公开(公告)号：US07132337B2

公开(公告)日：2006-11-07

申请号：US11017194

申请日：2004-12-20

申请人： Stefan Jakschik ,  Matthias Goldbach ,  Thomas Mikolajick ,  Thomas Hecht

发明人： Stefan Jakschik ,  Matthias Goldbach ,  Thomas Mikolajick ,  Thomas Hecht

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/512 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7923

摘要： Charge-trapping regions are arranged beneath lower edges of the gate electrode separate from one another. Source/drain regions are formed in self-aligned manner with respect to the charge-trapping regions by means of a doping process at low energy in order to form shallow junctions laterally extending only a small distance beneath the charge-trapping regions. The self-alignment ensures a large number of program-erase cycles with high effectiveness and good data retention, because the locations of the injections of charge carriers of opposite signs are narrowly and exactly defined.

摘要翻译： 电荷捕获区域布置在栅电极的下边缘下方彼此分离。 源极/漏极区域以相对于电荷俘获区域的自对准方式通过在低能量下的掺杂工艺形成，以形成仅在电荷俘获区域下方仅小的距离的浅结。 自对准确保了大量的编程擦除周期，具有高效率和良好的数据保留，因为注入相反符号的电荷载体的位置被狭义地和精确地定义。

公开(公告)号：US20050181557A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：US11040091

申请日：2005-01-24

申请人： Stefan Jakschik ,  Thomas Hecht ,  Uwe Schroder ,  Matthias Goldbach

发明人： Stefan Jakschik ,  Thomas Hecht ,  Uwe Schroder ,  Matthias Goldbach

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/334 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/1087 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L29/66181

摘要： A process for modifying sections of a semiconductor includes covering the sections to remain free of doping with a metal oxide, e.g., aluminum oxide. Then, the semiconductor is doped, for example, from the gas phase, in those sections that are not covered by the aluminum oxide. Finally, the aluminum oxide is selectively removed again, for example using hot phosphoric acid. Sections of the semiconductor surface which are formed from silicon, silicon oxide or silicon nitride remain in place on the wafer.

摘要翻译： 用于修改半导体部分的方法包括覆盖这些部分以保持不掺杂金属氧化物，例如氧化铝。 然后，在未被氧化铝覆盖的那些部分中，例如从气相掺杂半导体。 最后，再次选择性地除去氧化铝，例如使用热磷酸。 由硅，氧化硅或氮化硅形成的半导体表面的部分保留在晶片上。

公开(公告)号：US06919255B2

公开(公告)日：2005-07-19

申请号：US10630373

申请日：2003-07-30

申请人： Albert Birner ,  Matthias Goldbach ,  Thomas Hecht ,  Lars Heineck ,  Stephan Kudelka ,  Jörn Lützen ,  Dirk Manger ,  Andreas Orth

发明人： Albert Birner ,  Matthias Goldbach ,  Thomas Hecht ,  Lars Heineck ,  Stephan Kudelka ,  Jörn Lützen ,  Dirk Manger ,  Andreas Orth

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/334 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L27/1087 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

摘要： A method for fabricating a semiconductor trench structure includes forming a trench in a semiconductor substrate and filling it with a filler. A first thermal process having a first maximum temperature cures the filler. Removing the filler from an upper region of the trench as far as a boundary surface defines a collar region. In a second thermal process having a second maximum temperature that is not significantly higher than the first maximum temperature, a liner is deposited on the collar region and the boundary surface. The liner is removed from the boundary surface, thereby exposing the filler. The filler is then removed from a lower region of the trench.

