公开(公告)号：US20130134033A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13529165

申请日：2012-06-21

申请人： In Woong Lyo ,  Woong Pyo Hong ,  Kwang Hoon Choi ,  Hyuk Kang ,  Sang Jin Park ,  Yoon Suk Oh

发明人： In Woong Lyo ,  Woong Pyo Hong ,  Kwang Hoon Choi ,  Hyuk Kang ,  Sang Jin Park ,  Yoon Suk Oh

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/025 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/14 ,  C23C14/32 ,  C23C14/325 ,  C23C14/345 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  C23C14/586 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/42 ,  C23F15/00

摘要： Disclosed is a method and apparatus for forming a coating layer using a physical vapor deposition apparatus equipped with a sputtering apparatus and an arc ion plating apparatus, comprising: a first coating step of forming a Mo coating layer on a base material using a the sputtering apparatus and a Mo target and Ar gas; a nitrating step of forming a nitride film forming condition using an arc ion plating apparatus and Ar gas and N2 gas; a second coating step of forming a nano composite coating layer of Cr—Mo—N using the Mo target and Ar gas of the sputtering apparatus and the Ar gas, N2 gas and a Cr source of the arc ion plating apparatus at the same time; and a multi-coating step of forming a multi-layer having alternating Cr—Mo—N nano composite coating layers and Mo coating layers by revolving the base material around a central pivot.

摘要翻译： 公开了一种使用具有溅射装置和电弧离子镀装置的物理气相沉积装置形成涂层的方法和装置，包括：第一涂覆步骤，使用溅射装置在基材上形成Mo涂层 和Mo靶和Ar气; 使用电弧离子镀装置和Ar气体和N 2气体形成氮化物成膜条件的硝化步骤; 使用溅射装置的Mo靶和Ar气体以及电弧离子电镀装置的Ar气体，N 2气体和Cr源同时形成Cr-Mo-N的纳米复合涂层的第二涂覆步骤; 以及通过使基材围绕中心枢轴旋转而形成具有交替的Cr-Mo-N纳米复合涂层和Mo涂层的多层的多涂层步骤。

公开(公告)号：US07842588B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US12528042

申请日：2008-02-21

申请人： Moshe Einav

发明人： Moshe Einav

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C23C14/0617 ,  C23C14/0026 ,  C23C14/14 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/586 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： A method for forming a group-III metal nitride material film attached to a substrate including subjecting the substrate to an ambient pressure of no greater than 0.01 Pa, and heating the substrate to a temperature of between approximately 500° C.-800° C. The method further includes introducing a group III metal vapor to the surface of the substrate at a base pressure of at least 0.01 Pa, until a plurality of group III metal drops form on the surface, and introducing active nitrogen to the surface at a working pressure of between 0.05 Pa and 2.5 Pa, until group III metal nitride molecules form on the group III metal drops. The method also includes maintaining the working pressure and the active nitrogen until the group III metal nitride molecules diffuse into the group III metal drops, forming nitride/metal solution drops, and until the nitride/metal solution drops turn into a wetting layer on the substrate, and continuing to increase the concentration of group III metal nitride molecules in the wetting layer until all the group III metal atoms contained in the wetting layer are exhausted, and the wetting layer transforms into a group III metal nitride film.

摘要翻译： 一种用于形成附着在基板上的III族金属氮化物材料膜的方法，包括使基板经受不大于0.01Pa的环境压力，并将基板加热至约500℃-800℃之间的温度。 该方法还包括在至少0.01Pa的基础压力下将III族金属蒸气引入基材表面，直到在表面上形成多个III族金属液滴，并在工作压力下将活性氮引入表面 在0.05Pa和2.5Pa之间，直到III族金属氮化物分子在III族金属液滴上形成。 该方法还包括维持工作压力和活性氮，直到III族金属氮化物分子扩散到III族金属液滴中，形成氮化物/金属溶液滴，并且直到氮化物/金属溶液滴变成衬底上的润湿层 并且继续增加润湿层中III族金属氮化物分子的浓度，直到润湿层中包含的所有III族金属原子被排出，并且润湿层转变成III族金属氮化物膜。

公开(公告)号：US20100287781A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：US12779354

申请日：2010-05-13

申请人： Kenneth James Skrobis

发明人： Kenneth James Skrobis

IPC分类号： B26B21/60 ,  B05D3/10

CPC分类号： B26B21/60 ,  B26B21/4068 ,  C23C8/24 ,  C23C14/12 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/35 ,  C23C14/586 ,  C23C28/00 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/341 ,  C23C28/343 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  C23C28/347

摘要： A razor blade that includes a substrate with a cutting edge, the substrate includes (a) a thin-film of a first material disposed thereon, the thin-film having a thickness less than 1 μm; (b) a mixed nitride-thin-film interregion disposed at or adjacent a surface of the thin-film and a surface of the substrate; and (c) a nitride region disposed adjacent the mixed nitride-thin-film interregion.

