公开(公告)号：US09403254B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：US13211847

申请日：2011-08-17

申请人： James Jeng-Jyi Hwang ,  Bo-I Lee ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： James Jeng-Jyi Hwang ,  Bo-I Lee ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： B24B37/005 ,  B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B49/00 ,  B24B49/10 ,  B24B49/14

CPC分类号： B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/107 ,  B24B49/003 ,  B24B49/10 ,  B24B49/14

摘要： Methods and apparatus for detecting errors in real time in CMP processing. A method includes disposing a semiconductor wafer onto a wafer carrier in a tool for chemical mechanical polishing (“CMP”); positioning the wafer carrier so that a surface of the semiconductor wafer contacts a polishing pad mounted on a rotating platen; dispensing an abrasive slurry onto the rotating polishing pad while maintaining the surface of the semiconductor wafer in contact with the polishing pad to perform a CMP process on the semiconductor wafer; in real time, receiving signals from the CMP tool into a signal analyzer, the signals corresponding to vibration, acoustics, temperature, or pressure; and comparing the received signals from the CMP tool to expected received signals for normal processing by the CMP tool; outputting a result of the comparing. A CMP tool apparatus is disclosed.

摘要翻译： 用于在CMP处理中实时检测误差的方法和装置。 一种方法包括将半导体晶片设置在用于化学机械抛光（“CMP”）的工具中的晶片载体上; 定位晶片载体，使得半导体晶片的表面接触安装在旋转台板上的抛光垫; 将研磨浆料分配到旋转的抛光垫上，同时保持半导体晶片的表面与抛光垫接触，以在半导体晶片上执行CMP处理; 实时地从CMP工具接收信号到信号分析仪，信号对应于振动，声学，温度或压力; 以及将来自CMP工具的接收信号与由CMP工具进行正常处理的预期接收信号进行比较; 输出比较结果。 公开了一种CMP工具装置。

公开(公告)号：US09242342B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US13420366

申请日：2012-03-14

申请人： Bo-I Lee ,  Huang Soon Kang ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Bo-I Lee ,  Huang Soon Kang ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： B24B53/12 ,  B05D1/12 ,  B24B53/017

CPC分类号： B24B37/20 ,  B24B53/017

摘要： A manufacture includes a substrate, a reinforcement layer over the substrate, and abrasive particles over the substrate. The abrasive particles are partially buried in the reinforcement layer. Upper tips of the abrasive particles are substantially coplanar.

摘要翻译： 一种制造方法包括基底，基底上的增强层，以及基底上的研磨颗粒。 研磨颗粒部分地埋在加强层中。 磨料颗粒的上尖端基本上共面。

公开(公告)号：US09165835B2

公开(公告)日：2015-10-20

申请号：US13221214

申请日：2011-08-30

申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Chun-Yi Lee ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Chun-Yi Lee ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/425 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Provided is a method and structure for utilizing advance channel substrate materials in semiconductor manufacturing. Advanced channel substrate materials such as germanium and Group III-V channel substrate materials, are advantageously utilized. One or more capping films including at least a nitride layer are formed over the channel substrate prior to patterning, ion implantation and the subsequent stripping and wet cleaning operations. With the capping layers intact during these operations, attack of the channel substrate material is prevented and the protective films are easily removed subsequently. The films are dimensioned in conjunction with the ion implantation operation to enable the desired dopant profile and concentration to be formed in the channel substrate material.

摘要翻译： 提供了一种在半导体制造中利用前置沟道衬底材料的方法和结构。 可以有利地利用诸如锗和III-V族通道衬底材料的高级通道衬底材料。 在图案化，离子注入和随后的剥离和湿式清洗操作之前，在沟道基底上方形成至少包含至少氮化物层的一个或多个封盖膜。 在这些操作期间，封盖层完好无损，防止了通道衬底材料的侵蚀，随后保护膜很容易被去除。 这些膜的尺寸与离子注入操作相结合，使得能够在通道衬底材料中形成所需的掺杂剂分布和浓度。

公开(公告)号：US09048186B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US12879371

申请日：2010-09-10

申请人： Kuo Bin Huang ,  Hsin-Chien Lu ,  Ryan Chia-Jen Chen ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Kuo Bin Huang ,  Hsin-Chien Lu ,  Ryan Chia-Jen Chen ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28238 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857

摘要： A method for forming an integrated circuit is provided. The method includes forming a gate dielectric structure over a substrate. A titanium-containing sacrificial layer is formed, contacting the gate dielectric structure. The whole titanium-containing sacrificial layer is substantially removed.

摘要翻译： 提供一种用于形成集成电路的方法。 该方法包括在衬底上形成栅极电介质结构。 形成与该栅电介质结构接触的含钛牺牲层。 基本上除去了整个含钛牺牲层。

公开(公告)号：US20140095083A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：US13632530

申请日：2012-10-01

申请人： Tzu-Sou Chuang ,  Jeng-Jyi Hwang ,  Cheng-Lung Chou ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Tzu-Sou Chuang ,  Jeng-Jyi Hwang ,  Cheng-Lung Chou ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： G01N33/00 ,  G06F15/00

CPC分类号： G01N33/0004 ,  G06F15/00

摘要： The present disclosure provides a method of identifying an airborne molecular contamination (AMC) leaking source in a fab. The method includes distributing a sensor in the fab, executing a forward computational fluid dynamics (CFD) simulation of an air flow in the fab, setting an inversed modeling of the forward CFD simulation of the air flow in the fab, building up a database of a spatial response probability distribution matrix of the sensor using an AMC measurement data in the fab, and identifying the AMC leaking source using the database of the spatial response probability distribution matrix of the sensor.

