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    Three dimensional inductor and transformer
    32.
    发明授权
    Three dimensional inductor and transformer 有权
    三维电感和变压器

    公开(公告)号：US08143952B2

    公开(公告)日：2012-03-27

    申请号：US12576033

    申请日：2009-10-08

    申请人： Jonghae Kim ,  Shiqun Gu ,  Brian Matthew Henderson ,  Thomas R. Toms ,  Lew G. Chua-Eoan ,  Seyfollah S. Bazarjani ,  Matthew Nowak

    发明人： Jonghae Kim ,  Shiqun Gu ,  Brian Matthew Henderson ,  Thomas R. Toms ,  Lew G. Chua-Eoan ,  Seyfollah S. Bazarjani ,  Matthew Nowak

    IPC分类号： H03F3/14

    CPC分类号： H01L28/10 ,  H01F17/0013 ,  H01F19/04 ,  H01F2017/002 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/0207 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/3011

    摘要： A three dimensional on-chip inductor, transformer and radio frequency amplifier are disclosed. The radio frequency amplifier includes a pair of transformers and a transistor. The transformers include at least two inductively coupled inductors. The inductors include a plurality of segments of a first metal layer, a plurality of segments of a second metal layer, a first inductor input, a second inductor input, and a plurality of through silicon vias coupling the plurality of segments of the first metal layer and the plurality of segments of the second metal layer to form a continuous, non-intersecting path between the first inductor input and the second inductor input. The inductors can have a symmetric or asymmetric geometry. The first metal layer can be a metal layer in the back-end-of-line section of the chip. The second metal layer can be located in the redistributed design layer of the chip.

    摘要翻译： 公开了三维片上电感器，变压器和射频放大器。 射频放大器包括一对变压器和晶体管。 变压器包括至少两个电感耦合电感器。 电感器包括第一金属层的多个段，第二金属层的多个段，第一电感器输入端，第二电感器输入端和耦合第一金属层的多个段的多个穿通硅通孔 以及第二金属层的多个段，以在第一电感器输入端和第二电感器输入端之间形成连续的，不相交的路径。 电感器可以具有对称或不对称的几何形状。 第一金属层可以是芯片的后端部分中的金属层。 第二金属层可以位于芯片的再分布设计层中。

    Active Thermal Control for Stacked IC Devices
    33.
    发明申请
    Active Thermal Control for Stacked IC Devices 有权
    堆叠IC器件的主动热控制

    公开(公告)号：US20090321909A1

    公开(公告)日：2009-12-31

    申请号：US12163029

    申请日：2008-06-27

    申请人： Shiqun Gu ,  Matthew Nowak ,  Thomas R. Toms

    发明人： Shiqun Gu ,  Matthew Nowak ,  Thomas R. Toms

    IPC分类号： H01L23/38

    CPC分类号： H05K7/20 ,  H01L23/38 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599

    摘要： Thermal conductivity in a stacked IC device can be improved by constructing one or more active temperature control devices within the stacked IC device. In one embodiment, the control devices are thermal electric (TE) devices, such as Peltier devices. The TE devices can then be selectively controlled to remove or add heat, as necessary, to maintain the stacked IC device within a defined temperature range. The active temperature control elements can be P-N junctions created in the stacked IC device and can serve to move the heat laterally and/or vertically, as desired.

    摘要翻译： 可以通过在堆叠的IC器件内构造一个或多个有源温度控制器件来提高层叠IC器件中的导热性。 在一个实施例中，控制装置是诸如珀耳帖装置之类的热电（TE）装置。 然后可根据需要选择性地控制TE器件去除或加热，以将堆叠的IC器件保持在规定的温度范围内。 活性温度控制元件可以是在堆叠的IC器件中产生的P-N结，并且可以根据需要用于横向和/或垂直地移动热量。

    Software Programmable Logic Using Spin Transfer Torque Magnetoresistive Devices
    35.
    发明申请
    Software Programmable Logic Using Spin Transfer Torque Magnetoresistive Devices 有权
    使用旋转转矩磁阻器件的软件可编程逻辑

