公开(公告)号：US20150110969A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：US14504366

申请日：2014-10-01

申请人： David A. Sheikh

发明人： David A. Sheikh

IPC分类号： C23C14/58 ,  G02B5/08 ,  C23C14/24

CPC分类号： G02B5/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/32 ,  G02B5/0891

摘要： A process for a low temperature, ion-assisted, evaporation technique (IAD), whereby the coating stress of a silicon film may be manipulated from compressive to tensile, in order to produce a near-zero net stress for the complete layer. A Si cladding with little intrinsic stress is essential to allow thick coatings to be manufactured without cracking. A low stress coating also minimizes substrate bending that would otherwise distort the figure of very lightweight mirrors. The proposed process takes less time so the surfaces may be polished to levels suitable for ultraviolet optical and infrared astronomy and is directly scalable to SiC mirrors several meters in diameter,

摘要翻译： 一种用于低温离子辅助蒸发技术（IAD）的方法，由此可以将硅膜的涂覆应力从压缩到拉伸操作，以便为整个层产生接近零的净应力。 具有很小的固有应力的Si覆层对于允许在不破裂的情况下制造厚的涂层是必要的。 低应力涂层还使底板弯曲最小化，否则会使非常轻的镜子的图形变形。 所提出的方法花费更少的时间，使得表面可以被抛光到适合于紫外光学和红外天文学的水平，并且可以直接扩展到直径几米的SiC反射镜，

公开(公告)号：US09005763B2

公开(公告)日：2015-04-14

申请号：US14202263

申请日：2014-03-10

申请人： Guardian Industries Corp.

发明人： Muhammad Imran ,  Bernd Disteldorf ,  Marcus Frank ,  Richard Blacker

IPC分类号： B32B17/06 ,  B32B15/04 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36

CPC分类号： C03C17/3435 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C22C19/053 ,  C22C19/055 ,  C22C19/056 ,  C22C19/057 ,  C23C14/18 ,  Y10T428/12597

摘要： Certain example embodiments relate to Ni-inclusive ternary alloy being provided as a barrier layer for protecting an IR reflecting layer comprising silver or the like. The provision of a barrier layer comprising nickel, chromium, and/or molybdenum and/or oxides thereof may improve corrosion resistance, as well as chemical and mechanical durability. In certain examples, more than one barrier layer may be used on at least one side of the layer comprising silver. In still further examples, a NixCryMoz-based layer may be used as the functional layer, rather than or in addition to as a barrier layer, in a coating.

摘要翻译： 一些示例性实施方案涉及提供作为用于保护包含银等的IR反射层的阻挡层的Ni包覆三元合金。 提供包含镍，铬和/或钼和/或其氧化物的阻挡层可提高耐腐蚀性以及化学和机械耐久性。 在某些实施例中，可以在包含银的层的至少一侧上使用多于​​一个的阻挡层。 在另外的实例中，NixCryMoz基层可以用作功能层，而不是或作为阻挡层添加到涂层中。

公开(公告)号：US20140242382A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：US14267029

申请日：2014-05-01

申请人： Guardian Industries Corp.

发明人： Marcus FRANK ,  Nancy BASSETT ,  Bryce CORSNER

IPC分类号： C23C14/18

CPC分类号： C23C14/18 ,  C03C17/36 ,  C03C17/361 ,  C03C17/3613 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/3655 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C03C17/3689 ,  C03C2217/211 ,  C03C2217/212 ,  C03C2217/216 ,  C03C2217/218 ,  C03C2217/219 ,  C03C2217/228 ,  C03C2217/256 ,  C03C2217/26 ,  C03C2217/261 ,  C03C2217/27 ,  C03C2217/281 ,  Y02B80/24 ,  Y10T428/12549 ,  Y10T428/265

