公开(公告)号：US4300278A

公开(公告)日：1981-11-17

申请号：US88154

申请日：1979-10-25

申请人： Kenji Nomura ,  Akira Tsuboi ,  Kunimichi Nakashima

发明人： Kenji Nomura ,  Akira Tsuboi ,  Kunimichi Nakashima

IPC分类号： B23Q3/157 ,  B23Q3/155

CPC分类号： B23Q3/1554 ,  Y10T408/37 ,  Y10T483/1767

摘要： A tool exchanger wherein an exchange arm fixed on one end of a rotatable and axially slidable shaft is formed with a pair of semi-circular openings at opposite ends thereof. A pair of gripping plungers slidably received in the exchange arm are spring-biased toward opposite ends of the arm for gripping tools held in the semi-circular openings. A pair of guided pins are protruded respectively from the gripping plungers. A cam engageable with the guided pins is disposed in position to inwardly retract either of the gripping plungers which approaches a tool socket of a tool magazine, against the force of an associated bias spring, when the exchange arm is pivoted from a parked position toward a grip position for gripping tools received respectively in a machine tool spindle and the tool socket.

摘要翻译： 一种工具交换器，其中固定在可旋转且可轴向滑动的轴的一端的交换臂在其相对端形成有一对半圆形开口。 可滑动地容纳在交换臂中的一对夹紧柱塞朝向臂的相对端被弹簧偏置，用于夹紧保持在半圆形开口中的工具。 一对引导销分别从夹紧柱塞突出。 与引导销接合的凸轮被设置在适当位置，以便当交换臂从停放位置朝向相对的位置枢转时，使夹紧柱塞中的任一个克服着相关联的偏置弹簧的力而接近工具仓的工具插座 分别在机床主轴和工具插座中接收夹紧工具的夹持位置。

公开(公告)号：US08203146B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12882404

申请日：2010-09-15

申请人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Semiconductor devices and circuits with use of transparent oxide film are provided. The semiconductor device having a P-type region and an N-type region, wherein amorphous oxides with electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used for the N-type region.

摘要翻译： 提供了使用透明氧化膜的半导体器件和电路。 具有P型区域和N型区域的半导体器件，其中电子载流子浓度小于1018 / cm3的非晶形氧化物用于N型区域。

公开(公告)号：US08125139B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US11817261

申请日：2006-02-28

申请人： Hideyuki Emoto ,  Masahiro Ibukiyama ,  Kenji Nomura

发明人： Hideyuki Emoto ,  Masahiro Ibukiyama ,  Kenji Nomura

IPC分类号： C09K11/00 ,  C09K11/59

CPC分类号： C09K11/7734 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/597 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6281 ,  C04B35/62813 ,  C04B35/62884 ,  C04B35/62892 ,  C04B35/62897 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/766 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/79 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/2993 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a phosphor material for a white LED with a blue LED or ultraviolet LED as a light source.A phosphor comprises an α-sialon represented by the formula: (M1)X(M2)Y(Si)12−(m+n)(Al)m+n(O)n(N)16−n where M1 is at least one element selected from the group consisting of Li, Mg, Ca, Y and lanthanide metals (except for La and Ce), M2 is at least one element selected from Ce, Pr, Eu, Tb, Yb and Er, 0.3≦X+Y≦1.5, 0

摘要翻译： 提供了一种用于具有蓝色LED或紫外线LED作为光源的白色LED的荧光体材料。 荧光体包括由式（M1）X（M2）Y（Si）12-（m + n）（Al）m + n（O）n（N）16-n表示的α-赛隆，其中M1在 至少一种选自Li，Mg，Ca，Y和镧系金属（La和Ce除外）的元素，M2是选自Ce，Pr，Eu，Tb，Yb和Er中的至少一种元素，0.3＆ X + Y＆nlE; 1.5,0

公开(公告)号：US20120012838A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13243244

