公开(公告)号：US07323423B2

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：US10882734

申请日：2004-06-30

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3141 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A buffer layer and a high-k metal oxide dielectric may be formed over a smooth silicon substrate. The substrate smoothness may reduce column growth of the high-k metal oxide gate dielectric. The surface of the substrate may be saturated with hydroxyl terminations prior to deposition.

摘要翻译： 可以在平滑的硅衬底上形成缓冲层和高k金属氧化物电介质。 衬底平滑度可能降低高k金属氧化物栅极电介质的柱生长。 在沉积之前，衬底的表面可能被羟基终止物饱和。

公开(公告)号：US06887800B1

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：US10862169

申请日：2004-06-04

申请人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Uday Shah ,  Robert S. Chau

发明人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Uday Shah ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H01L29/51 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/11 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises modifying a first surface, and forming a high-k gate dielectric layer on an unmodified second surface.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括修改第一表面，以及在未修改的第二表面上形成高k栅介质层。

公开(公告)号：US08119508B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US12781084

申请日：2010-05-17

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert S. Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/66545

摘要： In a metal gate replacement process, a stack of at least two polysilicon layers or other materials may be formed. Sidewall spacers may be formed on the stack. The stack may then be planarized. Next, the upper layer of the stack may be selectively removed. Then, the exposed portions of the sidewall spacers may be selectively removed. Finally, the lower portion of the stack may be removed to form a T-shaped trench which may be filled with the metal replacement.

摘要翻译： 在金属栅极更换工艺中，可以形成至少两个多晶硅层或其它材料的堆叠。 侧壁间隔物可以形成在堆叠上。 然后可以将堆叠平坦化。 接下来，可以选择性地去除堆叠的上层。 然后，可以选择性地去除侧壁间隔物的暴露部分。 最后，堆叠的下部可以被去除以形成可以用金属替代物填充的T形沟槽。

公开(公告)号：US07387927B2

公开(公告)日：2008-06-17

申请号：US10939227

申请日：2004-09-10

申请人： Robert B. Turkot, Jr. ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Robert B. Turkot, Jr. ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： A metal layer is formed on a dielectric layer, which is formed on a substrate. After forming a masking layer on the metal layer, the exposed sides of the dielectric layer are covered with a polymer diffusion barrier.

公开(公告)号：US07160767B2

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：US10739173

申请日：2003-12-18

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/337

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dummy dielectric layer that is at least about 10 angstroms thick on a substrate, and forming a sacrificial layer on the dummy dielectric layer. After removing the sacrificial layer and the dummy dielectric layer to generate a trench that is positioned between first and second spacers, a gate dielectric layer is formed on the substrate at the bottom of the trench, and a metal layer is formed on the gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成至少约10埃厚的虚拟电介质层，并在虚拟电介质层上形成牺牲层。 在除去牺牲层和虚设电介质层以产生位于第一和第二间隔物之间​​的沟槽之后，在沟槽的底部的衬底上形成栅介质层，并且在栅介质层上形成金属层 。

公开(公告)号：US07125762B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10900666

申请日：2004-07-28

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495

摘要： A metal gate transistor may include a metal layer over a high dielectric constant dielectric layer. The dielectric layer abstracts electronegativity from said metal layer, altering its workfunction. The workfunction of the metal layer may be set to compensate for the dielectric layer abstraction.

公开(公告)号：US06974764B2

公开(公告)日：2005-12-13

申请号：US10704497

申请日：2003-11-06

申请人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau ,  Robert B. Turkot, Jr.

发明人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau ,  Robert B. Turkot, Jr.

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/4958 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dielectric layer on a substrate, and forming a first metal layer on a first part of the dielectric layer, leaving a second part of the dielectric layer exposed. After a second metal layer is formed on both the first metal layer and the second part of the dielectric layer, a masking layer is formed on the second metal layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成电介质层，并且在介电层的第一部分上形成第一金属层，留下介电层的第二部分露出。 在第一金属层和电介质层的第二部分上形成第二金属层之后，在第二金属层上形成掩模层。

公开(公告)号：US20090090976A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：US12333248

申请日：2008-12-11

申请人： Jack T. Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Brian S. Doyle ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

发明人： Jack T. Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Brian S. Doyle ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823828 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

摘要： A process capable of integrating both planar and non-planar transistors onto a bulk semiconductor substrate, wherein the channel of all transistors is definable over a continuous range of widths.

摘要翻译： 一种能够将平面和非平面晶体管集成到体半导体衬底上的工艺，其中所有晶体管的沟道可在连续的宽度范围内定义。

公开(公告)号：US07449756B2

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US11151528

申请日：2005-06-13

申请人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Robert S. Chau

发明人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/31691 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

摘要： A semiconductor device is described. That semiconductor device comprises a high-k gate dielectric layer that is formed on a substrate that applies strain to the high-k gate dielectric layer, and a metal gate electrode that is formed on the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述半导体器件。 该半导体器件包括形成在对高k栅极电介质层施加应变的基板上的高k栅极电介质层和形成在高k栅极电介质层上的金属栅电极。

公开(公告)号：US07381608B2

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：US11006218

申请日：2004-12-07

申请人： Justin K. Brask ,  Sangwoo Pae ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Mark L. Doczy ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau ,  Jose A. Maiz

发明人： Justin K. Brask ,  Sangwoo Pae ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Mark L. Doczy ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau ,  Jose A. Maiz

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises adding nitrogen to a silicon dioxide layer to form a nitrided silicon dioxide layer on a substrate. After forming a sacrificial layer on the nitrided silicon dioxide layer, the sacrificial layer is removed to generate a trench. A high-k gate dielectric layer is formed on the nitrided silicon dioxide layer within the trench, and a metal gate electrode is formed on the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括向二氧化硅层中加入氮以在基底上形成氮化二氧化硅层。 在氮化二氧化硅层上形成牺牲层之后，除去牺牲层以产生沟槽。 在沟槽内的氮化二氧化硅层上形成高k栅介质层，在高k栅介质层上形成金属栅电极。