摘要翻译： 一种制造半导体沟槽结构的方法包括在半导体衬底中形成沟槽并用填充物填充沟槽。 具有第一最高温度的第一热处理固化填料。 从沟槽的上部区域移除填料至达边界表面限定了一个环形区域。 在具有不显着高于第一最高温度的第二最高温度的第二热处理中，衬套沉积在套环区域和边界表面上。 将衬垫从边界表面移除，从而暴露填料。 然后从沟槽的下部区域去除填料。

公开(公告)号：US07268037B2

公开(公告)日：2007-09-11

申请号：US11040091

申请日：2005-01-24

申请人： Stefan Jakschik ,  Thomas Hecht ,  Uwe Schröder ,  Matthias Goldbach

发明人： Stefan Jakschik ,  Thomas Hecht ,  Uwe Schröder ,  Matthias Goldbach

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/1087 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L29/66181

摘要： A process for modifying sections of a semiconductor includes covering the sections to remain free of doping with a metal oxide, e.g., aluminum oxide. Then, the semiconductor is doped, for example, from the gas phase, in those sections that are not covered by the aluminum oxide. Finally, the aluminum oxide is selectively removed again, for example using hot phosphoric acid. Sections of the semiconductor surface which are formed from silicon, silicon oxide or silicon nitride remain in place on the wafer.

摘要翻译： 用于修改半导体部分的方法包括覆盖这些部分以保持不掺杂金属氧化物，例如氧化铝。 然后，在未被氧化铝覆盖的那些部分中，例如从气相掺杂半导体。 最后，再次选择性地除去氧化铝，例如使用热磷酸。 由硅，氧化硅或氮化硅形成的半导体表面的部分保留在晶片上。

公开(公告)号：US20050164464A1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：US11042326

申请日：2005-01-26

申请人： Thomas Hecht ,  Matthias Goldbach ,  Uwe Schroder

发明人： Thomas Hecht ,  Matthias Goldbach ,  Uwe Schroder

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/314 ,  H01L21/334 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/94 ,  H01L21/20 ,  H01L21/76

CPC分类号： C23C16/045 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3141 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/1087 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

摘要： On a substrate surface, which has been patterned in the form of a relief, of a substrate, typically of a semiconductor wafer, a deposition process is used to provide a covering layer on process surfaces which are vertical or inclined with respect to the substrate surface. The covering layer is patterned in a direction which is vertical with respect to the substrate surface by limiting a process quantity of at least one precursor material and/or by temporarily limiting the deposition process, and is formed as a functional layer or mask for subsequent process steps.

摘要翻译： 在通常为半导体晶片的衬底（其形式为浮雕形式的衬底表面）上，使用沉积工艺来提供在相对于衬底表面垂直或倾斜的工艺表面上的覆盖层 。 通过限制至少一种前体材料的工艺量和/或通过临时限制沉积工艺，将覆盖层图案化成相对于衬底表面垂直的方向，并形成为后续工艺的功能层或掩模 脚步。

公开(公告)号：US20070281432A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11443501

申请日：2006-05-30

申请人： Matthias Goldbach ,  Thomas Hecht

发明人： Matthias Goldbach ,  Thomas Hecht

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/7846

摘要： A method for providing interlocking strained silicon on a silicon substrate, comprises providing a mask on a surface of the substrate. The mask comprises a first plurality of openings corresponding to a first plurality of holes to be etched and comprises a second plurality of openings corresponding to a second plurality of holes to be etched. The surface of the substrate is etched through the mask to form the first and second pluralities of holes. A first strain type material is deposited into the first plurality of holes to form a plurality of first strain type portions. A plurality of second strain type portions are formed at the second plurality of holes.

摘要翻译： 一种在硅衬底上提供互锁应变硅的方法，包括在衬底的表面上提供掩模。 掩模包括对应于待蚀刻的第一多个孔的第一多个开口，并且包括对应于待蚀刻的第二多个孔的第二多个开口。 通过掩模蚀刻衬底的表面以形成第一和第二多个孔。 第一应变型材料沉积到第一多个孔中以形成多个第一应变型部分。 在第二多个孔处形成多个第二应变型部分。

