公开(公告)号：US07745335B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US11614511

申请日：2006-12-21

申请人： Ju-Ai Ruan ,  Changming Jin ,  Sopa Chevacharoenkul ,  Satyavolu Papa Rao ,  Tae Seung Kim

发明人： Ju-Ai Ruan ,  Changming Jin ,  Sopa Chevacharoenkul ,  Satyavolu Papa Rao ,  Tae Seung Kim

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44 ,  B05D3/00

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/76883 ,  Y10S438/937

摘要： A method of fabricating an interconnect structure, comprising exposing an empty deposition chamber to a process that includes generating reactive species produced from a source gas in the presence of a plasma. The method further comprises terminating the plasma and then introducing a semiconductor substrate with a metal layer thereon into the chamber while the reactive species are present in the chamber.

摘要翻译： 一种制造互连结构的方法，包括将空的沉积室暴露于在等离子体存在下产生由源气体产生的反应物质的方法。 该方法还包括终止等离子体，然后将其上的金属层的半导体衬底引入室中，同时反应物质存在于室中。

公开(公告)号：US07187080B2

公开(公告)日：2007-03-06

申请号：US10964963

申请日：2004-10-14

申请人： Qing-Tang Jiang ,  Changming Jin ,  Joseph D. Luttmer

发明人： Qing-Tang Jiang ,  Changming Jin ,  Joseph D. Luttmer

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76844 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76888

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of providing a semiconductor substrate (202), forming a dielectric layer (204) over the semiconductor substrate (202), and etching a trench or a via (206) in the dielectric layer (204) to expose a portion of the surface of the semiconductor substrate (202). The method also includes the step of forming a conductive layer (212, 220) within in the trench or the via (206). The method further includes the steps of polishing a portion of the conductive layer (220) and annealing the conductive layer (212, 220) at a predetermined temperature. Moreover, the conductive layer (212, 220) also includes a dopant, and the dopant diffuses substantially to the surface of the top side of the conductive layer (212, 220) to form a dopant oxide layer (212a, 220a) when the conductive layer (212, 220) is annealed at the predetermined temperature and the dopant is exposed to oxygen.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供半导体衬底（202），在半导体衬底（202）上形成电介质层（204），并蚀刻电介质层（204）中的沟槽或通孔（206） ）以暴露半导体衬底（202）的表面的一部分。 该方法还包括在沟槽或通孔（206）内形成导电层（212,220）的步骤。 该方法还包括以下步骤：抛光导电层（220）的一部分并在预定温度下退火导电层（212,220）。 此外，导电层（212,220）还包括掺杂剂，并且掺杂剂基本上扩散到导电层（212,220）的顶侧的表面，以形成掺杂剂氧化物层（212a，220a），当 导电层（212,220）在预定温度下退火，掺杂剂暴露于氧气。

公开(公告)号：US06903000B2

公开(公告)日：2005-06-07

申请号：US10114778

申请日：2002-04-03

申请人： Jiong-Ping Lu ,  Qi-Zhong Hong ,  Tz-Cheng Chiu ,  Changming Jin ,  David Permana ,  Ting Tsui

发明人： Jiong-Ping Lu ,  Qi-Zhong Hong ,  Tz-Cheng Chiu ,  Changming Jin ,  David Permana ,  Ting Tsui

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883

摘要： Disclosed is a system for fabricating a semiconductor device (100). An interconnect structure (110) is formed on the semiconductor device (100) and a cap (112) is deposited over the interconnect structure (110). The interconnect structure (110) is annealed with the overlying cap (112) in place. The cap (112) is then removed after the interconnect structure (110) is annealed.

摘要翻译： 公开了一种用于制造半导体器件（100）的系统。 互连结构（110）形成在半导体器件（100）上，并且帽（112）沉积在互连结构（110）上。 互连结构（110）与上覆盖（112）退火就位。 然后在互连结构（110）退火之后去除盖（112）。

公开(公告)号：US06838300B2

公开(公告)日：2005-01-04

申请号：US10357560

申请日：2003-02-04

申请人： Changming Jin ,  Phillip D. Matz ,  Heungsoo Park ,  Patricia B. Smith ,  Andrew J. McKerrow

发明人： Changming Jin ,  Phillip D. Matz ,  Heungsoo Park ,  Patricia B. Smith ,  Andrew J. McKerrow

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

摘要： A method of forming an integrated circuit including an organosilicate low dielectric constant insulating layer (40) formed of a substitution group depleted silicon oxide, such as an organosilicate glass, is disclosed. Subsequent plasma processing has been observed to break bonds in such an insulating layer (40), resulting in molecules at the surface of the film with dangling bonds. Eventually, the damaged insulating layer (40) includes silanol molecules, which results in a degraded film. The disclosed method exposes the damaged insulating layer (40) to a thermally or plasma activated fluorine, hydrogen, or nitrogen, which reacts with the damaged molecules to form a passivated surface for the insulating layer (40).

