公开(公告)号：US08415852B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US13074659

申请日：2011-03-29

申请人： Chien-Jung Chen ,  Hsien-Wen Liu ,  Chih-Tsung Hsu ,  Tzu-Wen Tsai ,  Cheng-Tien Shih ,  Hsin-Hsien Wu ,  Jia-Ching Lee

发明人： Chien-Jung Chen ,  Hsien-Wen Liu ,  Chih-Tsung Hsu ,  Tzu-Wen Tsai ,  Cheng-Tien Shih ,  Hsin-Hsien Wu ,  Jia-Ching Lee

IPC分类号： H02K3/04

CPC分类号： H02K21/24 ,  H02K1/148 ,  H02K3/20 ,  H02K3/26

摘要： A motor stator includes a stator unit and at least one auxiliary unit. The stator unit includes a circuit substrate, and a plurality of spaced-apart induction coils embedded within the circuit substrate. The auxiliary unit includes an auxiliary coil attached to and disposed outwardly of the circuit substrate.

摘要翻译： 电动机定子包括定子单元和至少一个辅助单元。 定子单元包括电路基板和嵌入电路基板内的多个间隔开的感应线圈。 辅助单元包括附接到并布置在电路基板外侧的辅助线圈。

公开(公告)号：US20100102295A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12603929

申请日：2009-10-22

申请人： Chun-Kai WANG ,  Schang-Jing Hon ,  Yu-Pin Hsu ,  Jui-Yi Chu ,  Hsin-Hsien Wu ,  Wei-Yu Yen

发明人： Chun-Kai WANG ,  Schang-Jing Hon ,  Yu-Pin Hsu ,  Jui-Yi Chu ,  Hsin-Hsien Wu ,  Wei-Yu Yen

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/025

摘要： This invention discloses a light-emitting device comprising a semiconductor stack layer having an active layer of a multiple quantum well (MQW) structure comprising alternate stack layers of quantum well layers and barrier layers, wherein the barrier layers comprise at least one doped barrier layer and one undoped barrier layer. The doped barrier layer can improve the carrier mobility of the electron holes and increase the light-emitting area and the internal quantum efficiency of the active layer.

摘要翻译： 本发明公开了一种发光器件，其包括具有多量子阱（MQW）结构的有源层的半导体叠层层，其包括量子阱层和阻挡层的交替层叠层，其中阻挡层包括至少一个掺杂阻挡层和 一个未掺杂的阻挡层。 掺杂阻挡层可以改善电子空穴的载流子迁移率，增加有源层的发光面积和内部量子效率。

公开(公告)号：US20100061150A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：US12318872

申请日：2009-01-12

申请人： Hsin-Hsien Wu ,  Yu-Mao Kao ,  Yung-Li Ji ,  Chih-Nan Yen ,  Fu-Ja Shone

发明人： Hsin-Hsien Wu ,  Yu-Mao Kao ,  Yung-Li Ji ,  Chih-Nan Yen ,  Fu-Ja Shone

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  G11C5/14

CPC分类号： G11C16/349

摘要： A flash memory system includes a path selector to determine to write to a non-volatile memory, a volatile memory or both the non-volatile memory and the volatile memory when the flash memory system is to write data. A record is stored in the non-volatile memory which is updated the status of the non-volatile memory after each one or more writing operations. When the flash memory system is powered on after a power loss, it could be recovered to a command executed prior to the power loss or to any checkpoint prior to the power loss by using the record.

摘要翻译： 闪速存储器系统包括路径选择器，用于在闪存系统要写入数据时确定写入非易失性存储器，易失性存储器或非易失性存储器和易失性存储器。 一个记录被存储在非易失性存储器中，在每个一个或多个写入操作之后更新非易失性存储器的状态。 当闪存系统在掉电后上电时，可以将其恢复到在掉电前执行的命令，或者通过使用该记录恢复到断电前的任何检查点。

公开(公告)号：US06838065B2

公开(公告)日：2005-01-04

申请号：US10425601

申请日：2003-04-30

申请人： Shu-Sung Lin ,  Bao-chang Lin ,  Hsin-Hsien Wu

发明人： Shu-Sung Lin ,  Bao-chang Lin ,  Hsin-Hsien Wu

IPC分类号： B01D53/86 ,  B01J23/745 ,  A62D3/00

CPC分类号： B01D53/8662 ,  B01D53/8659 ,  B01D2251/104 ,  B01J23/745 ,  Y02C20/30

摘要： A method for treating waste gas containing PFC and/or HFC, comprising contacting a mixture of gas waste containing PFC and/or HFC, ozone, and water with an iron oxide catalyst at a temperature between 50 and 300° C. by gas-solid contact to perform an oxidation reaction for reducing the amount of PFC and/or HFC. An apparatus for treating waste gas containing PFC or HFC is also provided. The operational temperature in the present invention is much lower than the prior art, and thus provides lower energy consumption and little risk of fire. The present invention is suitable for the treatment of waste gas containing PFC and/or HFC, especially for the removal of perfluorocompounds from the waste gas generated by semiconductor and photoelectrical product manufacturing plants.