摘要： Certain example embodiments of this invention relate to a coated article including a low-E coating. In certain example embodiments, a titanium oxide inclusive bottom layer stack and/or a NiCr-based layer(s) are designed to improve b* coloration values and/or transmission of the coated article. These layer stack portions also are advantageous in that they permit a double-silver coated article to achieve (i) an LSG value (TVIS/SHGC) of at least 2.0, (ii) an SHGC value of no greater than 35%, more preferably no greater than 33, 32 or 30%, and (iii) a U-value (BTU h−1 ft−2 ° F.−1) (e.g., x=12 mm) of no greater than 0.30, more preferably no greater than 0.28 or 0.25. In certain example embodiments, the titanium oxide based layer may be an interlayer provided in a bottom portion of the layer stack between first and second layers comprising silicon nitride. Coated articles according to certain example embodiments of this invention may be used in the context of insulating glass (IG) window units, other types of windows, or in any other suitable application.

摘要翻译： 本发明的某些示例性实施方案涉及包含低E涂层的涂覆制品。 在某些示例性实施例中，设计包含氧化钛的底层堆叠和/或NiCr基层以改善涂层制品的b *着色值和/或透射率。 这些层堆叠部分也是有利的，因为它们允许双银涂层制品实现（i）至少2.0的LSG值（TVIS / SHGC），（ii）不大于35％的SHGC值，更优选地 不大于33,32或30％，和（iii）不大于0.30的U值（BTU h-1ft-2°F-1）（例如，x = 12mm），更优选不大于 大于0.28或0.25。 在某些示例性实施例中，基于氧化钛的层可以是设置在包括氮化硅的第一和第二层之间的层堆叠的底部中的中间层。 根据本发明的某些示例性实施例的涂层制品可以用于中空玻璃（IG）窗单元，其它类型的窗户或任何其它合适的应用中。

公开(公告)号：US20140186636A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：US14202263

申请日：2014-03-10

申请人： Guardian Industries Corp.

发明人： Muhammad IMRAN ,  Bernd DISTELDORF ,  Marcus FRANK ,  Richard BLACKER

IPC分类号： C03C17/34

CPC分类号： C03C17/3435 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C22C19/053 ,  C22C19/055 ,  C22C19/056 ,  C22C19/057 ,  C23C14/18 ,  Y10T428/12597

摘要： Certain example embodiments relate to Ni-inclusive ternary alloy being provided as a barrier layer for protecting an IR reflecting layer comprising silver or the like. The provision of a barrier layer comprising nickel, chromium, and/or molybdenum and/or oxides thereof may improve corrosion resistance, as well as chemical and mechanical durability. In certain examples, more than one barrier layer may be used on at least one side of the layer comprising silver. In still further examples, a NixCryMoz-based layer may be used as the functional layer, rather than or in addition to as a barrier layer, in a coating.

摘要翻译： 一些示例性实施方案涉及提供作为用于保护包含银等的IR反射层的阻挡层的Ni包覆三元合金。 提供包含镍，铬和/或钼和/或其氧化物的阻挡层可提高耐腐蚀性以及化学和机械耐久性。 在某些实施例中，可以在包含银的层的至少一侧上使用多于​​一个的阻挡层。 在另外的实例中，NixCryMoz基层可以用作功能层，而不是或作为阻挡层添加到涂层中。

公开(公告)号：US20140155251A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：US14095447

申请日：2013-12-03

申请人： HONDA MOTOR CO., LTD.

发明人： Toshiyuki Ohashi ,  Toshio Tokune ,  Masahiro Ohta ,  Ryogo Kato ,  Toshiyuki Shima

IPC分类号： B01J23/78

CPC分类号： B01J23/78 ,  B01J23/745 ,  B01J37/0244 ,  B01J37/342 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/081 ,  C23C14/18 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/5893

摘要： Provided is a substrate for carbon nanotube growth in which no metal particles as a catalyst aggregates and a method for manufacturing the substrate. A substrate for carbon nanotube growth 1 includes a base plate 2, a catalyst 3, a form-defining material layer 4 which allows the catalyst 3 to be dispersed and arranged, and a covering layer 5 which has a metal oxide to cover the catalyst. A method for manufacturing a substrate for carbon nanotube growth 1 includes a step of sputtering on a base plate 2 a metal which forms a catalyst 3 and oxidizing the surface of the metal, a step of sputtering a form-defining material on the base plate 2, and a step of further sputtering on the form-defining material a metal which forms a catalyst 3 and oxidizing the surface of the metal.