摘要翻译： 公开了一种形成集成电路的方法，该集成电路包括由有机硅酸盐玻璃等取代基贫氧化硅形成的有机硅酸盐低介电常数绝缘层（40）。 已经观察到随后的等离子体处理破坏了这种绝缘层（40）中的结合，从而导致具有悬挂键的膜表面的分子。 最终，损坏的绝缘层（40）包括硅烷醇分子，这导致膜的退化。 所公开的方法将损坏的绝缘层（40）暴露于热或等离子体活化的氟，氢或氮，其与损坏的分子反应以形成绝缘层（40）的钝化表面。

公开(公告)号：US06800928B1

公开(公告)日：2004-10-05

申请号：US09087234

申请日：1998-05-28

申请人： Wei William Lee ,  Richard Scott List ,  Changming Jin

发明人： Wei William Lee ,  Richard Scott List ,  Changming Jin

IPC分类号： H01L2358

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76837 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A surface treatment for porous silica to enhance adhesion of overlying layers. Treatments include surface group substitution, pore collapse, and gap filling layer (520) which invades open surface pores (514) of xerogel (510).

摘要翻译： 用于多孔二氧化硅的表面处理以增强上覆层的粘附力。 处理包括侵入干凝胶（510）的开放表面孔（514）的表面取代，孔塌陷和间隙填充层（520）。

公开(公告)号：US06784121B1

公开(公告)日：2004-08-31

申请号：US09178249

申请日：1998-10-23

申请人： Changming Jin ,  Richard Scott List ,  Joseph D. Luttmer

发明人： Changming Jin ,  Richard Scott List ,  Joseph D. Luttmer

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L23/53295 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76837 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5222 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A xerogel aging system includes an aging chamber (190) with inlets and outlet and flows a gel catalyst in gas phase over a xerogel precursor film on a semiconductor wafer. Preferred embodiments use an ammonia and water vapor gas mixture catalyst.

摘要翻译： 干凝胶老化系统包括具有入口和出口的老化室（190），并且将气相中的凝胶催化剂在半导体晶片上的干凝胶前体膜上流动。 优选的实施方案使用氨和水蒸气混合催化剂。

公开(公告)号：US06723636B1

公开(公告)日：2004-04-20

申请号：US10447513

申请日：2003-05-28

申请人： Noel M. Russell ,  Kenneth Joseph Newton ,  Changming Jin

发明人： Noel M. Russell ,  Kenneth Joseph Newton ,  Changming Jin

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7681 ,  H01L2221/1031

摘要： According to one embodiment of the invention, a method for forming multiple layers of a semiconductor device is provided. The method includes defining a via through a dielectric layer that overlies a first layer. The first layer comprises a conductive portion that at least partly underlies the via. The method also includes overfilling the via with a dielectric material to form a second layer that overlies the dielectric layer. The method also includes forming a trench that is connected to the via by etching through the second layer and the dielectric material in the via.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，提供了一种用于形成半导体器件的多层的方法。 该方法包括通过覆盖在第一层上的电介质层限定通孔。 第一层包括至少部分地位于通孔下方的导电部分。 该方法还包括用电介质材料过填充通孔以形成覆盖在电介质层上的第二层。 该方法还包括通过蚀刻穿过第二层和通孔中的介电材料形成连接到通孔的沟槽。

公开(公告)号：US6008540A

公开(公告)日：1999-12-28

申请号：US87458

申请日：1998-05-28

申请人： Jiong-Ping Lu ,  Changming Jin

发明人： Jiong-Ping Lu ,  Changming Jin

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L23/58 ,  H01L47/00

CPC分类号： H01L21/76819 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76837 ,  H01L23/296 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L21/3105 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002

摘要： A surface treatment for porous silica to enhance adhesion of overlying layers. Treatments include surface group substitution, pore collapse, and gap filling layer (520) which invades open surface pores (514) of xerogel (510).