摘要翻译： 本公开提供了一种在晶圆厂中识别空气传播分子污染（AMC）泄漏源的方法。 该方法包括在晶圆厂中分布传感器，对晶圆厂中的空气流进行前向计算流体动力学（CFD）仿真，设置晶圆厂中空气流的前向CFD模拟的反向建模，建立数据库 使用工厂中的AMC测量数据的传感器的空间响应概率分布矩阵，以及使用传感器的空间响应概率分布矩阵的数据库来识别AMC泄漏源。

公开(公告)号：US08623468B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13343857

申请日：2012-01-05

申请人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32051

摘要： Methods of fabricating a metal hard mask and a metal hard mask fabricated by such methods are described. The method includes flowing at least one metal reactant gas into a reaction chamber configured to perform chemical vapor deposition (CVD), wherein the at least one metal reactant gas includes a metal-halogen gas or a metal-organic gas. The method further includes depositing a hard mask metal layer by CVD using the at least one metal reactant gas.

摘要翻译： 描述了通过这种方法制造金属硬掩模和金属硬掩模的方法。 该方法包括将至少一种金属反应物气体流入配置成执行化学气相沉积（CVD）的反应室，其中至少一种金属反应物气体包括金属卤素气体或金属有机气体。 该方法还包括使用至少一种金属反应物气体通过CVD沉积硬掩模金属层。

公开(公告)号：US08616821B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US12869171

申请日：2010-08-26

申请人： Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Ming-Tsao Chiang ,  Yu-Fen Tzeng ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Ming-Tsao Chiang ,  Yu-Fen Tzeng ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67011 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67778 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/139

摘要： The present disclosure provides a system and method for processing a semiconductor substrate wherein a substrate is received at a load lock interface. The substrate is transferred from the load lock interface to a process module using a first module configured for unprocessed substrates. A manufacturing process is performed on the substrate within the process module. Thereafter, the substrate is transferred from the process module to the load lock interface using a second module configured for processed substrates.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于处理半导体衬底的系统和方法，其中在负载锁定接口处接收衬底。 使用配置为未处理基板的第一模块将基板从加载锁定接口传送到处理模块。 在处理模块内的基板上进行制造工艺。 此后，使用配置成处理的基板的第二模块将基板从处理模块传送到加载锁定接口。

公开(公告)号：US20130174982A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13343857

申请日：2012-01-05

申请人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32051

摘要： The present disclosure provides for methods of fabricating a metal hard mask and a metal hard mask fabricated by such methods. A method includes flowing at least one metal reactant gas into a reaction chamber configured to perform chemical vapor deposition (CVD), wherein the at least one metal reactant gas includes a metal-halogen gas or a metal-organic gas. The method further includes depositing a hard mask metal layer by CVD using the at least one metal reactant gas.

摘要翻译： 本公开提供了通过这种方法制造的金属硬掩模和金属硬掩模的制造方法。 一种方法包括将至少一种金属反应物气体流入被配置为进行化学气相沉积（CVD）的反应室，其中所述至少一种金属反应物气体包括金属卤素气体或金属有机气体。 该方法还包括使用至少一种金属反应物气体通过CVD沉积硬掩模金属层。

公开(公告)号：US20130068248A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13233568

申请日：2011-09-15

申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/00 ,  C23G1/02 ,  B08B5/02 ,  B08B3/08

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/67051

摘要： The present disclosure provides a method including providing a chamber having a first inlet and a second inlet. A solution of a de-ionized (DI) water and an acid (e.g., a dilute acid) is provided to the chamber via the first inlet. A carrier gas (e.g., N2) is provided to the chamber via the second inlet. The solution and the carrier gas are in the chamber and then from the chamber onto a single semiconductor wafer. In an embodiment, the solution includes a dilute HCl and DI water.

摘要翻译： 本公开提供了一种方法，包括提供具有第一入口和第二入口的室。 通过第一入口向腔室提供去离子（DI）水和酸（例如稀酸）的溶液。 载气（例如，N2）经由第二入口提供给腔室。 溶液和载气在室中，然后从室到单个半导体晶片。 在一个实施方案中，溶液包括稀HCl和去离子水。

公开(公告)号：US20120181669A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13409517

申请日：2012-03-01

申请人： Chin-Ming LIN ,  Chia-hung Huang ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin ,  Yung-Cheng Chen ,  Chih-Wei Lin

发明人： Chin-Ming LIN ,  Chia-hung Huang ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin ,  Yung-Cheng Chen ,  Chih-Wei Lin

IPC分类号： H01L23/544 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F7/70433

摘要： A method includes establishing an initial shot layout in which a number of shots are arranged in vertically aligned columns and horizontally aligned rows to cover a semiconductor wafer. At least one of a row of shots or a column of shots is shifted relative to an adjacent row or column of shots to establish at least one additional shot layout that differs from the initial shot layout in that shots in the at least one shifted row or column of shots are not aligned with the shots in the adjacent row or column of shots with which they were aligned in the initial shot layout. One of the initial shot layout and the at least one additional shot layout is selected as a final shot layout. The wafer is exposed to light using the final shot layout.

摘要翻译： 一种方法包括建立初始照片布局，其中多个照片布置在垂直排列的列和水平排列的行中以覆盖半导体晶片。 一排照片或一列照片中的至少一列相对于相邻的行或列发射位移，以建立与至少一个移位行中的拍摄中的初始镜头布局不同的至少一个附加镜头布局，或 一列照片不与在初始镜头布局中对齐的相邻行或照片列中的镜头对齐。 选择初始镜头布局和至少一个附加镜头布局之一作为最终镜头布局。 使用最终镜头布局将晶片曝光。