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    Apparatus and method for plasma assisted deposition
    12.
    发明授权
    Apparatus and method for plasma assisted deposition 有权
    用于等离子体辅助沉积的装置和方法

    公开(公告)号：US07779784B2

    公开(公告)日：2010-08-24

    申请号：US11146309

    申请日：2005-06-06

    申请人： Chen-An Chen ,  Avgerinos Gelatos ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi ,  Mark M. Hytros

    发明人： Chen-An Chen ,  Avgerinos Gelatos ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi ,  Mark M. Hytros

    IPC分类号： C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306

    CPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76843

    摘要： Embodiments of the present invention relate to an apparatus and method of plasma assisted deposition by generation of a plasma adjacent a processing region. One embodiment of the apparatus comprises a substrate processing chamber including a top shower plate, a power source coupled to the top shower plate, a bottom shower plate, and an insulator disposed between the top shower plate and the bottom shower plate. In one aspect, the power source is adapted to selectively provide power to the top shower plate to generate a plasma from the gases between the top shower plate and the bottom shower plate. In another embodiment, a power source is coupled to the top shower plate and the bottom shower plate to generate a plasma between the bottom shower plate and the substrate support. One embodiment of the method comprises performing in a single chamber one or more of the processes including, but not limited to, cyclical layer deposition, combined cyclical layer deposition and plasma-enhanced chemical vapor deposition; plasma-enhanced chemical vapor deposition; and/or chemical vapor deposition.

    摘要翻译： 本发明的实施例涉及通过在处理区域附近产生等离子体辅助沉积的装置和方法。 该装置的一个实施例包括基板处理室，其包括顶部喷淋板，耦合到顶部淋浴板的电源，底部淋浴板和布置在顶部淋浴板和底部淋浴板之间的绝缘体。 一方面，电源适于选择性地向顶部喷淋板提供电力，以从顶部喷淋板和底部淋浴板之间的气体产生等离子体。 在另一个实施例中，电源耦合到顶部喷淋板和底部淋浴板，以在底部喷淋板和基板支撑件之间产生等离子体。 该方法的一个实施方案包括在单个室中执行一个或多个过程，包括但不限于循环层沉积，组合循环层沉积和等离子体增强化学气相沉积; 等离子体增强化学气相沉积; 和/或化学气相沉积。

    Selective deposition of a barrier layer on a metal film
    15.
    发明授权
    Selective deposition of a barrier layer on a metal film 有权
    在金属膜上选择性地沉积阻挡层

    公开(公告)号：US06809026B2

    公开(公告)日：2004-10-26

    申请号：US10322345

    申请日：2002-12-18

    申请人： Hyungsuk Alexander Yoon ,  Michael X. Yang ,  Hui Zhang ,  Soonil Hong ,  Ming Xi

    发明人： Hyungsuk Alexander Yoon ,  Michael X. Yang ,  Hui Zhang ,  Soonil Hong ,  Ming Xi

    IPC分类号： H01L214763

    CPC分类号： C23C16/45525 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849

    摘要： A method to selectively deposit a barrier layer on a metal film formed on a substrate is disclosed. The barrier layer is selectively deposited on the metal film using a cyclical deposition process including a predetermined number of deposition cycles followed by a purge step. Each deposition cycle comprises alternately adsorbing a refractory metal-containing precursor and a reducing gas on the metal film formed on the substrate in a process chamber.

    摘要翻译： 公开了一种在形成在基板上的金属膜上选择性地沉积阻挡层的方法。 使用包括预定数量的沉积循环，然后进行吹扫步骤的循环沉积工艺，将选择性地沉积在金属膜上。 每个沉积循环包括在处理室中在形成在基底上的金属膜上交替地吸附含难熔金属的前体和还原气体。

    FORMATION OF A TANTALUM-NITRIDE LAYER
    17.
    发明申请
    FORMATION OF A TANTALUM-NITRIDE LAYER 有权
    形成氮化钛层

    公开(公告)号：US20120178256A1

    公开(公告)日：2012-07-12

    申请号：US13396311

    申请日：2012-02-14

    申请人： Sean M. Seutter ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi

    发明人： Sean M. Seutter ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi

    IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76862

    摘要： A method of forming a material on a substrate is disclosed. In one embodiment, the method includes forming a tantalum nitride layer on a substrate disposed in a plasma process chamber by sequentially exposing the substrate to a tantalum precursor and a nitrogen precursor, followed by reducing a nitrogen concentration of the tantalum nitride layer by exposing the substrate to a plasma annealing process. A metal-containing layer is subsequently deposited on the tantalum nitride layer.