摘要翻译： 一种包括具有切割刃的基板的剃刀刀片，所述基板包括（a）设置在其上的第一材料的薄膜，所述薄膜的厚度小于1μm; （b）设置在所述薄膜的表面上或邻近所述薄膜的表面和所述基板的表面的混合的氮化物 - 薄膜区域; 和（c）邻近混合氮化物 - 薄膜区域设置的氮化物区域。

公开(公告)号：US07833637B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US11961415

申请日：2007-12-20

申请人： Stéphane Tuffe ,  Alain Coudurier

发明人： Stéphane Tuffe ,  Alain Coudurier

IPC分类号： A47J27/00

CPC分类号： C23C14/165 ,  C23C14/0015 ,  C23C14/5846 ,  C23C14/586 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/12951 ,  Y10T428/12972 ,  Y10T428/12979

摘要： Food cooking surface for a kitchen utensil or cooking appliance, constituted by the surface of a compound fabricated starting from an alloy whose two principal components are zirconium and cobalt.

摘要翻译： 用于厨房用具或烹饪器具的食物烹饪表面，由从两种主要成分为锆和钴的合金开始制备的化合物的表面构成。

公开(公告)号：US07820019B2

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：US11500894

申请日：2006-08-09

申请人： Jochen Butz ,  Vijayen S. Veerasamy ,  Scott V. Thomsen ,  Anton Dietrich

发明人： Jochen Butz ,  Vijayen S. Veerasamy ,  Scott V. Thomsen ,  Anton Dietrich

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C03C17/36 ,  B32B17/10036 ,  B32B17/10174 ,  B32B17/10761 ,  C03C17/002 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C03C17/3694 ,  C03C2217/78 ,  C03C2218/154 ,  C03C2218/32 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3442 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5833 ,  C23C14/586

摘要： A coated article is provided that may be used as a vehicle windshield, insulating glass (IG) window unit, or the like. An ion beam is used to treat an infrared (IR) reflecting layer(s) of such a coated article. Advantageously, this has been found to improve sheet resistance (Rs) properties, emittance, solar control properties, and/or durability of the coated article.

摘要翻译： 提供了可用作车辆挡风玻璃，中空玻璃（IG）窗单元等的涂覆制品。 使用离子束来处理这种涂覆制品的红外（IR）反射层。 有利的是，已经发现这已经提高了涂层制品的薄层电阻（Rs）性质，发射率，太阳能控制性能和/或耐久性。

公开(公告)号：US07763153B2

公开(公告)日：2010-07-27

申请号：US11524449

申请日：2006-09-21

申请人： Eiji Takahashi ,  Hirokazu Kaki

发明人： Eiji Takahashi ,  Hirokazu Kaki

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： C23C14/165 ,  C23C14/544 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/586 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631

摘要： A hydrogen gas is supplied into a deposition chamber accommodating a silicon sputter target and a deposition target object, a high-frequency power is applied to said gas to generate plasma exhibiting Hα/SiH* from 0.3 to 1.3 between an emission spectral intensity Hα of hydrogen atom radicals at a wavelength of 656 nm and an emission spectral intensity SiH* of silane radicals at a wavelength of 414 nm in plasma emission, and chemical sputtering is effected on the silicon sputter target by the plasma to form a crystalline silicon thin film on the deposition target object. Thereafter a high-frequency power is applied to a terminally treating gas to generate plasma for terminating treatment and the surface of the crystalline silicon thin film is terminally treated by the plasma in the terminally treating chamber.

摘要翻译： 将氢气供给到容纳硅溅射靶和沉积靶物体的沉积室中，向所述气体施加高频电力，以产生0.3〜1.3的Hα/ SiH *等离子体的等离子体的发射光谱强度Hα 在等离子体发射下，在波长为656nm的原子团和硅烷自由基的发射光谱强度SiH *为414nm，通过等离子体在硅溅射靶上进行化学溅射，以在硅溅射靶上形成晶体硅薄膜 沉积目标物体。 此后，将高频电力施加到末端处理气体以产生用于终止处理的等离子体，并且通过末端处理室中的等离子体终止结晶硅薄膜的表面。

公开(公告)号：US07641978B2

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US11642619

申请日：2006-12-21

申请人： Vijayen S. Veerasamy

发明人： Vijayen S. Veerasamy

IPC分类号： B32B17/06

CPC分类号： C23C14/3442 ,  B32B17/10036 ,  B32B17/10174 ,  B32B17/10761 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C03C17/3694 ,  C03C2217/78 ,  C03C2218/154 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5833 ,  C23C14/586

摘要： A coated article is provided that may be used as a vehicle windshield, insulating glass (IG) window unit, or the like. An ion beam is used during at least part of forming an infrared (IR) reflecting layer(s) of such a coated article. Advantageously, this has been found to improve sheet resistance (Rs) properties, solar control properties, and/or durability of the coated article. Other layers may also be ion beam treated in certain example embodiments.

