公开(公告)号：US20090324928A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12215522

申请日：2008-06-26

申请人： Vijayakumar Ramachandrarao ,  Grant Kloster ,  Boyan Boyanov

发明人： Vijayakumar Ramachandrarao ,  Grant Kloster ,  Boyan Boyanov

IPC分类号： G21G5/00 ,  B32B5/18

CPC分类号： H01L21/3105 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249978

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include removing a portion of at least one of Si—C bonds and CHx bonds in a dielectric material comprising a porogen material by reaction with a wet chemical, wherein the portion of Si—C and CHx bonds are converted to Si—H bonds. The Si—H bonds may be further hydrolyzed to form SiOH linkages. The SiOH linkages may then be removed by a radiation based cure, wherein a portion of the porogen material is also removed.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施方案包括通过与湿化学品反应除去包含致孔剂材料的电介质材料中的至少一个Si-C键和CHx键的一部分，其中Si-C和CHx键的部分转化为Si- H债券。 可以进一步水解Si-H键以形成SiOH键。 然后可以通过基于辐射的固化来除去SiOH键，其中一部分致孔剂材料也被除去。

公开(公告)号：US20090212421A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12037625

申请日：2008-02-26

申请人： Kunal Shah ,  Michael Haverty ,  Sadasivan Shankar ,  Doug Ingerly ,  Grant Kloster

发明人： Kunal Shah ,  Michael Haverty ,  Sadasivan Shankar ,  Doug Ingerly ,  Grant Kloster

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/02118 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Polymer interlayer dielectric and passivation materials for a microelectronic device are generally described. In one example, an apparatus includes one or more interconnect structures of a microelectronic device and one or more polymeric dielectric layers coupled with the one or more interconnect structures, the polymeric dielectric layers including copolymer backbones having a first monomeric unit and a second monomeric unit wherein the first monomeric unit has a different chemical structure than the second monomeric unit and wherein the copolymer backbones are cross-linked by a first cross-linker or a second cross-linker, or combinations thereof.

摘要翻译： 通常描述用于微电子器件的聚合物层间电介质和钝化材料。 在一个示例中，装置包括微电子器件的一个或多个互连结构以及与一个或多个互连结构耦合的一个或多个聚合物电介质层，所述聚合物电介质层包括具有第一单体单元和第二单体单元的共聚物主链，其中 第一单体单元具有与第二单体单元不同的化学结构，并且其中共聚物主链通过第一交联剂或第二交联剂或其组合交联。

公开(公告)号：US07560165B2

公开(公告)日：2009-07-14

申请号：US11147909

申请日：2005-06-07

申请人： Grant Kloster ,  Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner ,  Kevin P. O'brien ,  Don Bruner

发明人： Grant Kloster ,  Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner ,  Kevin P. O'brien ,  Don Bruner

IPC分类号： B32B9/04 ,  B32B3/26

CPC分类号： B32B3/26 ,  B32B2310/12 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/76814 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/249993 ,  Y10T428/31663

摘要： Method and structure for minimizing the downsides associated with microelectronic device processing adjacent porous dielectric materials are disclosed. In particular, chemical protocols are disclosed wherein porous dielectric materials may besealed by attaching coupling agents to the surfaces of pores. The coupling agents may form all or part of caps on reactive groups in the dielectric surface or may crosslink to seal pores in the dielectric.

摘要翻译： 公开了用于最小化与邻近多孔电介质材料的微电子器件处理有关的缺点的方法和结构。 特别地，公开了化学方案，其中多孔介电材料可以通过将偶联剂附着到孔的表面而进行加压。 偶联剂可以在电介质表面中的反应性基团上形成全部或部分盖，或者可以交联以密封电介质中的孔。

公开(公告)号：US07422020B2

公开(公告)日：2008-09-09

申请号：US11479519

申请日：2006-06-30

申请人： Vijayakumar Ramachandrarao ,  Grant Kloster

发明人： Vijayakumar Ramachandrarao ,  Grant Kloster

IPC分类号： B08B6/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： C03C17/007 ,  C03C2217/425

摘要： A porous dielectric layer is formed on a substrate. Aluminum is incorporated in the porous dielectric layer with a pattern process using an Aluminum gas precursor. The incorporated Aluminum improves the mechanical properties of the porous dielectric layer.

摘要翻译： 在基板上形成多孔介电层。 铝通过使用铝气体前体的图案方法结合在多孔介电层中。 结合的铝改善了多孔介电层的机械性能。

公开(公告)号：US07335586B2

公开(公告)日：2008-02-26

申请号：US11150498

申请日：2005-06-10

申请人： Vijayakumar S. RamachandraRao ,  Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Hyun-Mog Park

发明人： Vijayakumar S. RamachandraRao ,  Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Hyun-Mog Park

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

摘要： A method for sealing a porous dielectric layer atop a substrate, wherein the dielectric layer is patterned to form at least a trench and at least a via, comprises applying a first plasma to a surface of the dielectric layer to silanolize the surface, treating the surface of the dielectric layer with a silazane to form a monolayer of silane molecules on the surface, and applying a second plasma to the surface of the dielectric layer to induce a polymerization of at least a portion of the silane molecules. The polymerized silane molecules form a cross-linked matrix that builds over a substantial portion of the surface of the dielectric layer and seals at least some of the exposed pores.

