的指定区域的传感器上的区域。

公开(公告)号：US5739565A

公开(公告)日：1998-04-14

申请号：US365318

申请日：1994-12-28

申请人： Yoshio Nakamura ,  Mamoru Miyawaki ,  Isamu Ueno

发明人： Yoshio Nakamura ,  Mamoru Miyawaki ,  Isamu Ueno

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L27/10861

摘要： A semiconductor device with holes of porous texture in a part of the surface of a semiconductor substrate. The holes are filled with a conductive material across an insulating layer.

摘要翻译： 一种在半导体衬底表面的一部分中具有多孔结构孔的半导体器件。 孔穿过绝缘层填充有导电材料。

公开(公告)号：US5714752A

公开(公告)日：1998-02-03

申请号：US252219

申请日：1994-06-01

申请人： Isamu Ueno ,  Mamoru Miyawaki

发明人： Isamu Ueno ,  Mamoru Miyawaki

IPC分类号： G03B27/50 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H04N1/028 ,  H04N5/238 ,  H04N5/335 ,  H04N5/341 ,  H04N5/376 ,  H01J40/14 ,  H01J77/14

CPC分类号： H04N1/02805 ,  H04N1/028 ,  H04N1/0282

摘要： An image pickup device comprises illuminating means for illuminating an object and an image pickup element for picking up an image of the object. An improvement is in that a drive circuit for driving the illuminating means and a control circuit for controlling the driving of the image pickup device are integrated with the image pickup device into one chip, in order to operate the image pickup device only a single power source and to minimize the device structure.

摘要翻译： 图像拾取装置包括用于照亮物体的照明装置和用于拾取物体的图像的图像拾取元件。 改进之处在于，用于驱动照明装置的驱动电路和用于控制图像拾取装置的驱动的控制电路与图像拾取装置集成为一个芯片，以便仅将图像拾取装置操作为单个电源 并使设备结构最小化。

公开(公告)号：US5600344A

公开(公告)日：1997-02-04

申请号：US561153

申请日：1995-11-21

申请人： Koichi Sono ,  Mamoru Miyawaki ,  Akira Ishizaki ,  Katsuhisa Ogawa ,  Katsuhito Sakurai

发明人： Koichi Sono ,  Mamoru Miyawaki ,  Akira Ishizaki ,  Katsuhisa Ogawa ,  Katsuhito Sakurai

IPC分类号： G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G09G3/36

CPC分类号： G09G3/36 ,  G02F1/134336 ,  G09G2310/0232 ,  G09G2310/061 ,  G09G2360/04

摘要： A liquid crystal display driven in multiplex with a plurality of pixels arranged in a matrix comprises a main display, and at least one sub-display located at least partly around the periphery of the main display.

摘要翻译： 与以矩阵排列的多个像素多路复用的液晶显示器包括主显示器和至少部分地围绕主显示器的周边定位的子显示器。

公开(公告)号：US5567962A

公开(公告)日：1996-10-22

申请号：US263147

申请日：1994-06-21

申请人： Mamoru Miyawaki ,  Akira Ishizaki ,  Genzo Momma ,  Hiroshi Yuzurihara ,  Tetsunobu Kohchi

发明人： Mamoru Miyawaki ,  Akira Ishizaki ,  Genzo Momma ,  Hiroshi Yuzurihara ,  Tetsunobu Kohchi

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/102 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/1026 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66795

摘要： A semiconductor memory device includes: an insulated gate transistor having a plurality of main electrode regions provided along a major surface of a substrate and a channel region provided between the plurality of main electrode regions, and a gate electrode provided on the channel region with a gate insulator therebetween, the gate electrode having at least two opposing portions; and an electrically breakable memory element provided on one of the main electrode regions.