摘要翻译： 本发明提供一种碳纳米管生长用基材，其中不含作为催化剂的金属颗粒聚集体及其制造方法。 用于碳纳米管生长的衬底1包括底板2，催化剂3，允许催化剂3分散和排列的形式限定材料层4和具有覆盖催化剂的金属氧化物的覆盖层5。 制造碳纳米管生长用基板1的方法包括在基板2上溅射形成催化剂3的金属，氧化金属表面的工序，在基板2上溅射形成限定材料的工序 以及在形成限定材料上进一步溅射形成催化剂3并氧化金属表面的金属的步骤。

公开(公告)号：US20140153613A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：US14232422

申请日：2012-06-27

申请人： Karlheinz Wienand ,  Margit Sander

发明人： Karlheinz Wienand ,  Margit Sander

IPC分类号： G01K7/18 ,  C23C14/18 ,  C23C16/06

CPC分类号： G01K7/18 ,  C23C14/18 ,  C23C16/06

摘要： A high temperature sensor includes a substrate, at least two terminal contacts and at least one resistive structure, wherein the terminal contacts and the at least one resistive structure are disposed on a first side of the substrate, and at least one of the resistive structures is electrically contacted by the terminal contacts, wherein at least one electrode is disposed on each of the two terminal contacts next to the resistive structure on the first side of the substrate. The electrodes are electrically connected to the terminal contacts, respectively, or at least one electrode is disposed on at least one terminal contact next to the resistive structure on the first side of the substrate, wherein the electrode is designed in one piece with the resistive structure. The invention also relates to a high temperature sensor and a method for producing such a sensor.

摘要翻译： 高温传感器包括衬底，至少两个端子触点和至少一个电阻结构，其中端子触点和至少一个电阻结构设置在衬底的第一侧上，并且至少一个电阻结构是 所述端子触点电接触，其中至少一个电极设置在所述两个端子触点的每一个上，所述两个端子触点在所述基板的所述第一侧上的所述电阻结构旁边。 电极分别电连接到端子触点，或者至少一个电极设置在衬底的第一侧上的电阻结构旁边的至少一个端子触点上，其中电极被设计成与电阻结构 。 本发明还涉及一种用于生产这种传感器的高温传感器和方法。

公开(公告)号：US20140017906A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13695191

申请日：2012-07-26

申请人： Zuozhen Fu ,  Huaxiang Yin ,  Jiang Yan

发明人： Zuozhen Fu ,  Huaxiang Yin ,  Jiang Yan

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02186 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01L21/2855

摘要： A method for forming titanium nitride by PVD is disclosed, comprising: generating ions of a noble gas by glow discharge under a vacuum condition that a nitrogen gas and the noble gas are supplied; nitriding a surface of a wafer and a surface of a titanium target with the nitrogen gas; bombarding the surface of the titanium target with the ions of the noble gas after they are accelerated in an electric field so that titanium ions and titanium nitride are sputtered; and forming a titanium nitride layer by depositing titanium nitride on the surface of the wafer in a magnetic field, while titanium ions are injected into the surface of the wafer so that stress is introduced into the titanium nitride layer, wherein non-crystallization fraction of the titanium nitride layer and stress in the titanium nitride layer are increased by increasing kinetic energy of titanium ions which are injected into the surface of the wafer. In the method for forming titanium nitride by PVD according to the present disclosure, kinetic energy of titanium ions which are injected into the surface of the wafer is increased by controlling process parameters so that non-crystallization fraction of the titanium nitride layer and stress in the titanium nitride layer are increased.