申请日：2011-09-23

申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/26

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： A switching element of LCDs or organic EL displays which uses a thin film transistor device, includes: a drain electrode, a source electrode, a channel layer contacting the drain electrode and the source electrode, wherein the channel layer comprises indium-gallium-zinc oxide having a transparent, amorphous state of a composition equivalent to InGaO3(ZnO)m (wherein m is a natural number less than 6) in a crystallized state, and the channel layer has a semi-insulating property represented by an electron mobility of more than 1 cm2/(V·sec) and an electron carrier concentration is less than 1018/cm3, a gate electrode, and a gate insulating film positioned between the gate electrode and the channel layer.

摘要翻译： 使用薄膜晶体管器件的LCD或有机EL显示器的开关元件包括：漏电极，源电极，与漏电极和源电极接触的沟道层，其中沟道层包括铟镓锌氧化物 具有在结晶化状态下等价于InGaO 3（ZnO）m（其中m为小于6的自然数）的组成的透明非晶状态，并且沟道层具有以电子迁移率表示的半绝缘性 1cm 2 /（V·sec），电子载流子浓度小于1018 / cm3，栅电极和栅极绝缘膜位于栅电极和沟道层之间。

公开(公告)号：US20110012107A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12882647

申请日：2010-09-15

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种采用无定形氧化物的新型场效应晶体管。 在本发明的一个实施例中，晶体管包括含有浓度小于1×10-18 / cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层由与非晶氧化物接触的第一层 以及与第一层不同的第二层。

公开(公告)号：US07872259B2

公开(公告)日：2011-01-18

申请号：US11269768

申请日：2005-11-09

申请人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G03G5/08 ,  G03G5/144 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693 ,  H01L2251/5315

摘要： An object of the present invention is to provide a new light-emitting device with the use of an amorphous oxide. The light-emitting device has a light-emitting layer existing between first and second electrodes and a field effect transistor, of which the active layer is an amorphous.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种使用无定形氧化物的新的发光装置。 发光器件具有存在于第一和第二电极之间的发光层和场效应晶体管，其中有源层是无定形的。

公开(公告)号：US07868326B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11269647

申请日：2005-11-09

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种采用无定形氧化物的新型场效应晶体管。 在本发明的一个实施例中，晶体管包括含有浓度小于1×10-18 / cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层由与非晶氧化物接触的第一层 以及与第一层不同的第二层。

公开(公告)号：US20090146072A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12368592

申请日：2009-02-10

申请人： Keishi Saito ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Keishi Saito ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： G01T1/24

CPC分类号： H01L31/032 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14658 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/085 ,  H01L31/09 ,  H01L31/118

摘要： A sensor for detecting a received electromagnetic wave comprising a first electrode, a second electrode and an amorphous oxide layer interposed between the first electrode and the second electrode.

摘要翻译： 一种用于检测接收的电磁波的传感器，包括插在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和无定形氧化物层。

公开(公告)号：US07453065B2

公开(公告)日：2008-11-18

申请号：US11269648

申请日：2005-11-09

申请人： Keishi Saito ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Keishi Saito ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： G01J5/20

CPC分类号： H01L31/032 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14658 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/085 ,  H01L31/09 ,  H01L31/118

摘要： A sensor for detecting a received electromagnetic wave comprising a first electrode, a second electrode and an amorphous oxide layer interposed between the first electrode and the second electrode.

摘要翻译： 一种用于检测接收的电磁波的传感器，包括插在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和无定形氧化物层。

公开(公告)号：US20060113565A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11269646

申请日：2005-11-09

申请人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/109

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Semiconductor devices and circuits with use of transparent oxide film are provided. The semiconductor device having a P-type region and an N-type region, wherein amorphous oxides with electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used for the N-type region.

摘要翻译： 提供了使用透明氧化膜的半导体器件和电路。 具有P型区域和N型区域的半导体器件，其中电子载流子浓度小于10/30/3/3的非晶形氧化物用于N- 类型区域。