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    Method for Laterally Cutting Through a Semiconductor Wafer and Optoelectronic Component
    31.
    发明申请
    Method for Laterally Cutting Through a Semiconductor Wafer and Optoelectronic Component 有权
    用于横向切割半导体晶片和光电元件的方法

    公开(公告)号：US20090290610A1

    公开(公告)日：2009-11-26

    申请号：US11991488

    申请日：2006-08-07

    申请人： Christoph Eichler ,  Volker Härle

    发明人： Christoph Eichler ,  Volker Härle

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01L21/30 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01S5/0201 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for laterally dividing a semiconductor wafer (1) comprises the method steps of: providing a growth substrate (2); epitaxially growing a semiconductor layer sequence (3), which comprises a functional semiconductor layer (5), onto the growth substrate (2); applying a mask layer (10) to partial regions of the semiconductor layer sequence (3) in order to produce masked regions (11) and unmasked regions (12); implanting ions through the unmasked regions (12) in order to produce implantation regions (13) in the semiconductor wafer (1); and dividing the semiconductor wafer (1) along the implantation regions (13), wherein the growth substrate (2) or at least one part of the growth substrate (2) is separated from the semiconductor wafer.

    摘要翻译： 一种用于横向分割半导体晶片（1）的方法包括以下方法步骤：提供生长衬底（2）; 在生长衬底（2）上外延生长包括功能半导体层（5）的半导体层序列（3）; 将掩模层（10）施加到所述半导体层序列（3）的部分区域以产生掩蔽区域（11）和未屏蔽区域（12）; 通过未掩模区域（12）注入离子，以便在半导体晶片（1）中产生注入区域（13）; 以及沿着所述注入区域（13）划分所述半导体晶片（1），其中所述生长衬底（2）或所述生长衬底（2）的至少一部分与所述半导体晶片分离。

    Optoelectronic Component
    36.
    发明申请
    Optoelectronic Component 有权
    光电元件

    公开(公告)号：US20100296538A1

    公开(公告)日：2010-11-25

    申请号：US12679892

    申请日：2008-08-29

    申请人： Matthias Sabathil ,  Peter Brick ,  Christoph Eichler

    发明人： Matthias Sabathil ,  Peter Brick ,  Christoph Eichler

    IPC分类号： H01S5/343

    CPC分类号： H01S5/041 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/34 ,  H01S5/4043

    摘要： An optoelectronic component (1) is specified, comprising a semiconductor body (2) with a semiconductor layer sequence. The semiconductor layer sequence of the semiconductor body (2) comprises a pump region (3) provided for generating a pump radiation and an emission region (4) provided for generating an emission radiation. The emission region (4) and the pump region (3) are arranged one above the other. The pump radiation optically pumps the emission region (4) during operation of the optoelectronic component (1). The emission radiation emerges from the semiconductor body (2) with the semiconductor layer sequence in a lateral direction during operation of the optoelectronic component (1).

    摘要翻译： 规定了光电子部件（1），其包括具有半导体层序列的半导体本体（2）。 半导体本体（2）的半导体层序列包括用于产生泵浦辐射的泵浦区域（3）和用于产生发射辐射的发射区域（4）。 发射区域（4）和泵浦区域（3）彼此上下排列。 在光电子部件（1）的操作期间，泵浦辐射光学泵浦发射区域（4）。 在光电子部件（1）的操作期间，发射辐射从半导体本体（2）出射，半导体层序列沿横向方向。

    Optoelectronic semiconductor chip
    39.
    发明授权
    Optoelectronic semiconductor chip 有权
    光电半导体芯片

    公开(公告)号：US08916849B2

    公开(公告)日：2014-12-23

    申请号：US13579259

    申请日：2011-02-23

    申请人： Christoph Eichler ,  Teresa Lermer ,  Adrian Stefan Avramescu

    发明人： Christoph Eichler ,  Teresa Lermer ,  Adrian Stefan Avramescu

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01S5/20 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/00 ,  H01S5/065 ,  H01S5/343

    CPC分类号： H01S5/2018 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

    摘要： An optoelectronic semiconductor chip, the latter includes a carrier and a semiconductor layer sequence grown on the carrier. The semiconductor layer sequence is based on a nitride-compound semiconductor material and contains at least one active zone for generating electromagnetic radiation and at least one waveguide layer, which indirectly or directly adjoins the active zone. A waveguide being formed. In addition, the semiconductor layer sequence includes a p-cladding layer adjoining the waveguide layer on a p-doped side and/or an n-cladding layer on an n-doped side of the active zone. The waveguide layer indirectly or directly adjoins the cladding layer. An effective refractive index of a mode guided in the waveguide is in this case greater than a refractive index of the carrier.

    摘要翻译： 光电子半导体芯片，后者包括在载体上生长的载体和半导体层序列。 半导体层序列基于氮化物化合物半导体材料，并且包含至少一个用于产生电磁辐射的活性区和间接或直接邻接活性区的至少一个波导层。 形成的波导。 此外，半导体层序列包括邻接p掺杂侧的波导层和/或有源区的n掺杂侧上的n包层的p包层。 波导层间接或直接邻接包层。 在这种情况下，在波导中引导的模式的有效折射率大于载体的折射率。