摘要翻译： 一种半导体存储器件，包括：绝缘栅晶体管，具有沿着基板的主表面设置的多个主电极区域和设置在所述多个主电极区域之间的沟道区域;以及栅极电极，设置在所述沟道区域上， 绝缘体之间，所述栅电极具有至少两个相对的部分; 以及设置在所述主电极区域之一上的电可破坏的存储元件。

公开(公告)号：US5530266A

公开(公告)日：1996-06-25

申请号：US242047

申请日：1994-05-13

申请人： Takao Yonehara ,  Mamoru Miyawaki ,  Akira Ishizaki ,  Junichi Hoshi ,  Masaru Sakamoto ,  Shigetoshi Sugawa ,  Shunsuke Inoue ,  Toru Koizumi ,  Tetsunobu Kohchi ,  Kiyofumi Sakaguchi ,  Takanori Watanabe

发明人： Takao Yonehara ,  Mamoru Miyawaki ,  Akira Ishizaki ,  Junichi Hoshi ,  Masaru Sakamoto ,  Shigetoshi Sugawa ,  Shunsuke Inoue ,  Toru Koizumi ,  Tetsunobu Kohchi ,  Kiyofumi Sakaguchi ,  Takanori Watanabe

IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L27/092 ,  H01L27/105

CPC分类号： G02F1/13454 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1233 ,  G02F2001/136281 ,  G02F2202/105 ,  Y10S438/96

摘要： A liquid crystal image display unit created on a substrate non-transparent to the light in the visible radiation area, characterized in that a portion beneath a liquid crystal pixel part on said substrate is removed, so that the light is made transmissive through said liquid crystal pixel part.

摘要翻译： 在对可见光区域的光不透明的基板上形成的液晶图像显示单元，其特征在于，除去所述基板上的液晶像素部下方的部分，使得所述光透过所述液晶 像素部分。

公开(公告)号：US5439843A

公开(公告)日：1995-08-08

申请号：US301263

申请日：1994-09-06

申请人： Kiyofumi Sakaguchi ,  Takao Yonehara ,  Mamoru Miyawaki

发明人： Kiyofumi Sakaguchi ,  Takao Yonehara ,  Mamoru Miyawaki

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/762 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1892 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  Y02E10/50 ,  Y10S438/96

摘要： A semiconductor substrate comprises an insulating layer and a compound semiconductor monocrystal thin film formed on said insulating layer, the thermal expansion coefficient of said insulating layer being in the range of 60%-140% of that of said monocrystal thin film.

摘要翻译： 半导体衬底包括绝缘层和形成在所述绝缘层上的化合物半导体单晶薄膜，所述绝缘层的热膨胀系数在所述单晶薄膜的热膨胀系数的60％-140％的范围内。

公开(公告)号：US5412240A

公开(公告)日：1995-05-02

申请号：US274156

申请日：1994-07-14

申请人： Shunsuke Inoue ,  Toru Koizumi ,  Mamoru Miyawaki ,  Shigetoshi Sugawa

发明人： Shunsuke Inoue ,  Toru Koizumi ,  Mamoru Miyawaki ,  Shigetoshi Sugawa

IPC分类号： G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/208 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L27/01 ,  H01L27/13

CPC分类号： H01L27/1203

摘要： A semiconductor device has an NMOS transistor and a PMOS transistor formed on at least one monocrystal Si region formed in a thin-film Si layer formed on an insulation layer. The thickness T.sub.BOX of the insulation layer on which the NMOS and PMOS transistors are formed, the voltage V.sub.SS of a low-voltage power supply and the voltage V.sub.DD of a high-voltage power supply for the NMOS and PMOS transistors satisfy a relationship expressed by the following equation:T.sub.BOX >(V.sub.DD -V.sub.SS -K.sub.2)/K.sub.1where K.sub.1 .tbd..epsilon..sub.BOX (Q.sub.BN +Q.sub.BP), K.sub.2 .tbd.2.PHI..sub.FN +2.PHI..sub.FP -1.03, .epsilon..sub.BOX.sup.-1 is the dielectric constant of the base insulation layer, Q.sub.BN and Q.sub.BP are bulk charges when the widths of depletion layers of the NMOS and PMOS transistors are maximized, and .PHI..sub.FN and .PHI..sub.FP are pseudo Fermi potentials of the NMOS and PMOS transistors.