摘要翻译： 提供了可用作车辆挡风玻璃，中空玻璃（IG）窗单元等的涂覆制品。 在形成这种涂层制品的红外（IR）反射层的至少一部分期间使用离子束。 有利地，已经发现这已经提高了涂层制品的薄层电阻（Rs）性能，太阳能控制性能和/或耐久性。 在某些示例性实施例中，其它层也可以进行离子束处理。

公开(公告)号：US20080213619A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US11850297

申请日：2007-09-05

申请人： Philos Jongho Ko ,  Bongsub Samuel Ko

发明人： Philos Jongho Ko ,  Bongsub Samuel Ko

IPC分类号： B32B15/00 ,  C25D11/26 ,  C23C10/24 ,  C25D5/00

CPC分类号： C23C12/02 ,  A63B49/02 ,  A63B49/12 ,  A63B53/00 ,  A63B53/12 ,  A63B57/50 ,  A63B59/50 ,  A63B2102/18 ,  A63B2209/00 ,  A63C5/12 ,  C23C14/586 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/31518

摘要： A method for diffusing titanium and nitride into a sports equipment component. The method generally includes the steps of providing a sports equipment component providing a salt bath which includes sodium dioxide and a salt selected from the group consisting of sodium cyanate and potassium cyanate; dispersing metallic titanium formed by electrolysis of a titanium compound in the bath, heating the salt bath to a temperature ranging from about 430° C. to about 670° C.; and soaking the sports equipment component in the salt bath for a time of from about 10 minutes to about 24 hours. In accordance with another aspect of the present invention, the sports equipment component may further be treated with conventional surface treatments or coatings.

摘要翻译： 一种用于将钛和氮化物扩散到运动器材部件中的方法。 该方法通常包括以下步骤：提供提供盐浴的运动器材部件，其包括二氧化钠和选自氰酸钠和氰酸钾的盐; 将通过电解钛化合物形成的金属钛分散在浴中，将盐浴加热至约430℃至约670℃的温度; 并将运动器材部件浸泡在盐浴中约10分钟至约24小时。 根据本发明的另一方面，运动器材部件还可以用常规的表面处理或涂层进行处理。

公开(公告)号：US20070069401A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11520744

申请日：2006-09-14

申请人： Tetsuya Kakehata

发明人： Tetsuya Kakehata

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02244 ,  C23C8/36 ,  C23C14/028 ,  C23C14/16 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/586 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/20 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31683 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L27/13 ,  H01L29/4908

摘要： There is provided a semiconductor device, in which characteristics of the semiconductor device are improved by thinning a gate insulating film and a leak current can be reduced, and a manufacturing method thereof. An aluminum film which is a metal film is formed over a polycrystalline semiconductor film, and plasma oxidizing treatment is performed to the aluminum film, whereby an aluminum oxide film is formed by oxidizing the aluminum film, and a silicon oxide film is formed between the polycrystalline semiconductor film and the aluminum oxide film.

摘要翻译： 提供一种半导体器件，其中半导体器件的特性通过使栅极绝缘膜变薄而得到改善，并且可以降低泄漏电流及其制造方法。 在多晶半导体膜上形成作为金属膜的铝膜，对铝膜进行等离子体氧化处理，由此通过氧化铝膜形成氧化铝膜，在多晶半导体层之间形成氧化硅膜 半导体膜和氧化铝膜。

公开(公告)号：US20060166476A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11339416

申请日：2006-01-25

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

IPC分类号： H01L21/471

CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/586 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： In a method of manufacturing a dielectric structure, after a first dielectric layer is formed on a substrate by using a metal oxide doped with silicon, the substrate is placed on a susceptor of a chamber. By treating the first dielectric layer with a plasma in controlling a voltage difference between the susceptor and a ground, a second dielectric layer is formed on the first dielectric layer. The second dielectric layer including a metal oxynitride doped with silicon having enough content of nitrogen is formed on the first dielectric layer. Therefore, dielectric properties of the dielectric structure comprising the first and the second dielectric layers can be improved and a leakage current can be greatly decreased. By adapting the dielectric structure to a gate insulation layer and/or to a dielectric layer of a capacitor or of a non-volatile semiconductor memory device, capacitances and electrical properties can be improved.

摘要翻译： 在制造电介质结构的方法中，在通过使用掺杂有硅的金属氧化物在基板上形成第一介电层之后，将基板放置在室的基座上。 通过在控制基座和接地之间的电压差的同时用等离子体处理第一电介质层，在第一电介质层上形成第二电介质层。 在第一电介质层上形成包括掺杂有足够的氮含量的硅的金属氮氧化物的第二电介质层。 因此，可以提高包括第一和第二电介质层的电介质结构的介电性能，并且可以大大降低泄漏电流。 通过使电介质结构适应于栅极绝缘层和/或电容器或非易失性半导体存储器件的电介质层，可以提高电容和电性能。