公开(公告)号：US20130147023A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13313240

申请日：2011-12-07

申请人： Yu-Ling Lin ,  Hsiao-Tsung Yen ,  Ho-Hsiang Chen ,  Chewn-Pu Jou

发明人： Yu-Ling Lin ,  Hsiao-Tsung Yen ,  Ho-Hsiang Chen ,  Chewn-Pu Jou

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/645 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provides an Integrated Circuit (IC) device. The IC device includes a first die that contains an electronic component. The IC device includes second die that contains a ground shielding structure. The IC device includes a layer disposed between the first die and the second die. The layer couples the first die and the second die together. The present disclosure also involves a microelectronic device. The microelectronic device includes a first die that contains a plurality of first interconnect layers. An inductor coil structure is disposed in a subset of the first interconnect layers. The microelectronic device includes a second die that contains a plurality of second interconnect layers. A patterned ground shielding (PGS) structure is disposed in a subset of the second interconnect layers. The microelectronic device includes an underfill layer disposed between the first and second dies. The underfill layer contains one or more microbumps.

摘要翻译： 本公开提供了一种集成电路（IC）装置。 IC器件包括包含电子元件的第一管芯。 IC器件包括包含接地屏蔽结构的第二管芯。 IC器件包括设置在第一管芯和第二管芯之间的层。 该层将第一管芯和第二管芯结合在一起。 本公开还涉及微电子器件。 微电子器件包括包含多个第一互连层的第一管芯。 电感线圈结构设置在第一互连层的子集中。 微电子器件包括包含多个第二互连层的第二管芯。 图案化接地屏蔽（PGS）结构设置在第二互连层的子集中。 微电子器件包括设置在第一和第二裸片之间的底部填充层。 底层填充层包含一个或多个微胶囊。

公开(公告)号：US08399961B2

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：US12974896

申请日：2010-12-21

申请人： Hsiao-Tsung Yen ,  Yu-Ling Lin ,  Cheng Hung Lee ,  Chin-Wei Kuo ,  Ho-Hsiang Chen ,  Min-Chie Jeng

发明人： Hsiao-Tsung Yen ,  Yu-Ling Lin ,  Cheng Hung Lee ,  Chin-Wei Kuo ,  Ho-Hsiang Chen ,  Min-Chie Jeng

IPC分类号： H01L27/08

CPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0248 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A device includes a die including a main circuit and a first pad coupled to the main circuit. A work piece including a second pad is bonded to the die. A first plurality of micro-bumps is electrically coupled in series between the first and the second pads. Each of the plurality of micro-bumps includes a first end joining the die and a second end joining the work piece. A micro-bump is bonded to the die and the work piece. The second pad is electrically coupled to the micro-bump.

摘要翻译： 一种器件包括：裸片，包括主电路和耦合到主电路的第一焊盘。 包括第二垫的工件被结合到模具。 第一多个微凸块在第一和第二焊盘之间串联电耦合。 多个微型凸块中的每一个包括连接模具的第一端和连接工件的第二端。 微凸块与模具和工件结合。 第二焊盘电耦合到微凸起。

公开(公告)号：US20120146680A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US12963511

申请日：2010-12-08

申请人： Hsiao-Tsung Yen ,  Yu-Ling Lin ,  Chin-Wei Kuo ,  Ho-Hsiang Chen ,  Sa-Lly Liu

发明人： Hsiao-Tsung Yen ,  Yu-Ling Lin ,  Chin-Wei Kuo ,  Ho-Hsiang Chen ,  Sa-Lly Liu

IPC分类号： G01R31/00

CPC分类号： G01R31/2601 ,  G01R1/0491 ,  G01R31/2644 ,  G01R31/318511 ,  G11C29/56 ,  G11C2029/5602 ,  H01L22/34

摘要： A transmission line is provided. In one embodiment, the transmission line comprises a substrate, a well within the substrate, a shielding layer over the well, and a plurality of intermediate metal layers over the shielding layer, the plurality of intermediate metal layers coupled by a plurality of vias. The transmission line further includes a top metal layer over the plurality of intermediate metal layers. A test structure for de-embedding an on-wafer device, and a wafer are also disclosed.

摘要翻译： 提供传输线。 在一个实施例中，传输线包括衬底，衬底内的阱，阱上的屏蔽层以及屏蔽层上的多个中间金属层，多个中间金属层通过多个通孔耦合。 传输线还包括多个中间金属层上的顶部金属层。 还公开了用于去嵌入晶片装置和晶片的测试结构。

公开(公告)号：US20120133446A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US12957040

申请日：2010-11-30

申请人： Yu-Ling Lin ,  Ying-Ta Lu ,  Hsiao-Tsung Yen ,  Ho-Hsiang Chen ,  Chewn-Pu Jou ,  Fu-Lung Hsueh

发明人： Yu-Ling Lin ,  Ying-Ta Lu ,  Hsiao-Tsung Yen ,  Ho-Hsiang Chen ,  Chewn-Pu Jou ,  Fu-Lung Hsueh

IPC分类号： H03B1/00

CPC分类号： H03B5/1228 ,  H03B5/1215 ,  H03B27/00 ,  H03B2200/0078 ,  H03B2200/0098

摘要： A circuit includes an oscillator circuit including a first oscillator and a second oscillator. The first and the second oscillators are configured to generate signal having a same frequency and different phases. A transmission line is coupled between the first and the second oscillators.

摘要翻译： 电路包括包括第一振荡器和第二振荡器的振荡器电路。 第一和第二振荡器被配置为产生具有相同频率和不同相位的信号。 传输线耦合在第一和第二振荡器之间。

公开(公告)号：US07954080B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US12042606

申请日：2008-03-05

申请人： Hsiao-Tsung Yen ,  Tzu-Jin Yeh ,  Sally Liu

发明人： Hsiao-Tsung Yen ,  Tzu-Jin Yeh ,  Sally Liu

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G01R31/2884 ,  H01L22/34

摘要： A method and system for de-embedding an on-wafer device is disclosed. The method comprises representing the intrinsic characteristics of a test structure using a set of ABCD matrix components; determining the intrinsic characteristics arising from the test structure; and using the determined intrinsic characteristics of the test structure to produce a set of parameters representative of the intrinsic characteristics of a device-under-test (“DUT”).

摘要翻译： 公开了一种用于去嵌入晶片装置的方法和系统。 该方法包括使用一组ABCD矩阵分量表示测试结构的固有特性; 确定测试结构产生的内在特性; 并且使用确定的测试结构的固有特性来产生表示待测器件（“DUT”）的固有特性的一组参数。