摘要翻译： 一种用于处理含有PFC和/或HFC的废气的方法，包括在50至300℃的温度下，通过气固固体将含PFC和/或HFC，臭氧和水的废气混合物与氧化铁催化剂接触 接触以进行氧化反应以减少PFC和/或HFC的量。 还提供了一种用于处理含有PFC或HFC的废气的设备。 本发明的操作温度远低于现有技术，因此提供了较低的能量消耗和较小的火灾风险。 本发明适用于处理含有PFC和/或HFC的废气，特别是用于从半导体和光电产品制造厂产生的废气中除去全氟化合物。

公开(公告)号：US08716128B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13086542

申请日：2011-04-14

申请人： Chyi Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hung-Yi Kuo

发明人： Chyi Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hung-Yi Kuo

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76801 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76898

摘要： A method of forming a through-silicon-via (TSV) opening includes forming a TSV opening through a substrate. A recast of a material of the substrate on sidewalls of the TSV opening is removed with a first chemical. The sidewalls of the TSV opening are cleaned with a second chemical by substantially removing a residue of the first chemical.

摘要翻译： 形成贯通硅通孔（TSV）开口的方法包括通过基板形成TSV开口。 使用第一种化学物质去除在TSV开口的侧壁上的衬底的材料的重铸。 TSV开口的侧壁通过基本上除去第一种化学物质的残留物而用第二种化学品清洗。

公开(公告)号：US20130260484A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13431165

申请日：2012-03-27

申请人： Chyi-Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Hsin Yang ,  Ching-Hua Chiu

发明人： Chyi-Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Hsin Yang ,  Ching-Hua Chiu

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22

摘要： The present disclosure involves a method of fabricating a light-emitting diode (LED) wafer. The method first determines a target surface morphology for the LED wafer. The target surface morphology yields a maximum light output for LEDs on the LED wafer. The LED wafer is etched to form a roughened wafer surface. Thereafter, using a laser scanning microscope, the method investigates an actual surface morphology of the LED wafer. Afterwards, if the actual surface morphology differs from the target surface morphology beyond an acceptable limit, the method repeats the etching step one or more times. The etching is repeated by adjusting one or more etching parameters.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造发光二极管（LED）晶片的方法。 该方法首先确定LED晶片的目标表面形态。 目标表面形态为LED晶圆上的LED产生最大的光输出。 蚀刻LED晶片以形成粗糙的晶片表面。 此后，使用激光扫描显微镜，该方法研究了LED晶片的实际表面形态。 此后，如果实际的表面形态与目标表面形态不同，超过可接受的极限，则该方法重复一次或多次蚀刻步骤。 通过调整一个或多个蚀刻参数重复蚀刻。

公开(公告)号：US20130142720A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13444165

申请日：2012-04-11

申请人： Yu-Wen Chen ,  Hsien-Chang Yang ,  Hsin-Hsien Wu

发明人： Yu-Wen Chen ,  Hsien-Chang Yang ,  Hsin-Hsien Wu

IPC分类号： B01D53/44 ,  B01J23/66 ,  B82Y30/00

CPC分类号： B01J35/002 ,  B01D53/8668 ,  B01D2255/1023 ,  B01D2255/106 ,  B01D2255/2065 ,  B01D2255/9202 ,  B01D2255/9207 ,  B01D2257/708 ,  B01J23/66 ,  B01J35/006 ,  B01J35/1019 ,  B01J37/0201 ,  B01J37/0213 ,  B01J37/024 ,  B01J37/06 ,  B01J37/18 ,  B82Y30/00 ,  Y02A50/235

摘要： This invention declares the method of preparation of cerium oxide supported palladium-gold catalysts and the process of destruction of volatile organic compounds in air to remove volatile organic compounds using the above catalysts. Destruction of volatile organic compounds in air stream over these catalysts is carried out in a fixed bed reactor to remove volatile organic compounds in air.