摘要翻译： 半导体器件具有形成在形成在绝缘层上的薄膜Si层中形成的至少一个单晶Si区上的NMOS晶体管和PMOS晶体管。 形成NMOS和PMOS晶体管的绝缘层的厚度TBOX，低压电源的电压VSS和NMOS和PMOS晶体管的高压电源的电压VDD满足由 以下等式：TBOX>（VDD-VSS-K2）/ K1其中K1 3BONDεBOX（QBN + QBP），K2 3BOND 2 PHI FN + 2 PHI FP-1.03，εBOX-1是基础绝缘层的介电常数 当NMOS和PMOS晶体管的耗尽层的宽度最大化时，QBN和QBP是体电荷，而PHI FN和PHI FP是NMOS和PMOS晶体管的伪费米电位。

公开(公告)号：US5317433A

公开(公告)日：1994-05-31

申请号：US984099

申请日：1992-12-01

申请人： Mamoru Miyawaki ,  Shigeki Kondo ,  Yoshio Nakamura ,  Tetsunobu Kouchi

发明人： Mamoru Miyawaki ,  Shigeki Kondo ,  Yoshio Nakamura ,  Tetsunobu Kouchi

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/13454 ,  G02F1/133512 ,  G02F2201/48 ,  G02F2202/105 ,  H01L2221/68363 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266

摘要： Variations in the individual liquid crystal cells and cross-talk between adjacent pixels are reduced, stable operation is maintained and the aperture and the S/N ratio are increased by providing a transistor and an interconnection layer therefor on one surface of an insulating layer while providing an electrode for applying a voltage to a liquid crystal on the other surface thereof. One major electrode portion of the transistor and the liquid crystal voltage applying electrode are connected to each other using an electrode via an opening. Also, the electrode for connecting the major electrode portion 3 to the liquid crystal voltage applying electrode is provided on the other surface of the insulating layer such that it shield the transistor from light.

摘要翻译： 单个液晶单元的变化和相邻像素之间的串扰减少，通过在绝缘层的一个表面上提供晶体管及其互连层来提供稳定的操作并且增加孔径和S / N比，同时提供 用于在其另一个表面上向液晶施加电压的电极。 晶体管的一个主电极部分和液晶电压施加电极通过开口使用电极彼此连接。 此外，在绝缘层的另一个表面上设置用于将主电极部分3连接到液晶电压施加电极的电极，以便它将光电晶体管屏蔽。

公开(公告)号：US5065378A

公开(公告)日：1991-11-12

申请号：US604992

申请日：1990-10-29

申请人： Hitoshi Oda ,  Takeo Ono ,  Toyoshige Sasaki ,  Kou Yoneda ,  Mamoru Miyawaki

发明人： Hitoshi Oda ,  Takeo Ono ,  Toyoshige Sasaki ,  Kou Yoneda ,  Mamoru Miyawaki

IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B5/49 ,  G11B11/10 ,  G11B11/105 ,  G11B11/115

CPC分类号： G11B11/10 ,  G11B11/10547 ,  G11B11/115 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/4946

摘要： A magnetic record reproducing method includes the steps of bringing a magnetic film, capable of producing a magneto static wave, into intimate contact with or proximity to the recording surface of a magnetic recording medium, causing the magnetic film to produce the magnetostatic wave, detecting any variation in wave number in the magnetostatic wave attributable to the magnetized signal of the recording surface, and converting the variation in wave number in the magnetostatic wave into an electrical signal.

摘要翻译： 磁记录再现方法包括以下步骤：使能够产生磁静电波的磁膜与磁记录介质的记录表面紧密接触或接近磁带，使磁膜产生静磁波，检测任何 归因于记录表面的磁化信号的静磁波中的波数的变化，以及将静磁波中的波数的变化转换为电信号。