    公开(公告)号：US20110254587A1

    公开(公告)日：2011-10-20

    申请号：US13079068

    申请日：2011-04-04

    申请人： Lew Chua-Eoan ,  Matthew Nowak ,  Seung H. Kang

    发明人： Lew Chua-Eoan ,  Matthew Nowak ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： H03K19/177

    CPC分类号： H03K19/17748 ,  G11C11/161 ,  G11C11/165 ,  H03K19/17736 ,  H03K19/1778

    摘要： Systems, circuits and methods for software programmable logic using Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM) technology are disclosed. Magnetic tunnel junction (MTJ) storage elements can be formed into input planes and output planes. The input planes and output planes can be coupled together to form complex arrays that allow for the realization of logic functions.

    摘要翻译： 公开了使用旋转转矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）技术的软件可编程逻辑的系统，电路和方法。 磁隧道结（MTJ）存储元件可以形成输入平面和输出平面。 输入平面和输出平面可以耦合在一起，形成允许实现逻辑功能的复杂阵列。

    Software Programmable Logic Using Spin Transfer Torque Magnetoresistive Devices
    37.
    发明申请
    Software Programmable Logic Using Spin Transfer Torque Magnetoresistive Devices 有权
    使用旋转转矩磁阻器件的软件可编程逻辑

    公开(公告)号：US20100194431A1

    公开(公告)日：2010-08-05

    申请号：US12763481

    申请日：2010-04-20

    申请人： Lew Chua-Eoan ,  Matthew Nowak ,  Seung H. Kang

    发明人： Lew Chua-Eoan ,  Matthew Nowak ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： H03K19/177

    CPC分类号： H03K19/17748 ,  G11C11/161 ,  G11C11/165 ,  H03K19/17736 ,  H03K19/1778

    摘要： Systems, circuits and methods for software programmable logic using Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM) technology are disclosed. Magnetic tunnel junction (MTJ) storage elements can be formed into input planes and output planes. The input planes and output planes can be coupled together to form complex arrays that allow for the realization of logic functions.

    摘要翻译： 公开了使用旋转转矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）技术的软件可编程逻辑的系统，电路和方法。 磁隧道结（MTJ）存储元件可以形成输入平面和输出平面。 输入平面和输出平面可以耦合在一起，形成允许实现逻辑功能的复杂阵列。

    Method and apparatus for providing through silicon via (TSV) redundancy
    38.
    发明授权
    Method and apparatus for providing through silicon via (TSV) redundancy 有权
    用于通过硅通孔（TSV）冗余提供的方法和装置

    公开(公告)号：US08988130B2

    公开(公告)日：2015-03-24

    申请号：US12468908

    申请日：2009-05-20

    申请人： Jonghae Kim ,  Feng Wang ,  Matthew Nowak

    发明人： Jonghae Kim ,  Feng Wang ,  Matthew Nowak

    IPC分类号： H03K17/00 ,  H03K19/003 ,  H01L25/065

    CPC分类号： H03K19/00392 ,  G01R31/318513 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An apparatus includes a first die having a first bus, a second die having a second bus stacked on the first die, a plurality of through silicon vias connecting the first bus to the second bus, and first control logic for sending data to identified ones of the plurality of through silicon vias. Also, optionally, second control logic for determining a first set of the plurality of through silicon vias that are nonfunctional, wherein the second control logic is configured to send information to the first control logic identifying the first set of the plurality of through silicon vias or identifying a second set of through silicon vias that are functional. Also a method of sending signals through a plurality of through silicon vias.

    摘要翻译： 一种装置包括具有第一总线的第一管芯，具有堆叠在第一管芯上的第二总线的第二管芯，将第一总线连接到第二总线的多个通孔硅通孔，以及用于向第二总线发送数据的第一控制逻辑 多个通孔硅通孔。 另外，可选地，第二控制逻辑用于确定非功能性的多个通孔硅通孔的第一组，其中第二控制逻辑被配置为向第一控制逻辑发送信息，该第一控制逻辑识别多个通孔通孔中的第一组， 识别功能性的第二组通孔硅通孔。 也是通过多个通过硅通孔发送信号的方法。