摘要翻译： 本发明声明了制备氧化铈负载的钯 - 金催化剂的方法和使用上述催化剂在空气中破坏挥发性有机化合物以除去挥发性有机化合物的方法。 在这些催化剂中的空气流中挥发性有机化合物的破坏在固定床反应器中进行以除去空气中的挥发性有机化合物。

公开(公告)号：US08404572B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12370746

申请日：2009-02-13

申请人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

发明人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

摘要： An apparatus includes a process chamber configured to perform an ion implantation process. A cooling platen or electrostatic chuck is provided within the process chamber. The cooling platen or electrostatic chuck is configured to support a semiconductor wafer. The cooling platen or electrostatic chuck has a plurality of temperature zones. Each temperature zone includes at least one fluid conduit within or adjacent to the cooling platen or electrostatic chuck. At least two coolant sources are provided, each fluidly coupled to a respective one of the fluid conduits and configured to supply a respectively different coolant to a respective one of the plurality of temperature zones during the ion implantation process. The coolant sources include respectively different chilling or refrigeration units.

摘要翻译： 一种装置包括被配置为执行离子注入工艺的处理室。 在处理室内设有冷却台板或静电吸盘。 冷却台板或静电卡盘构造成支撑半导体晶片。 冷却台板或静电卡盘具有多个温度区域。 每个温度区域包括在冷却压板或静电卡盘内或附近的至少一个流体导管。 提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体耦合到相应的一个流体导管，并且构造成在离子注入过程期间将分别不同的冷却剂供应到多个温度区中的相应的一个温度区。 冷却剂源分别包括不同的冷却或制冷装置。

公开(公告)号：US08349628B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US13053701

申请日：2011-03-22

申请人： Yung-Chang Chen ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Ching-Wen Hsiao ,  Fu-Wen Liu ,  Kuang-Huan Hsu

发明人： Yung-Chang Chen ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Ching-Wen Hsiao ,  Fu-Wen Liu ,  Kuang-Huan Hsu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/505 ,  H01L25/167 ,  H01L33/486 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An embodiment of the disclosure includes a method of fabricating a plurality of light emitting diode devices. A plurality of LED dies is provided. The LED dies are bonded to a carrier substrate. A patterned mask layer comprising a plurality of openings is formed on the carrier substrate. Each one of the plurality of LED dies is exposed through one of the plurality of the openings respectively. Each of the plurality of openings is filled with a phosphor. The phosphor is cured. The phosphor and the patterned mask layer are polished to thin the phosphor covering each of the plurality of LED dies. The patterned mask layer is removed after polishing the phosphor.

摘要翻译： 本公开的实施例包括制造多个发光二极管器件的方法。 提供多个LED管芯。 LED管芯结合到载体衬底。 包含多个开口的图案化掩模层形成在载体衬底上。 多个LED管芯中的每一个分别通过多个开口中的一个露出。 多个开口中的每一个都填充有荧光体。 磷光体被固化。 对磷光体和图案化掩模层进行抛光以使覆盖多个LED管芯中的每一个的磷光体变薄。 在抛光荧光体之后去除图案化的掩模层。

公开(公告)号：US20120305956A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13150449

申请日：2011-06-01

申请人： Fu-Wen Liu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Chang Chen ,  Ming Shing Lee ,  Tzu-Wen Shih ,  Hsin-Hung Chen

发明人： Fu-Wen Liu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Chang Chen ,  Ming Shing Lee ,  Tzu-Wen Shih ,  Hsin-Hung Chen

IPC分类号： H01L33/44

CPC分类号： H01L33/0095 ,  H01L33/50 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014

摘要： The present disclosure provides a method of patterning a phosphor layer on a light emitting diode (LED) emitter. The method includes providing at least one LED emitter disposed on a substrate; forming a polymer layer over the at least one LED emitter; providing a mask over the polymer layer and the at least one LED emitter; etching the polymer layer through the mask to expose the at least one LED emitter within a cavity having polymer layer walls; and coating the at least one LED emitter with phosphor.

摘要翻译： 本公开提供了在发光二极管（LED）发射器上图案化磷光体层的方法。 该方法包括提供设置在基板上的至少一个LED发射器; 在所述至少一个LED发射器上形成聚合物层; 在所述聚合物层和所述至少一个LED发射器上提供掩模; 通过掩模蚀刻聚合物层，以在具有聚合物层壁的空腔内露出至少一个LED发射器; 以及用磷光体涂覆所述至少一个LED发射器。