摘要翻译： 一种用于在衬底顶部密封多孔电介质层的方法，其中所述介电层被图案化以形成至少沟槽和至少通孔，包括将第一等离子体施加到所述电介质层的表面以使所述表面硅烷醇化，处理所述表面 的介电层与硅氮烷反应以在表面上形成单层的硅烷分子，并将第二等离子体施加到电介质层的表面以引起至少一部分硅烷分子的聚合。 聚合的硅烷分子形成交联的基质，其形成在电介质层的表面的大部分上并且密封至少一些暴露的孔。

公开(公告)号：US07217595B2

公开(公告)日：2007-05-15

申请号：US10791492

申请日：2004-03-01

申请人： Patrick Morrow ,  Grant Kloster

发明人： Patrick Morrow ,  Grant Kloster

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/02

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00

摘要： The invention provides a sealing layer that seals metal bonding structures between three dimensional bonded integrated circuits from a surrounding environment. A material may be applied to fill a volume between the bonded integrated circuits or seal the perimeter of the volume between the bonded integrated circuits. The material may be the same material as that used for underfilling the volume between the bottom integrated circuit and a substrate.

摘要翻译： 本发明提供一种密封层，其密封来自周围环境的三维结合集成电路之间的金属结合结构。 可以施加材料以填充结合的集成电路之间的体积，或者密封结合的集成电路之间的体积的周长。 该材料可以与用于底部集成电路和基板之间的体积填充所用的材料相同。

公开(公告)号：US20060281329A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：US11150498

申请日：2005-06-10

申请人： Vijayakumar RamachandraRao ,  Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Hyun-Mog Park

发明人： Vijayakumar RamachandraRao ,  Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Hyun-Mog Park

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

摘要： A method for sealing a porous dielectric layer atop a substrate, wherein the dielectric layer is patterned to form at least a trench and at least a via, comprises applying a first plasma to a surface of the dielectric layer to silanolize the surface, treating the surface of the dielectric layer with a silazane to form a monolayer of silane molecules on the surface, and applying a second plasma to the surface of the dielectric layer to induce a polymerization of at least a portion of the silane molecules. The polymerized silane molecules form a cross-linked matrix that builds over a substantial portion of the surface of the dielectric layer and seals at least some of the exposed pores.

摘要翻译： 一种用于在衬底顶部密封多孔电介质层的方法，其中所述介电层被图案化以形成至少沟槽和至少通孔，包括将第一等离子体施加到所述电介质层的表面以使所述表面硅烷醇化，处理所述表面 的介电层与硅氮烷反应以在表面上形成单层的硅烷分子，并将第二等离子体施加到电介质层的表面以引起至少一部分硅烷分子的聚合。 聚合的硅烷分子形成交联的基质，其形成在电介质层的表面的大部分上并且密封至少一些暴露的孔。

公开(公告)号：US20050095743A1

公开(公告)日：2005-05-05

申请号：US10985506

申请日：2004-11-10

申请人： Grant Kloster ,  Jihperng Leu

发明人： Grant Kloster ,  Jihperng Leu

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02145 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695

摘要： A dielectric material is strengthened by bonding a metal component to the dielectric matrix. The metal component may be a metal oxide or metal oxide precursor. The metal component may be deposited on the substrate with the dielectric material, or sol-gel chemistry may be used and the liquid solution spin-coated on a substrate.

摘要翻译： 电介质材料通过将金属组分键合到电介质基体而得到增强。 金属成分可以是金属氧化物或金属氧化物前体。 金属组分可以用电介质材料沉积在衬底上，或者可以使用溶胶 - 凝胶化学，并将液体溶液旋涂在衬底上。

公开(公告)号：US20050079685A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10683202

申请日：2003-10-09

申请人： Shriram Ramanathan ,  Grant Kloster ,  Patrick Morrow ,  Vijayakumar RamachandraRao ,  Scott List

发明人： Shriram Ramanathan ,  Grant Kloster ,  Patrick Morrow ,  Vijayakumar RamachandraRao ,  Scott List

IPC分类号： H01L21/46 ,  H01L23/485 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14

摘要： The invention provides a stacked wafer structure with decreased failures. In one embodiment, there is a barrier layer deposited on exposed surfaces of conductors that extend across a distance between first and second device structures. The barrier layer may prevent diffusion and electromigration of the conductor material, which may decrease incidences of shorts and voids in the stacked wafer structure.

摘要翻译： 本发明提供了具有降低的故障的堆叠晶片结构。 在一个实施例中，存在沉积在导体的暴露表面上的阻挡层，其延伸跨越第一和第二器件结构之间的距离。 阻挡层可以防止导体材料的扩散和电迁移，这可能降低层叠晶片结构中的短路和空隙的发生。

公开(公告)号：US06867473B2

公开(公告)日：2005-03-15

申请号：US10722800

申请日：2003-11-26

申请人： Michael D. Goodner ,  Grant Kloster ,  Steven W. Johnston

发明人： Michael D. Goodner ,  Grant Kloster ,  Steven W. Johnston

IPC分类号： H01L21/288 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L21/312 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1639 ,  C23C18/1641 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1868 ,  C23C18/1893 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/53238

摘要： A surface may be selectively coated with a polymer using an induced surface grafting or polymerization reaction. The reaction proceeds in those regions that are polymerizable and not in other regions. Thus, a semiconductor structure having organic regions and metal regions exposed, for example, may have the organic polymers formed selectively on the organic regions and not on the unpolymerizable or metal regions.

摘要翻译： 使用诱导的表面接枝或聚合反应可以用聚合物选择性地涂布表面。 反应在可聚合的区域中进行，而不在其它区域。 因此，具有例如露出的有机区域和金属区域的半导体结构可以具有在有机区域而不是在不可聚合或金属区域上有选择地形成的有机聚合物。