公开(公告)号：US06821861B1

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US10631554

申请日：2003-07-31

申请人： Matthias Goldbach ,  Thomas Hecht

发明人： Matthias Goldbach ,  Thomas Hecht

IPC分类号： H01L2120

CPC分类号： H01L27/10861 ,  H01L27/10867

摘要： The invention relates to an electrode arrangement for charge storage with an external trench electrode (202; 406), embodied along the wall of a trench provided in a substrate (401) and electrically insulated on both sides in the trench by a first and a second dielectric (104; 405, 409); an internal trench electrode (201; 410), serving as counter-electrode to the external trench electrode (201; 406) and insulated by the second dielectric (104; 409) and a substrate electrode (201; 403), which is insulated by the first dielectric (104; 405) outside the trench, which serves as counter-electrode to the external trench electrode (202; 406) and is connected to the internal trench electrode (201; 410) in the upper trench region.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于电荷存储的电极装置，其具有外部沟槽电极（202; 406），其沿着设置在衬底（401）中的沟槽的壁体现，并且在沟槽的两侧通过第一和第二 电介质（104; 405,409）; 用作与所述外部沟槽电极（201; 406）相反并被所述第二电介质（104,409）绝缘的对电极的内部沟槽电极（201; 410）和由所述第二电介质（104; 409）绝缘的衬底电极 在沟槽外部的第一电介质（104; 405），其用作与外部沟槽电极（202; 406）的对电极，并且连接到上部沟槽区域中的内部沟槽电极（201; 410）。

公开(公告)号：US07718475B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11786822

申请日：2007-04-13

申请人： Matthias Goldbach ,  Erhard Landgraf ,  Michael Stadtmueller ,  Moritz Haupt ,  Sven Schmidbauer ,  Tobias Mono ,  Jorg Radecker

发明人： Matthias Goldbach ,  Erhard Landgraf ,  Michael Stadtmueller ,  Moritz Haupt ,  Sven Schmidbauer ,  Tobias Mono ,  Jorg Radecker

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7845

摘要： The present invention relates to a transistor comprising a gate channel area and a gate stack having mechanical stress arranged on the gate channel area.

摘要翻译： 本发明涉及一种晶体管，其包括栅极沟道区和具有布置在栅极沟道区上的机械应力的栅极叠层。

公开(公告)号：US07679149B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11669500

申请日：2007-01-31

申请人： Audrey Beckert ,  Matthias Goldbach ,  Clemens Fitz

发明人： Audrey Beckert ,  Matthias Goldbach ,  Clemens Fitz

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

摘要： A method of formation of contacts with cobalt silicide since is disclosed. For example, after siliciding with the SOM solution, both unreacted sections of the deposition layer including, for example, cobalt as initial layer for the siliciding and an oxidation protection layer including titanium and deposited by means of cathode beam sputtering, for instance, may be removed rapidly and with high selectivity relative to the cobalt silicide and other, densified metal structures and metal layers.

摘要翻译： 公开了一种与硅化钴形成接触的方法。 例如，在用SOM溶液硅化后，例如包括例如作为硅化的初始层的钴的钴的沉积层的未反应部分和包括钛并通过阴极射线溅射沉积的氧化保护层可以是 相对于硅化钴和其它致密的金属结构和金属层，快速且高选择性地去除。

公开(公告)号：US20080116494A1

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：US11602066

申请日：2006-11-20

申请人： Matthias Goldbach ,  Dietmar Henke ,  Sven Schmidbauer

发明人： Matthias Goldbach ,  Dietmar Henke ,  Sven Schmidbauer

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/265 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/265 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device. A silicon substrate comprising at least one structured area in which a dopant is implanted is provided. A contact modifying material is provided on the surface of the at least one structured area. A silicide layer is formed on the surface of the at least one structured area, the silicide layer comprising at least one of titan silicide, titan nitride silicide and cobalt silicide.

摘要翻译： 本发明涉及半导体器件的制造方法。 提供了包括其中注入掺杂剂的至少一个结构化区域的硅衬底。 接触改性材料设置在至少一个结构化区域的表面上。 在所述至少一个结构化区域的表面上形成硅化物层，所述硅化物层包括硅化钛，氮化钛硅化物和硅化钴中的至少一种。