公开(公告)号：US20050218437A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US11089431

申请日：2005-03-24

申请人： Mayumi Ueno ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Mayumi Ueno ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： B41J2/16 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/135 ,  B41J2/14 ,  C01B13/32 ,  C04B35/00 ,  C04B35/495 ,  C23C18/12 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/76 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/318 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43 ,  H02N2/00

CPC分类号： C23C18/1254 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/318

摘要： By designing the structure of ferroelectric constituting elements in a raw material solution for a ferroelectric thin film, the crystallization temperature is lowered. A raw material solution forms the ferroelectric shown by a general formula of ABO3, and includes a sol-gel raw material, and a MOD raw material having a stoichiometric composition of at least an element B that is identical with the sol-gel raw material.

摘要翻译： 通过在铁电薄膜的原料溶液中设计铁电构成元件的结构，结晶温度降低。 原料溶液形成由通式ABO 3所示的铁电体，并且包括溶胶 - 凝胶原料和至少具有相同的元素B的化学计量组成的MOD原料 与溶胶凝胶原料。

公开(公告)号：US20050213364A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US11089365

申请日：2005-03-24

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C11/22 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC分类号： G11C11/22 ,  H01L27/101

摘要： A method for reading a nondestructive readout type ferroelectric memory device including a process in which 1-bit data is written in a pair of a cell for storage and a cell for reference disposed in series in the ferroelectric memory device, and a process in which a response obtained when a pulse is impressed to the 1-bit data written in the pair of a cell for storage and a cell for reference is resonated by a resonant circuit with a specified resonance frequency provided at a readout side to thereby output an output signal to be nondestructively readout.

摘要翻译： 一种用于读取非破坏性读出型铁电存储器件的方法，包括将1位数据写入用于存储的单元格和用于参考的用于参考的单元格串联布置在铁电存储器件中的处理， 在写入用于存储的单元对的1比特数据中施加脉冲并且通过设置在读出侧的规定的共振频率的谐振电路使参考的单元谐振，从而将输出信号输出到 非破坏性读出。

公开(公告)号：US20050072996A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：US10743716

申请日：2003-12-24

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691

摘要： A ferroelectric thin film formed of a highly oriented polycrystal in which 180° domains and 90° domains arrange at a constant angle to an applied electric field direction in a thin film plane and reversely rotate in a predetermined electric field.

摘要翻译： 由高取向多晶形成的铁电薄膜，其中180°畴和90°畴以与薄膜平面中所施加的电场方向成一定角度排列，并在预定电场中反向旋转。

公开(公告)号：US20050068713A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10925900

申请日：2004-08-25

申请人： Setsuya Iwashita ,  Motohisa Noguchi ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Setsuya Iwashita ,  Motohisa Noguchi ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01G4/20 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/1263 ,  H01G4/33 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/65

摘要： A capacitor includes a first electrode and a second electrode, and a dielectric layer sandwiched between the first electrode and the second electrode, wherein the dielectric layer includes Pb(ZrxTiyMz)O3 (where M is at least one material selected from Nb, Ta, and V, and x+y+z=1).

摘要翻译： 电容器包括第一电极和第二电极以及夹在第一电极和第二电极之间的电介质层，其中介电层包括Pb（Zr x Ti y Mn z）O 3（其中M是选自Nb，Ta和 V，x + y + z = 1）。

公开(公告)号：US09144975B2

公开(公告)日：2015-09-29

申请号：US13037583

申请日：2011-03-01

申请人： Yasuaki Hamada

发明人： Yasuaki Hamada

IPC分类号： B41J2/45 ,  B41J2/14 ,  C04B35/26 ,  C04B35/626 ,  H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  C23C18/12 ,  H01L41/318

CPC分类号： B41J2/14233 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14419 ,  B41J2002/14491 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/26 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C23C18/1216 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： A piezoelectric element having a piezoelectric layer and electrodes. The piezoelectric layer is 3 μm or less in thickness. The piezoelectric layer is made of a piezoelectric material containing a perovskite compound including bismuth manganate ferrate and barium titanate. The piezoelectric layer is preferentially oriented with the (110) plane. A full width at half maximum of the X-ray diffraction peak attributed to the (110) plane is 0.24° or more and 0.28° or less.