    摘要翻译： 公开了一种在衬底上形成材料的方法。 在一个实施例中，该方法包括在设置在等离子体处理室中的衬底上形成氮化钽层，通过将衬底顺序地暴露于钽前体和氮前体，然后通过暴露衬底来降低氮化钽层的氮浓度 等离子体退火工艺。 随后在氮化钽层上沉积含金属的层。

    Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers
    18.
    发明授权
    Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers 失效
    阻挡层的等离子体增强循环层沉积工艺

    公开(公告)号：US07732325B2

    公开(公告)日：2010-06-08

    申请号：US12348671

    申请日：2009-01-05

    申请人： Michael X. Yang ,  Toshio Itoh ,  Ming Xi

    发明人： Michael X. Yang ,  Toshio Itoh ,  Ming Xi

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： C23C16/45531 ,  C23C16/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856

    摘要： In one embodiment, a method for depositing materials on a substrate is provided which includes forming a titanium nitride barrier layer on the substrate by sequentially exposing the substrate to a titanium precursor containing a titanium organic compound and a nitrogen plasma formed from a mixture of nitrogen gas and hydrogen gas. In another embodiment, the method includes exposing the substrate to the deposition gas containing the titanium organic compound to form a titanium-containing layer on the substrate, and exposing the titanium-containing layer disposed on the substrate to a nitrogen plasma formed from a mixture of nitrogen gas and hydrogen gas. The method further provides depositing a conductive material containing tungsten or copper over the substrate during a vapor deposition process. In some examples, the titanium organic compound may contain methylamido or ethylamido, such as tetrakis(dimethylamido)titanium, tetrakis(diethylamido)titanium, or derivatives thereof.

    摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上沉积材料的方法，其包括通过将衬底依次暴露于含有钛有机化合物的钛前体和由氮气混合物形成的氮等离子体而在衬底上形成氮化钛阻挡层 和氢气。 在另一个实施方案中，该方法包括将衬底暴露于含有钛有机化合物的沉积气体，以在衬底上形成含钛层，并将设置在衬底上的含钛层暴露于由 氮气和氢气。 该方法进一步提供在气相沉积工艺期间在衬底上沉积含有钨或铜的导电材料。 在一些实例中，钛有机化合物可以含有甲基酰氨基或乙酰氨基，例如四（二甲基氨基）钛，四（二乙基氨基）钛或其衍生物。

    Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers
    19.
    发明授权
    Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers 有权
    阻挡层的等离子体增强循环层沉积工艺

    公开(公告)号：US07473638B2

    公开(公告)日：2009-01-06

    申请号：US11458852

    申请日：2006-07-20

    申请人： Michael X. Yang ,  Toshio Itoh ,  Ming Xi

    发明人： Michael X. Yang ,  Toshio Itoh ,  Ming Xi

    IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

    CPC分类号： C23C16/45531 ,  C23C16/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856

    摘要： In one embodiment, a method for forming a metal-containing material on a substrate is provided which includes forming a metal containing barrier layer on a substrate by a plasma-enhanced cyclical vapor deposition process, exposing the substrate to a soak process, and depositing a conductive material on the substrate by a second vapor deposition process. The substrate may be exposed to a silicon-containing compound (e.g., silane) during the soak process. In some examples, a metallic nitride layer may be deposited subsequent to the soak process and prior to the second vapor deposition process. In other examples, the metal containing barrier layer contains metallic titanium, the metallic nitride layer contains titanium nitride, and the conductive material contains tungsten or copper. The plasma-enhanced cyclical vapor deposition process may further include exposing the substrate to a nitrogen precursor, such as nitrogen, hydrogen, a nitrogen/hydrogen mixture, ammonia, hydrazine, or derivatives thereof.

    摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上形成含金属材料的方法，其包括通过等离子体增强循环气相沉积工艺在衬底上形成含金属的阻挡层，将衬底暴露于浸泡工艺，并沉积 通过第二气相沉积工艺在衬底上形成导电材料。 在浸泡过程期间，可将基底暴露于含硅化合物（例如硅烷）。 在一些实例中，金属氮化物层可以在浸泡工艺之后并在第二气相沉积工艺之前沉积。 在其他实例中，含金属阻挡层含有金属钛，金属氮化物层含有氮化钛，导电材料含有钨或铜。 等离子体增强的循环气相沉积方法还可以包括将底物暴露于氮前体，例如氮，氢，氮/氢混合物，氨，肼或其衍生物。