摘要翻译： 公开了一种通过PVD形成氮化钛的方法，包括：在供给氮气和惰性气体的真空条件下，通过辉光放电产生惰性气体的离子; 用氮气氮化晶片的表面和钛靶的表面; 在电场加速后，用惰性气体的离子轰击钛靶的表面，从而溅射钛离子和氮化钛; 以及通过在磁场中在晶片的表面上沉积氮化钛而形成氮化钛层，同时将钛离子注入晶片的表面，使得应力被引入到氮化钛层中，其中非晶化部分 通过提高注入到晶片表面的钛离子的动能来增加氮化钛层和氮化钛层中的应力。 在根据本公开的通过PVD形成氮化钛的方法中，通过控制工艺参数来增加注入晶片表面的钛离子的动能，使得氮化钛层的非结晶部分和应力在 氮化钛层增加。

公开(公告)号：US08529988B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US12988067

申请日：2009-04-07

申请人： Israel Rubinstein ,  Alexander Vaskevich ,  Tatyana Karakouz

发明人： Israel Rubinstein ,  Alexander Vaskevich ,  Tatyana Karakouz

IPC分类号： C23C16/06

CPC分类号： G02B5/008 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C03C17/006 ,  C03C2217/42 ,  C03C2218/151 ,  C03C2218/32 ,  C23C14/18 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5853 ,  G01N21/41 ,  G01N21/554

摘要： A method is presented for use in fabrication of metal islands on an oxide substrate. The method comprises: depositing a selected metal on the oxide substrate by evaporation of said selected metal; and annealing a film of the selected metal on said substrate at temperatures including an annealing temperature being less than 50° C. lower than a glass transition temperature, thereby forming the metal islands partially embedded in said substrate.

摘要翻译： 提出了一种用于在氧化物衬底上制造金属岛的方法。 该方法包括：通过蒸发所述选择的金属将所选择的金属沉积在氧化物基底上; 以及在包括退火温度低于玻璃化转变温度的50℃的温度的温度下退火所述基板上的所选金属的膜，由此形成部分地嵌入所述基板中的金属岛。

公开(公告)号：US20130171373A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13715568

申请日：2012-12-14

申请人： Centro de Investigacion Cientifica y de Education Superior de Ensenada

发明人： Santiago COMACHO-LOPEZ ,  Marco Antonio CAMACHO-LOPEZ

IPC分类号： B05D3/06

CPC分类号： C23C14/5813 ,  B05D3/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5853

摘要： The present invention relates to processes for obtaining metal oxides by irradiation of low energy laser pulses of metal layers, wherein said metals can be formed as simple metals, alloys, or multilayers. The present invention performs the oxidation of a thin metal film deposited on a substrate; e.g., glass (SiO2) or silicon (Si) by a laser-irradiation time of a few nanoseconds to femtoseconds at high repetition rate, time necessary to achieve a stoichiometry and a well-defined microscopic structure. Through the processes of the invention, it is possible to obtain complex structures and metal oxides at room temperature in a very short time and with very low energy consumption.

摘要翻译： 本发明涉及通过照射金属层的低能量激光脉冲来获得金属氧化物的方法，其中所述金属可以形成为简单金属，合金或多层。 本发明对沉积在基板上的薄金属膜进行氧化; 例如通过几个纳秒的激光照射时间以高重复率飞秒的玻璃（SiO 2）或硅（Si），达到化学计量所需的时间和明确的微观结构。 通过本发明的方法，可以在非常短的时间内以非常低的能量消耗在室温下获得复杂的结构和金属氧化物。

公开(公告)号：US08466063B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US13302520

申请日：2011-11-22

申请人： Simon Su-Horng Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Simon Su-Horng Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/78 ,  C23C14/022 ,  C23C14/046 ,  C23C14/18 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/48 ,  C23C16/484 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

摘要： A method of depositing a metal film on a substrate with patterned features includes placing a substrate with patterned features into a photo-induced chemical vapor deposition (PI-CVD) process chamber. The method also includes depositing a metal film by PI-CVD to fill the patterned features from bottom up.

摘要翻译： 在具有图案特征的基板上沉积金属膜的方法包括将具有图案化特征的基板放置在光致化学气相沉积（PI-CVD）处理室中。 该方法还包括通过PI-CVD沉积金属膜以从下向上填充图案化特征。