摘要翻译： 具有压电层和电极的压电元件。 压电层的厚度为3μm以下。 该压电层由含有包括锰酸铋铁酸盐铋和钛酸钡的钙钛矿化合物的压电材料制成。 压电层优先用（110）面取向。 归因于（110）面的X射线衍射峰的半峰全宽为0.24°以上且0.28°以下。

公开(公告)号：US08851635B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13038320

申请日：2011-03-01

申请人： Yasuaki Hamada

发明人： Yasuaki Hamada

IPC分类号： B41J2/045 ,  H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  B41J2/14 ,  H01L41/318

CPC分类号： B41J2/045 ,  B41J2/14233 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： There are provided a piezoelectric element comprising a first electrode, a piezoelectric layer and a second electrode, the piezoelectric layer is made of a piezoelectric material that contains a bismuth ferrite and silicon dioxide.

摘要翻译： 提供了包括第一电极，压电层和第二电极的压电元件，压电层由含有铋铁氧体和二氧化硅的压电材料制成。

公开(公告)号：US07646073B2

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US11680111

申请日：2007-02-28

申请人： Yasuaki Hamada

发明人： Yasuaki Hamada

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L27/11502

摘要： A ferroelectric capacitor includes: a base substrate; a buffer layer formed above the base substrate; a lower electrode formed above the buffer layer; a ferroelectric layer formed above the lower electrode; and an upper electrode formed above the ferroelectric layer, wherein the buffer layer includes titanium (Ti) and cobalt (Co) as metal elements, and a metal element ratio x is 0.05≦x

摘要翻译： 铁电电容器包括：基底; 形成在所述基底基板上的缓冲层; 形成在缓冲层上的下电极; 形成在下电极上方的铁电层; 和形成在铁电体层上方的上电极，其中缓冲层包括钛（Ti）和钴（Co）作为金属元素，金属元素比x为0.05 <= x <1，当Ti：Co = 1-x ：X。

公开(公告)号：US07524451B2

公开(公告)日：2009-04-28

申请号：US11504255

申请日：2006-08-15

申请人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： B28B1/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3, the insulating target material including an oxide of an element A, an oxide of an element B, and at least one of an Si compound and a Ge compound.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料，包括元素A的氧化物，元素B的氧化物，以及Si化合物和Ge化合物中的至少一种的绝缘靶材料。

公开(公告)号：US07371473B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11286286

申请日：2005-11-25

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

IPC分类号： B32B9/00

CPC分类号： C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01B1/08 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A ferroelectric film is formed by an oxide that is described by a general formula AB1-xNbxO3. An A element includes at least Pb, and a B element includes at least one of Zr, Ti, V, W, Hf and Ta. The ferroelectric film includes Nb within the range of: 0.05 ≦x

摘要翻译： 铁氧体膜由通式AB 1-x N x O 3 O 3所描述的氧化物形成。 A元素至少包含Pb，B元素包括Zr，Ti，V，W，Hf和Ta中的至少一种。 铁电体膜包括在0.05 <= x <1的范围内的Nb。 铁电薄膜可用于1T1C，2T2C和简单矩阵类型的铁电存储器。

公开(公告)号：US07262450B2

公开(公告)日：2007-08-28

申请号：US11108933

申请日：2005-04-19

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/28291 ,  H01L21/28167 ,  H01L29/495 ,  H01L29/516 ,  H01L29/78391

摘要： A MFS type field effect transistor includes a semiconductor layer, a PZT system ferroelectric layer formed on the semiconductor layer, a gate electrode formed on the PZT system ferroelectric layer, and an impurity layer composing a source or a drain, formed in the semiconductor layer. The PZT system ferroelectric layer includes Nb that replaces a Ti composition by 2.5 mol % or more but 40 mol % or less.

摘要翻译： MFS型场效应晶体管包括半导体层，形成在半导体层上的PZT系铁电层，形成在PZT系铁电层上的栅电极和构成源极或漏极的杂质层，形成在半导体层中。 PZT系铁电体层包含将Ti成分替换为2.5摩尔％以上且40摩尔％以下的Nb。